Please select your location and preferred language where available.
SLC NAND флэш-память
Встроенные флэш-решения для потребительской и промышленной отрасли
Флэш-память NAND с одноуровневой ячейкой (SLC) остается неотъемлемой частью рынка устройств флэш-памяти. Ее улучшенная износостойкость идеально подходит для различных потребительских и промышленных применений, где важна надежность и долговечность устройства питания.
Продукты флэш-памяти SLC NAND компании KIOXIA доступны в различных вариантах плотности и корпуса для удовлетворения разнообразных требований встроенного рынка.
Энергонезависимая память флэш-память NAND с 1-битом-на-ячейку с одноуровневой ячейкой (SLC) от KIOXIA записывает большие объемы данных на высокой скорости; обеспечивает высокую долговечность и надежность для цикла запись/стирание.
BENAND™ от KIOXIA — это флэш-память NAND SLC со встроенным ECC. BENAND™ снимает нагрузку ECC с главного процессора, сохраняя при этом совместимый интерфейс, надежность и производительность с помощью флэш-памяти RAW SLC NAND.
Возможен поиск по всему списку флэш-памяти SLC NAND по характеристикам.
Продукты в зависимости от задач
Будь то автомобильные приложения или компактные ПК, ориентированные на высокую производительность, или развертывание облачных серверов и гипермасштабируемых центров обработки данных, решения KIOXIA в области памяти и хранения данных обеспечивают успех новых приложений и позволяют существующим технологиям достичь ожидаемого потенциала, предлагая передовую высокую производительность, высокую плотность, низкое энергопотребление, низкое значение задержки, надежность и многое другое.
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
