Please select your location and preferred language where available.
Флэш-память RAW SLC NAND для OEM-производителей и промышленных предприятий
SLC: Надежный, высокопроизводительный выбор
Энергонезависимая память флэш-память NAND с 1-битом-на-ячейку с одноуровневой ячейкой (SLC) от KIOXIA записывает большие объемы данных на высокой скорости; обеспечивает высокую долговечность для цикла запись/стирание; предлагает широкий диапазон рабочих температур и обеспечивает высокую надежность. Кроме того, по сравнению с флэш-памятью NOR можно добиться значительной экономии для устройств с более высокой плотностью. Благодаря этим характеристикам флэш-память SLC NAND используется во многих потребительских и промышленных приложениях.
Ключевые особенности флэш-памяти RAW SLC NAND от KIOXIA
- 24nm Process Technology
- High performance & reliability
- Industrial-temperature availability
- Support both 3V and 1.8V VCC Options
- BGA*1 package (6.5 x 8 mm / 9 x 11 mm) / TSOP*2 (12 x 20 mm)
- Ability to read and write data at high speeds
- Support for high-write/erase cycle endurance
- BGA (Ball Grid Array)
- TSOP (Thin Small Outline Package)
- Технология 24нм
- Высокая производительность и надежность
- Доступность для промышленного температурного диапазона
- Поддержка опций 3 В и 1,8 VCC
- Корпус BGA*1 (6,5 x 8 мм / 9 x 11 мм) / TSOP*2 (12 x 20 мм)
- Возможность чтения и записи данных на высоких скоростях
- Поддержка высокой долговечности для цикла запись/стирание
- BGA (корпус с матрицей шариковых выводов)
- TSOP (тонкий малогабаритный корпус)
Ключевая технология флэш-памяти RAW SLC NAND от KIOXIA
Предлагает широкую линейку
KIOXIA предлагает широкий ассортимент компонентов флэш-памяти SLC NAND различной плотности. Предлагаются варианты корпусов как для коммерческого температурного диапазона (от 0 ℃ до 70 ℃), так и для промышленного температурного диапазона (от -40 ℃ до 85 ℃).
Высокая надежность и производительность
При 1-бите-на-ячейку флэш-память SLC NAND может обеспечить более высокую долговечность для цикла программирование/стирание, чем большинство устройств памяти с более высоким количеством битов на ячейку (MLC/TLC/QLC).
Произведено по техпроцессу «24 нм»
Флэш-память SLC NAND компании KIOXIA использует высокопроизводительную технологию процесса «24 нм» для оптимизации масштабируемости, долговечности и стоимости.
Ключевые области применения RAW NAND SLC (с одноуровневой ячейкой) от KIOXIA
Игровая приставка / Умное телевидение / Гарнитуры виртуальной реальности / Телеприставка/Цифровой видеорегистратор / Умный динамик / Умный дом / Портативные электронные устройства / Здоровье дома (Home Health) / Домашняя сеть
Автоматизация / Цифровое здравоохранение / Транспортировка / Системы наблюдения / Робот / Дрон / Безопасность / Цифровые вывески / Сетевое взаимодействие (5G-сеть) / PoS (пункт продаж)
Изучение и оценка
Продуктовая линейка
|
Плотность |
|
|
|
|
|
32 Гбит* |
|---|
Нажмите на любой элемент, чтобы просмотреть подробную продуктовую линейку и загрузить технические характеристики.
- Пожалуйста, свяжитесь с торговым представителем KIOXIA для получения информации о 32 Гбит.
Возможен поиск по всему списку флэш-памяти SLC NAND по характеристикам.
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
