Toshiba Memory Europe представила первые примышленные устройства встраиваемой флэш-памяти стандарта UFS вер. 3.0

Обеспечение более высокой производительности, необходимой для непрерывного развития смартфонов, планшетов, дополненной/виртуальной реальности и многого другого

  • г. Дюссельдорф, Германия, 23 января 2019 г.

Toshiba Memory Europe GmbH (TME) начала поставки ознакомительных образцов первых в отрасли устройств встраиваемой флэш-памяти стандарта Universal Flash Storage (UFS) вер. 3.0 емкостью 128 ГБ[1]. Новые устройства используют самую современную 96-слойную 3D-память BiCS FLASH и доступны в трех вариантах с емкостью: 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ[2]. Благодаря высокой скорости чтения и записи при низком энергопотреблении новые продукты прекрасно подходят для использования в мобильных устройствах, смартфонах, планшетах, а также системах дополненной и виртуальной реальности.

Industry’s First UFS Ver. 3.0 Embedded Flash Memory Devices

Потребителям постоянно требуется дальнейшее повышение производительности и удобства работы с устройствами, и поэтому стандарт UFS непрерывно совершенствуется и развивается.

Благодаря последовательному интерфейсу UFS-устройства поддерживают полнодуплексный режим, позволяющий одновременно выполнять чтение и запись данных между главным процессором и UFS-устройством. Создавая стандарт UFS 3.0, ассоциация JEDEC, мировой лидер в разработке стандартов для отрасли микроэлектроники, усовершенствовала предыдущие версии стандарта UFS, чтобы помочь проектировщикам устройств добиться значительного улучшения характеристик мобильных устройств и других подобных систем.

Новые устройства объединяют 96-слойную 3D флэш-память BiCS FLASH и контроллер в корпусе стандарта JEDEC размером 11,5 x 13 мм. Контроллер выполняет коррекцию ошибок, нивелирование износа, трансляцию логических адресов в физические и управление поврежденными блоками, что облегчает разработку систем.

Все три устройства соответствуют требованиям стандарта JEDEC UFS вер. 3.0, включая HS-GEAR4 с теоретической скоростью работы интерфейса до 11,6 ГБит в секунду на линию (23.2 ГБит/с при двух линиях), и поддерживают функции предотвращения увеличения энергопотребления. Скорость последовательного чтения и записи устройства емкостью 512 ГБ увеличена примерно на 70 и 80 процентов, соответственно, по сравнению с устройствами Toshiba предыдущего поколения емкостью 256 ГБ.

Toshiba была первой компанией, представившей устройства UFS, и поставляет эти устройства на рынок с 2013 года. Вывод на рынок этих UFS вер. 3.0 позволяет Toshiba сохранять лидирующие позиции в области хранилищ для мобильных устройств следующего поколения, позволяя им продолжать развиваться и совершенствоваться.

Образцы новых устройств будут представлены на стенде Toshiba (зал 3A - 424) на выставке и конференции Embedded World 2019 (26-28 февраля - г. Нюрнберг, Германия).

Примечания:

[1] Поставки образцов устройства объемом 128 ГБ начнутся сегодня, а остальная часть этой линейки устройств постепенно начнет появляться на рынке после марта. Спецификация образцов и коммерческих продуктов может различаться.

[2] Плотность записи устройства определяется в зависимости от плотности записи используемых микросхем памяти, а не объема памяти, доступного для хранения данных конечному пользователю. Используемая пользователем емкость будет меньше из-за областей служебных данных, форматирования, поврежденных блоков и других ограничений, и также может варьироваться в зависимости от хост-устройства и применения. Для получения подробной информации, пожалуйста, см. спецификации соответствующих продуктов. 1 ГБ = 230 байт = 1,073,741,824 байта.

###

О Toshiba Memory Europe GmbH

Мы, Toshiba Memory Europe GmbH - европейское подразделение Toshiba Memory Corporation. Наша компания в дополнение к твердотельным накопителям (SSD) предлагает широкий ассортимент продуктов флэш-памяти, включая SD-карты, USB-накопители и компоненты встраиваемой памяти. Наша компания имеет офисы в Германии, Франции, Испании, Швеции и Великобритании. Президент - Масару Такеучи.

Ссылки на новости