Toshiba Memory запускает новую NAND память с последовательным интерфейсом

NAND устройства второго поколения поддерживают высокоскоростную передачу данных и предлагают увеличенные производительность и емкость для встраиваемых применений

  • г. Дюссельдорф, Германия, 26 сентября 2019 г.

Toshiba Memory Europe GmbH (TME) анонсировала сегодня запуск второго поколения NAND флэш-памяти для встраиваемых решений, которое отличается повышенной емкостью и производительностью[1]. Благодаря высокой скорости передачи данных новые продукты Serial Interface NAND совместимы с популярным интерфейсом SPI и подходят для применения в широком спектре потребительских, промышленных и коммуникационных решений. Отгрузка образцов начинается с сегодняшнего дня, а массовое производство по плану должно начаться с октября.

Toshiba Memory Corporation: Second-generation Serial Interface NAND Products

По мере того, как уменьшаются габариты устройств Интернета Вещей и сферы коммуникаций, растёт спрос на флэш-память в миниатюрных корпусах с малым количеством контактов, которая может обеспечить высокую скорость передачи данных. Благодаря совместимости с широко распространённым интерфейсом SPI, продукты линейки Serial Interface NAND могут использоваться там, где необходима SLC NAND флэш-память высокой емкости, с малым количеством контактов и в компактном корпусе.

Для обеспечения высокой скорости передачи данных, новые продукты Serial Interface NAND второго поколения отличаются повышенной по сравнению с первым поколением[1] производительностью, работой на частоте 133 МГц и режимом записи x4. Помимо этого, чтобы удовлетворить спрос на большие объёмы памяти, в представленную линейку входит решение ёмкостью 8 ГБит[2] (1 гигабайт[2]). Вся линейка выпускается в 8-контактных корпусах типоразмера WSON[3] размером 6 x 8 мм.

Ключевые особенности:
 

  • Емкости: <1 – 8 гигабит (Гбит)/li>
  • размер страницы 2кБ (1/2 ГБит) и 4кБ (4/8 ГБит) для повышения эффективности чтения и записи операционной системой
  • x4 режимы чтения и записи для высокоскоростной записи и доступа
  • ECC и защита данных выявляет инвертирование разрядов и обеспечивает защиту выделенных блоков
  • Функция Parameter Page для подробной информации об устройстве

"Сложность встраиваемых устройств и требования к их габаритам постоянно растут, поэтому разработчикам требуются гибкость и производительность, которые может обеспечить новая флэш-память Serial Interface NAND,", - сказал Аксель Стоерманн, вице-президент Toshiba Memory Europe GmbH. "Выбирая продукцию Toshiba, компании-создателя флэш-памяти NAND и лидера в сфере 3D флэш-памяти, они выбирают инновационные технологии, компактные размеры и надёжность, от которых в итоге выигрывают и конечные потребители."

Отгрузка тестовых экземпляров начинается уже сегодня, а массовые поставки продукта запланированы на начало октября 2019 года.

Примечания:

[1] По сравнению с продуктами Serial Interface NAND производства Toshiba Memory первого поколения. Данные исследования ToshibaMemory.
[2] Емкость продукта определяется на основе емкости установленных в нём микросхем памяти, а не доступного конечным пользователям объёма памяти для хранения данных. Используемая пользователем емкость будет меньше из-за областей служебных данных, форматирования, поврежденных блоков и других ограничений, и также может варьироваться в зависимости от хост-устройства и применения. Для получения подробной информации, пожалуйста, см. спецификации соответствующих продуктов.
[3] Корпус WSON: Very-Very thin Small Outline No Lead Package

Все названия компаний, продуктов и услуг, упомянутые здесь, могут являться товарными знаками соответствующих компаний.

При каждом упоминании продуктов Toshiba Memory: Плотность записи устройства определяется в зависимости от плотности записи используемых микросхем памяти, а не объема памяти, доступного для хранения данных конечному пользователю. Используемая пользователем емкость будет меньше из-за областей служебных данных, форматирования, поврежденных блоков и других ограничений, и также может варьироваться в зависимости от хост-устройства и применения. Для получения подробной информации, пожалуйста, см. спецификации соответствующих продуктов. 1 ГБит = 230 бит = 1,073,741,824 бита. 1 ГБ = 230 байт = 1,073,741,824 байта. 1 КБ = 210 байт = 1,024 байта.

###

О Toshiba Memory Europe GmbH

Мы, Toshiba Memory Europe GmbH - европейское подразделение Toshiba Memory Corporation. Наша компания в дополнение к твердотельным накопителям (SSD) предлагает широкий ассортимент продуктов флэш-памяти, включая SD-карты, USB-накопители и компоненты встраиваемой памяти. Наша компания имеет офисы в Германии, Франции, Испании, Швеции и Великобритании. Президент - Масару Такеучи.

Ссылки на новости