Toshiba теперь отправляет образцы 64-слойной 512-гигабитной 3D флэш-памяти

Увеличивает линейку благодаря чипу BiCS FLASH с самой большой емкостью

  • Токио, Япония, 22 февраля 2017 г.

Toshiba Corporation (ТОКИО: 6502) сегодня представила новейшее дополнение в своей ведущей в отрасли линейке трехмерной флэш-памяти BiCS FLASH с объемной компоновкой ячеек [1] . Это 64-слойное устройство, обеспечивающее 512 гигабит ( 64 гигабайта) с технологией 3-бита-на-ячейку (трехуровневая ячейка, TLC). Новое устройство будет применяться в приложениях, где требуются корпоративные и потребительские SSD накопители. Пробные поставки чипа начались в этом месяце, а массовое производство запланировано на вторую половину этого календарного года.

Toshiba продолжает совершенствовать BiCS FLASH, и следующей вехой развития этой технологии является крупнейший в отрасли[2], 1-терабайтный продукт с архитектурой 16-чиповой объемной компоновки в одном корпусе. Планируется, что запуск образцов начнется в апреле 2017 года.

Для нового 512-гигабитного устройства компания Toshiba развернула передовой 64-слойный процесс объемной компоновки, позволяющий реализовать на 65% большую емкость, чем у 48-слойного 256-гигабитного (32-гигабайтного) устройства с тем-же размером чипа, что увеличило плотность компоновки, снижая стоимость в расчете на бит информации.

Компания Toshiba, занимающаяся производством памяти, уже массово производит 64-слойные 256-гигабитные (32 гигабайтные) устройства и планирует расширить производство BiCS FLASH продуктов. Это позволит развивать 3D-технологии в сторону увеличения плотности и улучшения техпроцессов производства с целью удовлетворения потребностей рынка.

Примечания:

[1] Структура, создаваемая объемной компоновкой чипов флэш-памяти для существенного увеличения плотности, по сравнению с планарной флэш-памятью NAND, где ячейки располагаются на одной кремниевой подложке.
[2] По состоянию на 22 февраля 2017 г. Обзор Toshiba

BiCS FLASH является зарегистрированным товарным знаком Toshiba Corporation.