Toshiba Memory разрабатывает первую в мире QLC 3D флеш-память

Достигая самой большой в мире емкости в размере 1,5 ТБ в одном корпусе с чипом BiCS FLASH

  • г. Дюссельдорф, Германия, 28 июня 2017 г.

Toshiba Memory Corporation, мировой лидер в области цифровых устройств хранения данных, сегодня объявила о разработке первой в мире[1] трехмерной (3D) флэш-памяти BiCS FLASH[2] с объемно компонуемой структурой. Новейшее BiCS FLASH устройство является первым, в котором реализована технология 4-бита-на-ячейку (четырехуровневая ячейка, QLC), которая увеличивает емкость, по сравнению с устройствами трехуровневой ячейки (TLC), и расширяет границы технологии флэш-памяти.
 

Мультибитовая ячейка флэш-памяти хранит данные, управляя количеством электронов в каждой отдельной ячейке памяти. Достижение QLC технологии поставило ряд технических проблем, поскольку увеличение числа бит-на-ячейку на один бит в пределах одного и того же числа электронов требует вдвое большей точности технологии TLC. Toshiba Memory использует свои передовые возможности проектирования схем и ведущую в отрасли технологию обработки 64-слойной флэш-памяти для создания QLC 3D флэш-памяти.
 

Прототип обладает самой большой в мире емкостью чипа [3] (768 гигабит / 96 гигабайт) с 64-слойной трехмерной флэш-памятью. Поставка прототипов производителям SSD накопителей и SSD контроллеров для оценки и разработки началась в начале июня.
 

3D QLC флэш-память также позволяет создать 1,5-терабайтное (ТБ) устройство с архитектурой 16-чиповой объемной компоновки в одном корпусе - самой большой емкости в отрасли [4] . Образцы этого новаторского устройства будут продемонстрированы на Flash Memory Summit 2017 в г. Санта-Клара, штат Калифорния, США, 7-10 августа.
 

Toshiba Memory уже массово производит 64-слойные 256-гигабитные (32-гигабайта) устройства, и по мере расширения массового производства она продолжит демонстрировать лидерство в отрасли, опережая развитие технологий. Новое устройство QLC, ориентированное на удовлетворение растущего спроса на решения в области флэш-памяти меньшего размера, с большей плотностью компоновки, предназначено для таких приложений, как корпоративные SSD, потребительские SSD и карты памяти.

Примечания:

[1] Источник: Toshiba Memory Corporation, по состоянию на 28 июня 2017 г.
[2] Структура, создаваемая объемной компоновкой чипов флэш-памяти для существенного увеличения плотности, по сравнению с планарной флэш-памятью NAND, где ячейки располагаются на одной кремниевой подложке.
[3] Источник: Toshiba Memory Corporation, по состоянию на 28 июня 2017 г.
[4] Источник: Toshiba Memory Corporation, по состоянию на 28 июня 2017 г.

Названия компаний, продуктов и услуг, упомянутые здесь, могут являться товарными знаками соответствующих компаний.

Ссылки на новости