Toshiba Memory представляет 96-слойную 3D флэш-память

Четвертое поколение BiCS FLASH памяти Toshiba Memory Corporation добавляет слои, увеличивает емкость

  • г. Дюссельдорф, Германия, 28 июня 2017 г.

Toshiba Memory Corporation, мировой лидер в области цифровых устройств хранения данных, сегодня объявила о создании образца прототипа 96-слойной BiCS FLASH памяти с объемной компоновкой[1], с использованием 3-бита-на-ячейку (triple-level cell, TLC) технологии. Образцы нового 96-слойного продукта, который представляет собой устройство на 256 гигабит (32 гигабайта), планируется выпустить во второй половине 2017 года, а массовое производство запланировано на 2018 год. Новое устройство отвечает требованиям рынка и спецификациям производительности для применений, которые включают корпоративные и потребительские SSD накопители, смартфоны, планшеты и карты памяти.
 

В ближайшем будущем Toshiba Memory Corporation планирует применить свою новую 96-слойную технологию для продуктов с большей емкостью, таких как память емкостью 512 гигабит (64 гигабайта) с технологией 4-бита-на-ячейку (четырехуровневая ячейка, QLC).
 

Инновационный 96-слойный процесс компоновки, в сочетании со схемотехническими и технологическими улучшениями, позволяет повысить емкость чипа примерно на 40%, по сравнению с чипом того-же размера с 64-слойной структурой. Новая технология снижает стоимость в расчете на единицу информации и увеличивает информационный объем в расчете на одну кремниевую пластину.
 

С момента анонса первого в мире прототипа технологии [2] для создания 3D флеш-памяти в 2007 году, Toshiba Memory Corporation продолжает развивать технологию 3D флеш-памяти и активно продвигает BiCS FLASH для удовлетворения спроса на изделия с большей емкостью и с меньшим размером чипов.
 

Эта 96-слойная BiCS FLASH память будет производиться на заводе Yokkaichi в Fab 5, а также новых Fab 2 и Fab 6, которые откроются летом 2018 года.

Примечания:

[1] Структура, создаваемая объемной компоновкой чипов флэш-памяти для существенного увеличения плотности, по сравнению с планарной флэш-памятью NAND, где ячейки располагаются на одной кремниевой подложке.
[2] Источник: Toshiba Memory Corporation, по состоянию на 12 июня 2007 г. 

Названия компаний, продуктов и услуг, упомянутые здесь, могут являться товарными знаками соответствующих компаний.

Ссылки на новости