Toshiba Memory представляет XL-FLASH — решение в области памяти класса хранилища

Высокопроизводительная NAND память, которая экономически эффективно снижает задержку.

г. Дюссельдорф, Германия, 5 августа 2019 г.

Компания Toshiba Memory Europe (TME) сегодня объявила о запуске в производство нового решения в области памяти класса хранилища (Storage Class Memory, SCM): XL-FLASH. Оно создано на основе собственной инновационной технологии 1-бит-на-ячейку (SLC) 3D флэш-памяти BiCS FLASH и обеспечивает низкую задержку и высокую производительность, столь востребованные в дата-центрах и корпоративных хранилищах данных.

XL-FLASH, представляющее собой память класса хранилища (или энергонезависимую память), сохраняет содержимое аналогично флеш-памяти NAND и устраняет разрыв в производительности между памятью типов DRAM и NAND. Энергозависимая память, такая, как DRAM, обеспечивает необходимую скорость для работы приложений с высокими требованиями, но такая производительность связана с высокими затратами.

Когда стоимость DRAM-решений в расчете на бит данных становится слишком высокой, а возможности масштабирования сходят на нет, SCM уровень в иерархии запоминающих устройств позволяет решить эту проблему, предлагая экономически эффективное решение в виде энергонезависимой NAND флэш-памяти с высокой плотностью хранения данных. Аналитическая компания IDC прогнозирует, что в 2022 году рынок SCM-устройств превысит 3 миллиарда долларов США^[1].

Находясь между DRAM и NAND флэш-памятью, решение XL-FLASH обеспечивает рост скорости, снижение задержки и увеличение емкости устройств хранения данных при более низкой стоимости по сравнению с традиционной DRAM-памятью. Первоначально XL-FLASH будет выпускаться в формате SSD, но впоследствии может быть реализовано решение и в формате устройств, подключенных к каналу памяти на шине DRAM, таких как энергонезависимые двухрядные модули памяти (NVDIMM), которые должны в будущем стать промышленным стандартом.

Ключевые особенности:

чип емкостью 128 гигабит (Гбит) (по 2, 4 или 8 чипов в одном корпусе)
размер страницы 4 КБ для повышения эффективности чтения и записи операционной системой
16-секционная архитектура для более эффективной параллельной работы
Быстрые чтение и запись страниц – память XL-FLASH обладает низкой задержкой чтения — менее 5 микросекунд, что примерно в 10 раз быстрее по сравнению с существующей памятью TLC^[2]

В качестве создателя NAND флэш-памяти, первой компании, представившей технологию 3D флэш-памяти, и лидера по смене технологических процессов, компания Toshiba Memory находится в максимально благоприятных условиях для выпуска SCM устройств на основе памяти SLC, обладая сформировавшейся производственной инфраструктурой, отработанной масштабируемостью и проверенной временем надежностью выпускаемой памяти SLC.

"XL-FLASH — самое высокопроизводительное выпускаемое сегодня NAND решение благодаря нашей флэш-памяти BiCS FLASH, работающей в режиме SLC,", - отметил Аксель Стоерманн, вице-президент компании Toshiba Memory Europe. "Размещая в ячейке только один бит, нам удалось значительно повысить производительность. А поскольку память XL-FLASH основана на проверенных технологиях, которые уже используются в серийном производстве, применяя XL-FLASH в качестве решения в сфере памяти класса хранилища, наши клиенты смогут сократить время вывода продукции на рынок."

Поставки ознакомительных образцов начнутся в сентябре 2019 г., а начало серийного производства запланировано на 2020 г.

Примечания:

[1] IDC, май 2019 г. - Worldwide Solid State Drive Forecast, 2019-2023, («Глобальный прогноз рынка твердотельных накопителей на 2019–2023 г.»), документ № US43828819
[2] По сравнению с памятью NAND TLC компании Toshiba Memory Corporation, имеющей задержку чтения примерно 50 микросекунд.

Заявление о самой производительной выпускаемой NAND памяти основано на том факте, что чип был специально спроектирован (16 секций) для увеличения производительности по сравнению с памятью NAND TLC.

Все названия компаний, продуктов и услуг, упомянутые здесь, могут являться товарными знаками соответствующих компаний.

Во всех упоминаниях изделий компании Toshiba Memory: Плотность записи устройства определяется в зависимости от плотности записи используемых микросхем памяти, а не объема памяти, доступного для хранения данных конечному пользователю. Используемая пользователем емкость будет меньше из-за областей служебных данных, форматирования, поврежденных блоков и других ограничений, и также может варьироваться в зависимости от хост-устройства и применения. Для получения подробной информации, пожалуйста, см. спецификации соответствующих продуктов. 1 ГБит = 2³⁰ бит = 1,073,741,824 бита. 1 ГБ = 2³⁰ байт = 1,073,741,824 байта. 1 KB = 2¹⁰ байт = 1,024 байта.

###

О Toshiba Memory Europe GmbH

Мы, Toshiba Memory Europe GmbH - европейское подразделение Toshiba Memory Corporation. Наша компания в дополнение к твердотельным накопителям (SSD) предлагает широкий ассортимент продуктов флэш-памяти, включая SD-карты, USB-накопители и компоненты встраиваемой памяти. Наша компания имеет офисы в Германии, Франции, Испании, Швеции и Великобритании. Президент - Масару Такеучи.

Ссылки на новости

English