Please select your location and preferred language where available.
KIOXIA BiCS FLASH™ 3D flash memória
A flash memória innovációjának új korszaka
A több mint 35 évvel ezelőtt feltalált NAND flash memóriának köszönhetően a KIOXIA ma az iparág vezető flash memória beszállítója – és továbbra is a technológia fejlesztésén dolgozik. A 2007-ben bevezetett, forradalmi KIOXIA BiCS FLASH™ 3D flash memória a vertikális rétegezés és a laterális skálázás ötvözése révén jelentősen növelte az egységnyi területre eső memóriacellák számát, tovább erősítve ezáltal a vállalat technológiai innovációs vezetőként szerzett hírnevét. Ez az áttörést jelentő flash memória architektúra képes kielégíteni a nagyobb tárolási sűrűség és teljesítmény iránti folyamatos igényt.
BiCS FLASH™ 3D flash memória – Kifejezetten az Ön alkalmazási területéhez fejlesztve
A KIOXIA 3D flash memória "BiCS FLASH™" egy áttörést jelentő innováció, amely megfelel az adatközpontú alkalmazások, például a fejlett okostelefonok, számítógépek, SSD-k és adatközpontok igényeinek. A nagy teljesítmény, a nagy sűrűség és a költséghatékonyság követelményeinek való megfelelés érdekében számos fejlett technológiát optimalizáltunk. Ezek közé tartozik a CBA (CMOS directly Bonded to Array) technológia a front-end folyamatban és az összeszerelési technológia a back-end folyamatban.
A KIOXIA "BiCS FLASH™" 3D flash memória egy áttörést jelentő innováció, amely megfelel az adatközpontú alkalmazások, például a fejlett okostelefonok, számítógépek, és adatközpontok igényeinek. A nagy sűrűség és teljesítmény iránti igények kielégítése érdekében a BiCS FLASH™ minden generációja elődei fejlesztéseire és technológiai innovációira épül, hogy tőketervezési szempontokat is figyelembe véve megfeleljen az egyes alkalmazási területek speciális követelményeinek. Bízhat abban, hogy a KIOXIA 3D flash memória termékek segítségével eleget tud tenni a modern technológiai eszközök és alkalmazások gyorsan növekvő tárolási és teljesítményigényeinek.
A BiCS FLASH™ termékek minden generációja hozzájárul ahhoz, hogy a Kioxia fenntartható technológiai megoldásokat tudjon kínálni szerte a világon.
Fedezze fel a KIOXIA BiCS FLASH™ technológiát és stratégiát (videó)
BiCS FLASH™ 3D flash memória migrációs stratégia
Amikor egy 3D flash memóriában a rétegszám túllép egy bizonyos ponton, elkezd romlani a teljesítmény és az energiahatékonyság. E negatív hatások leküzdése érdekében bevezetett különböző technológiai fejlesztései révén a KIOXIA újabb és újabb áttöréseket ért el. A BiCS FLASH™ 8. generációja nyomán ma már párhuzamosan fejlesztjük a 9. és 10. generációt.
BiCS FLASH™ migráció több csomóponttal, a sokrétű igények kielégítésére
- „gen.” a BiCS FLASH™ egyik generációját jelöli.
Amint az a fenti ábrán is látható, a KIOXIA egyidejűleg elérhetővé teszi a BiCS FLASH™ technológia több generációját, amelyek mindegyikét a sűrűségre, a teljesítményre és az energiahatékonyságra vonatkozó konkrét követelmények teljesítése érdekében fejlesztettünk ki. A KIOXIA két pilléren nyugvó stratégiája egy olyan üzleti és technológiai megközelítés, amelynek jegyében két különálló 3D flash memória termékvonalat fejlesztünk a különböző piaci igények kielégítésére, így nagy teljesítményű flash memóriákat tudunk kínálni alkalmazások széles köréhez.
A BiCS FLASH™ technológia előnyeit kihasználó alkalmazási területek
Nyolcadik generációs BiCS FLASH™ – páratlan előnyöket kínáló új architektúra
Két új technológia – a CMOS directly Bonded to Array (CBA) és az On Pitch Select Gate (OPS) – alkalmazásával jelentős fejlesztéseket végeztünk a flash memória gyártási folyamatában, e fejlesztések eredményeként született meg a nyolcadik generációs BiCS FLASH™. Egyszerűen fogalmazva, a CBA és az OPS olyan gyártási és tervezési technikák, amelyek növelik a sűrűséget, a teljesítményt és az energiahatékonyságot.
A nyolcadik generációs BiCS FLASH™ ideális technológiai megoldást kínál mindazon ügyfeleink számára, akiknek az adatintenzív alkalmazások és a mesterséges intelligencia robbanásszerű fejlődése miatt megnövekedtek tárolási igényeik.
A nyolcadik generációs BiCS FLASH™ előnyei a 6. generációhoz képest
A BiCS FLASH™ technológia következő generációi
Kilencedik generációs BiCS FLASH™
Lenyűgöző teljesítmény és energiahatékonyság
A kilencedik generációs BiCS FLASH™ 512 Gb és 1 Tb TLC (háromszintű cellás) technológiát kifejezetten az alacsony-közepes tárolókapacitást igénylő, ugyanakkor magas teljesítményt és kiemelkedő energiatakarékosságot megkövetelő alkalmazásokhoz fejlesztettük ki. A kilencedik generációs BiCS FLASH™ termékek a már meglévő CBA és OPS technológiákat hasznosítják a termelési hatékonyság növelése, valamint a csúcskategóriás flash memória megoldások biztosítása érdekében.
- A képen egy 1 Tb TLC memóriaeszköz látható.
Tizedik generációs BiCS FLASH™
A 3D flash memória jövője
A tizedik generációs BiCS FLASH™ termékek a kilencedik generációban is meglévő CMOS technológiát alkalmazzák, miközben több memóriaréteget tartalmaznak, hogy megfeleljenek a nagyobb kapacitású, nagy teljesítményű megoldások iránti jövőbeli igényeknek. Iparágvezető, 332 réteges technológiájával – ami 1,5-szer meghaladja a 8. generáció rétegszámát – a KIOXIA továbbra is jelentős előrelépéseket tesz a flash memória adatsűrűsége és energiahatékonysága terén.
Innovatív technológiák, amelyek utat nyitnak a kapacitásnövelés felé
A BiCS FLASH™ termékek jelenlegi generációiban fellelhető főbb fejlesztések több különböző úttörő technológiai innováción alapulnak. A sűrűség, a teljesítmény és az energiahatékonyság terén elért javulást a flash memória tervezési és összeszerelési folyamatainak fejlesztése révén értük el. Fedezze fel, hogyan alakítja a CBA, az OPS és a 32 chipes összeszerelési technológia a 3D flash memóriák jövőjét.
Termékek alkalmazások szerint
Legyen szó autóipari alkalmazásokról vagy kompakt, nagy teljesítményű számítógépekről, felhőszerverekről vagy hiperskálájú adatközpont-telepítésekről, fejlett nagy teljesítmény, nagy sűrűség, alacsony teljesítmény, alacsony késleltetés, megbízhatóság és még sok más biztosításával – a KIOXIA memória- és tárolási megoldásai lehetővé teszik a feltörekvő alkalmazások sikerét, és lehetővé teszik a meglévő technológiák számára, hogy elérjék az elvárt potenciáljukat.
Tanulás és értékelés
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
