Please select your location and preferred language where available.
„BiCS FLASH™” 3D flash memória
A KIOXIA flash alapú termékeket kínál a következő generációs tárolási alkalmazásokhoz. A több mint 35 évvel ezelőtt feltalált NAND flash memóriának köszönhetően a KIOXIA ma a világ egyik legnagyobb flash memória beszállítója – és továbbra is a technológia fejlesztésén dolgozik.
A KIOXIA BiCS FLASH™ technológia élen jár úttörő architekturális innovációjával
A KIOXIA BiCS FLASH™ 8. generációs 3D flash memóriája 218 réteget és közvetlenül a tömbhöz (CBA) kötött CMOS-t használ, amely egy olyan architekturális innováció, amely megfelel az adatközpontú alkalmazások, például a fejlett okostelefonok, számítógépek, SSD-k és adatközpontok igényeinek. Amikor a teljesítmény, a nagy sűrűség és a költséghatékonyság fontos, a BiCS FLASH™ 3D flash memória a jó választás.
BiCS FLASH™ 8. generációs technológia – Miért a CBA?
A CBA technológiával minden egyes CMOS lapka és cellatömb lapka külön, optimalizált állapotban készül, majd összekötve nagyobb bitsűrűséget és gyors NAND I/O sebességet biztosít. A cella és a periféria külön-külön történő gyártása lehetővé teszi ezek optimalizálását, kiküszöbölve a cella megbízhatósága és az I/O sebesség közötti kompromisszumot – és jelentős ugrást jelent az energiahatékonyság, a teljesítmény, a sűrűség, a költséghatékonyság és a fenntarthatóság terén.*1
Interjú
A nagy sűrűségű 3D flash memória a nagy pontosságú lapkakötéssel új értéket teremt a tárolásban
Az elmúlt években a flash memóriagyártók elsősorban olyan technológiák kifejlesztésére összpontosítottak, amelyek növelik a memóriacellák rétegeinek számát és növelik a memóriasűrűséget. Minden alkalommal, amikor új generációs flash memóriát adnak ki, a rétegek száma növekszik, egyes termékek már több mint 200 réteggel büszkélkednek. Atsushi Inoue, a KIOXIA Memóriarészlegének elnökhelyettese azonban kifejtette: „A memóriacellák rétegeinek növelése csak egy módja a kapacitás és a memóriasűrűség növelésének, és nem csak a rétegek száma foglalkoztat minket.”
BiCS FLASH™ technológiák
Fő jellemzők*
Nagyobb tárolási sűrűség lapkánként, mint a hagyományos flash memória esetén
Nagy olvasási/írási sebesség
Nagyobb megbízhatóság, mint a 2D (sík) NAND esetében
Alacsony energiafogyasztás
* A 2D sík technológiával összehasonlítva
Céleszközök
Adatközpont hatékonysága
A BiCS FLASH™ 3D flash memória a legnagyobb kihívást jelentő adatközponti problémák megoldására lett tervezve:
A 3D flash memória működésének elve
A 3D flash memória működésének elvét CG (számítógéppel generált) animációval magyarázzuk, amely összeveti azzal, ahogyan a nap süt (japánul angol felirattal).
A KIOXIA skálázható BiCS FLASH™ 3D flash memóriatechnológia az eddig elért legmagasabb szintre emeli a memória kapacitását*2
TLC (háromszintű cella) és QLC (négyszintű cella) technológia
A BiCS FLASH™ 3D flash memóriás termékcsalád mind a cellánkénti 3 bites (TLC), mind a cellánkénti 4 bites (QLC) technológiát tartalmazza. A QLC technológia jelentősen növeli a kapacitást azáltal, hogy háromról négyre bővíti a memóriacella-adatok bitszámát. A BiCS FLASH™ QLC technológia segítségével 4 terabájtos (TB) kapacitás érhető el egyetlen csomagban, 16 lapkás szerkezetben.
Vezető szerepet játszik a nagyobb memóriasűrűség és hatékonyság felé vezető úton
A KIOXIA volt az egyik első iparági szereplő, aki elképzelte és felkészült az SLC technológia sikeres migrációjára az MLC-re, az MLC-ről a TLC-re, most pedig a TLC-ről a QLC-re.
A KIOXIA QLC technológia ideális a nagy sűrűségű, alacsonyabb költségű tárolási megoldásokat igénylő alkalmazásokhoz. A mai QLC csökkenti a lábnyomot az egyetlen csomagban elérhető legnagyobb sűrűséggel lehetővé téve a tárolási megoldás méretezését.
- A BiCS FLASH™ 3D TLC flash memória korábbi generációjával képest a jellemzők és jellemző használati teljesítménybeli fejlesztések.
- Forrás: KIOXIA - 2024. július 3. sajtóközlemény
Products by Applications
Whether it’s automotive applications or compact high performance-oriented PCs or cloud server and hyperscale data center deployments, by delivering advanced high performance, high density, low power, low latency, reliability and more—KIOXIA memory and storage solutions enable the success of emerging applications and allow existing technologies to reach their expected potential.
Tanulás és értékelés
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
