Please select your location and preferred language where available.
„BiCS FLASH™” 3D flash memória
A KIOXIA flash alapú termékeket kínál a következő generációs tárolási alkalmazásokhoz. A több mint 35 évvel ezelőtt feltalált NAND flash memóriának köszönhetően a KIOXIA ma a világ egyik legnagyobb flash memória beszállítója – és továbbra is a technológia fejlesztésén dolgozik.
A KIOXIA technológia vezető szerepet tölt be a nagy kapacitású tárolásban
A KIOXIA 3D flash memória "BiCS FLASH™" egy áttörést jelentő innováció, amely megfelel az adatközpontú alkalmazások, például a fejlett okostelefonok, számítógépek, SSD-k és adatközpontok igényeinek. A nagy teljesítmény, a nagy sűrűség és a költséghatékonyság követelményeinek való megfelelés érdekében számos fejlett technológiát optimalizáltunk. Ezek közé tartozik a CBA (CMOS directly Bonded to Array) technológia a front-end folyamatban és az összeszerelési technológia a back-end folyamatban.
CBA technológia a front-end folyamatban
A CBA technológiával minden egyes CMOS lapka és cellatömb lapka külön, optimalizált állapotban készül, majd összekötve nagyobb bitsűrűséget és gyors NAND I/O sebességet biztosít. A cella és a periféria külön-külön történő gyártása lehetővé teszi ezek optimalizálását, kiküszöbölve a cella megbízhatósága és az I/O sebesség közötti kompromisszumot – és jelentős ugrást jelent az energiahatékonyság, a teljesítmény, a sűrűség, a költséghatékonyság és a fenntarthatóság terén.*1
Interjú
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
Összeszerelési technológia a back-end folyamatban
A KIOXIA egy nagy kapacitású, 8 TB-os flash memóriát fejlesztett ki azáltal, hogy egyetlen tokon belül 32 darab, egyenként 2 Tb kapacitású flash memória lapkát épített össze. Ezt a memóriamegoldást a fejlett back-end folyamataink tették lehetővé, beleértve a lapkavékonyítást, az anyagtervezést és a huzalkötési technológiákat.
Interjú
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
BiCS FLASH™ 8. generációs technológia – Miért a CBA?
A CBA technológiával minden egyes CMOS lapka és cellatömb lapka külön, optimalizált állapotban készül, majd összekötve nagyobb bitsűrűséget és gyors NAND I/O sebességet biztosít. A cella és a periféria külön-külön történő gyártása lehetővé teszi ezek optimalizálását, kiküszöbölve a cella megbízhatósága és az I/O sebesség közötti kompromisszumot – és jelentős ugrást jelent az energiahatékonyság, a teljesítmény, a sűrűség, a költséghatékonyság és a fenntarthatóság terén.*1
BiCS FLASH™ technológiák
Fő jellemzők*
Nagyobb tárolási sűrűség lapkánként, mint a hagyományos flash memória esetén
Nagy olvasási/írási sebesség
Nagyobb megbízhatóság, mint a 2D (sík) NAND esetében
Alacsony energiafogyasztás
* A 2D sík technológiával összehasonlítva
Célalkalmazások
Adatközpont hatékonysága
A BiCS FLASH™ 3D flash memória a legnagyobb kihívást jelentő adatközponti problémák megoldására lett tervezve:
A 3D flash memória működésének elve
A 3D flash memória működésének elvét CG (számítógéppel generált) animációval magyarázzuk, amely összeveti azzal, ahogyan a nap süt (japánul angol felirattal).
A KIOXIA skálázható BiCS FLASH™ 3D flash memóriatechnológia az eddig elért legmagasabb szintre emeli a memória kapacitását*2
TLC (háromszintű cella) és QLC (négyszintű cella) technológia
A BiCS FLASH™ 3D flash memóriás termékcsalád mind a cellánkénti 3 bites (TLC), mind a cellánkénti 4 bites (QLC) technológiát tartalmazza. A QLC technológia jelentősen növeli a kapacitást azáltal, hogy háromról négyre bővíti a memóriacella-adatok bitszámát. A BiCS FLASH™ QLC technológia segítségével 4 terabájtos (TB) kapacitás érhető el egyetlen csomagban, 16 lapkás szerkezetben.
Vezető szerepet játszik a nagyobb memóriasűrűség és hatékonyság felé vezető úton
A KIOXIA volt az egyik első iparági szereplő, aki elképzelte és felkészült az SLC technológia sikeres migrációjára az MLC-re, az MLC-ről a TLC-re, most pedig a TLC-ről a QLC-re.
A KIOXIA QLC technológia ideális a nagy sűrűségű, alacsonyabb költségű tárolási megoldásokat igénylő alkalmazásokhoz. A mai QLC csökkenti a lábnyomot az egyetlen csomagban elérhető legnagyobb sűrűséggel lehetővé téve a tárolási megoldás méretezését.
- A BiCS FLASH™ 3D TLC flash memória korábbi generációjával képest a jellemzők és jellemző használati teljesítménybeli fejlesztések.
- Forrás: KIOXIA - 2024. július 3. sajtóközlemény
Termékek alkalmazások szerint
Legyen szó autóipari alkalmazásokról vagy kompakt, nagy teljesítményű számítógépekről, felhőszerverekről vagy hiperskálájú adatközpont-telepítésekről, fejlett nagy teljesítmény, nagy sűrűség, alacsony teljesítmény, alacsony késleltetés, megbízhatóság és még sok más biztosításával – a KIOXIA memória- és tárolási megoldásai lehetővé teszik a feltörekvő alkalmazások sikerét, és lehetővé teszik a meglévő technológiák számára, hogy elérjék az elvárt potenciáljukat.
Tanulás és értékelés
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
