Please select your location and preferred language where available.
Innovatív technológiák, amelyek utat nyitnak a kapacitásnövelés felé
A BiCS FLASH™ termékek jelenlegi generációiban fellelhető főbb fejlesztések több különböző úttörő technológiai innováción alapulnak. A sűrűség, a teljesítmény és az energiahatékonyság terén elért javulást a flash memória tervezési és összeszerelési folyamatainak fejlesztése révén értük el. Fedezze fel, hogy alakítja a CMOS directly Bonded to Array (CBA), az On Pitch Select Gate (OPS) és a 32 chipes összeszerelési technológia a 3D flash memóriák jövőjét.
Technológiák a front-end folyamatban
Interjú
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
OPS technológia
Hagyományosan a memóriacellák között léteztek kihasználatlan, úgynevezett töltelékterületek, ami csökkentette az adatsűrűséget. Az OPS technológia révén ezek a felesleges területek megszüntethetők, így több memóriacella fér el ugyanakkora helyen. Mindez jelentősen növeli az adatsűrűséget.
Összeszerelési technológia a back-end folyamatban
A KIOXIA egy nagy kapacitású, 8 TB-os flash memóriát fejlesztett ki azáltal, hogy egyetlen tokon belül 32 darab, egyenként 2 Tb kapacitású flash memória chipet épített egymásra. Ezt a memóriamegoldást a fejlett back-end folyamataink tették lehetővé, beleértve a lapkavékonyítást, az anyagtervezést és a huzalkötési technológiákat.
Interjú
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
A BiCS FLASH™ minden generációra jellemző technológiai alapjai
A BiCS FLASH™ 3D flash memória függőlegesen egymásra helyezett memóriacellákon alapul, ami jelentősen növeli a tárolási sűrűséget. Ez a felhőkarcolószerű architektúra áttöri a 2D (síkbeli) flash memóriák korlátait, amelyeknél a cellák egymás mellett helyezkednek el. A cellák közötti távolság növelése csökkenti a cellák közötti interferenciát, ami a 2D flash memóriákhoz képest nagyobb sűrűséget, jobb teljesítményt és hatékonyabb energiafelhasználást tesz lehetővé.
TLC (háromszintű cella) és QLC (négyszintű cella) technológia
A BiCS FLASH™ 3D flash memóriás termékcsalád mind a cellánkénti 3 bites (TLC), mind a cellánkénti 4 bites (QLC) technológiát tartalmazza. A QLC technológia jelentősen növeli a kapacitást azáltal, hogy háromról négyre bővíti a memóriacella-adatok bitszámát. A BiCS FLASH™ QLC technológia segítségével 4 terabájtos (TB) kapacitás érhető el egyetlen tokban, 16 chipes halmozott architektúrában.
A KIOXIA volt az egyik első iparági szereplő, aki elképzelte és felkészült az SLC technológia sikeres migrációjára az MLC-re, az MLC-ről a TLC-re, és a TLC-ről a QLC-re.
A KIOXIA QLC technológia ideális a nagy sűrűségű, alacsonyabb költségű tárolási megoldásokat igénylő alkalmazásokhoz. A mai QLC csökkenti a lábnyomot az egyetlen tokban elérhető legnagyobb sűrűséggel, lehetővé téve a tárolási megoldás méretezését.
Termékek alkalmazások szerint
Legyen szó autóipari alkalmazásokról vagy kompakt, nagy teljesítményű számítógépekről, felhőszerverekről vagy hiperskálájú adatközpont-telepítésekről, fejlett nagy teljesítmény, nagy sűrűség, alacsony teljesítmény, alacsony késleltetés, megbízhatóság és még sok más biztosításával – a KIOXIA memória- és tárolási megoldásai lehetővé teszik a feltörekvő alkalmazások sikerét, és lehetővé teszik a meglévő technológiák számára, hogy elérjék az elvárt potenciáljukat.
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
