Kép: cd8-v_001

Vegyes felhasználású adatközpont NVMe™ SSD

KIOXIA CD8-V széria egy vegyes felhasználású adatközpont NVMe™ SSD, amelyet úgy optimalizáltak, hogy támogassa a skálázott és felhőalapú alkalmazások széles skáláját, beleértve a big data/IoT-t, az online tranzakciófeldolgozást és a virtualizációt. A PCIe® 4.0 (16 GT/s x4) interfésszel rendelkező CD8-V szériájú SSD-k konzisztens teljesítményt nyújtanak akár 1250K IOPS (random olvasás) és 380K IOPS (random írás) teljesítményig.

A KIOXIA 112 rétegű BiCS FLASH™ 3D TLC flash memóriájával a 2,5 hüvelykes CD8-V SSD-k 3 DWPD (napi meghajtóírás) állóképességet és akár 12,8 TB tárolókapacitást biztosítanak 2,5 hüvelykes formátumban, így kiválóan alkalmasak hiperskálás adatközponti alkalmazásokhoz.

Dokumentumok

Fő jellemzők

  • PCIe®4.0, NVMe™ 1.4 specifikációnak megfelelő
  • Open Compute Project adatközponti NVMe™ SSD specifikáció v2.0 támogatás (nem minden követelmény)
  • Formátum: 2,5 hüvelyk, 15mm magasság
  • Szabadalmaztatott KIOXIA architektúra: vezérlő, firmware és 112 rétegű BiCS FLASH™ 3D TLC
  • Egyportos kialakítás, adatközponti osztályú munkaterhelésekhez optimalizálva
  • Következetes teljesítmény és megbízhatóság a megterhelő, a hét minden napján 24 órában elérhető környezetekben
  • Nagy sűrűségű tárolórendszerekhez tervezve
  • Áramkimaradás elleni védelem (PLP) és teljes körű adatkorrekció
  • Biztonsági opciók: SIE, SED[1][2][3][4]

 

Fő alkalmazások

  • Hiperskála
  • IoT és big data elemzés
  • Online tranzakciófeldolgozás (OLTP)
    (tranzakciós és relációs adatbázisok)
  • Virtualizált környezetek
  • Média streamelés és tartalomközvetítő hálózatok

Műszaki adatok

* Table can be scrolled horizontally.

Base Model NumberKCD81VUG12T8KCD81VUG6T40KCD81VUG3T20KCD81VUG1T60KCD81VUG800G
SIE Model NumberKCD8XVUG12T8KCD8XVUG6T40KCD8XVUG3T20KCD8XVUG1T60KCD8XVUG800G
SED Model NumberKCD8DVUG12T8KCD8DVUG6T40KCD8DVUG3T20KCD8DVUG1T60KCD8DVUG800G
Capacity12,800 GB6,400 GB3,200 GB1,600 GB800 GB
Basic Specifications
Form Factor2.5-inch, 15mm thickness
lnterfacePCIe® 4.0, NVMe™ 1.4
Maximum Interface Speed64 GT/s (PCIe® Gen4 x4)
Flash Memory TypeBiCS FLASH™ TLC
Performance (Up to)
Sustained 128 KiB Sequential Read6,600 MB/s7,100 MB/s7,200 MB/s
Sustained 128 KiB Sequential Write6,000 MB/s3,800 MB/s3,500 MB/s1,800 MB/s
Sustained 4 KiB Random Read1,050K IOPS1,150K IOPS1,250K IOPS1,000K IOPS
Sustained 4 KiB Random Write380K IOPS340K IOPS310K IOPS160K IOPS
Power Requirements
Supply Voltage12 V ± 10 %, 3.3 V ± 15 %
Power Consumption (Active)20 W typ.19 W typ.14 W typ.13 W typ.11 W typ.
Power Consumption (Ready)5 W typ.
Reliability
MTTF2,500,000 hours
Warranty5 years
DWPD3
Dimensions
Thickness15 mm +0 / -0.5 mm
Width69.85 mm ± 0.25 mm
Length100.45 mm Max
Weight130 g Max
Environmental
Temperature (Operating)0 ℃ to 74 ℃0 ℃ to 75 ℃
Temperature (Non-operating)-40 ℃ to 85 ℃
Humidity (Operating)5 % to 95 % R.H.
Vibration (Operating)21.27 m/s2 { 2.17 Grms } ( 5 to 800 Hz )
Shock (Operating)9.8 km/s2 { 1,000 G } ( 0.5 ms )
  • Product image may represent a design model.
  • Definition of capacity: KIOXIA Corporation defines a megabyte (MB) as 1,000,000 bytes, a gigabyte (GB) as 1,000,000,000 bytes and a terabyte (TB) as 1,000,000,000,000 bytes. A computer operating system, however, reports storage capacity using powers of 2 for the definition of 1 GB = 2^30 = 1,073,741,824 bytes and therefore shows less storage capacity. Available storage capacity (including examples of various media files) will vary based on file size, formatting, settings, software and operating system, and/or pre-installed software applications, or media content. Actual formatted capacity may vary.
  • GT/s: Giga Transfers per second.
  • A kibibyte (KiB) means 2^10, or 1,024 bytes.
  • MTTF (Mean Time to Failure) is not a guarantee or estimate of product life; it is a statistical value related to mean failure rates for a large number of products which may not accurately reflect actual operation. Actual operating life of the product may be different from the MTTF.
  • DWPD: Drive Writes Per Day. One full drive write per day means the drive can be written and re-written to full capacity once a day every day for the specified lifetime. Actual results may vary due to system configuration, usage and other factors.
  • Read and write speed may vary depending on various factors such as host devices, software (drivers, OS etc.), and read/write conditions.
  • IOPS: Input Output Per Second (or the number of I/O operations per second).
  • Temperature (operating): Specified by the composite temperature reported by SMART.
  • [1] Sanitize Instant Erase (SIE) and Self-Encrypting Drive (SED) security optional models are available.
  • [2] SIE optional model supports Crypto Erase, which is a standardized feature defined by the technical committees (SCSI) of INCITS (the InterNational Committee for Information Technology Standards).
  • [3] SED optional model supports TCG Opal and Ruby SSCs. It has a few unsupported features of TCG Opal SSC. For more details, please make inquiries through “Contact us”.
  • [4] Security optional models are not available in all countries due to export and local regulations.
  • All information provided here is subject to change without prior notice.
  • PCIe is a registered trademark of PCI-SIG.
  • NVMe is a registered or unregistered mark of NVM Express, Inc. in the United States and other countries.
  • Other company names, product names, and service names may be trademarks of third-party companies.

Support

Download

You can download past product information, white papers, and data sheets, etc.

Introducing technical glossary related to KIOXIA's products and technology including semiconductor memory and SSD.

Contact

Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.