Please select your location and preferred language where available.
UFS και e-MMC για καταναλωτές και βιομηχανικές εφαρμογές
Προηγμένες λύσεις ενσωματωμένης μνήμης: Ενίσχυση του παρόντος και του μέλλοντος των καταναλωτικών και βιομηχανικών εφαρμογών
Οι υψηλής χωρητικότητας ενσωματωμένες συσκευές μνήμης φλας UFS της KIOXIA ενσωματώνουν μνήμη φλας BiCS FLASH™ 3D και έναν ελεγκτή σε ένα μόνο πακέτο. Ο ενσωματωμένος ελεγκτής διαχειρίζεται τη διόρθωση σφαλμάτων, την ισοστάθμιση φθοράς, τη μετάφραση διευθύνσεων και την κακή διαχείριση μπλοκ, διευκολύνοντας την ανάπτυξη του συστήματος, μειώνοντας τις απαιτήσεις των επεξεργαστών, επιταχύνοντας τον χρόνο διάθεσης στην αγορά και βελτιώνοντας τη χρηστικότητα.
Αστραπιαία μπροστά: Το KIOXIA UFS 5.0 θέτει ένα νέο πρότυπο για την ταχύτητα και την αποδοτικότητα των κινητών συσκευών
Το UFS 5.0 ανεβάζει την ενσωματωμένη τεχνολογία αποθήκευσης σε άλλο επίπεδο, παρέχοντας ακόμη μεγαλύτερες ταχύτητες μεταφοράς και βελτιωμένη απόδοση ισχύος για μελλοντικά smartphone, tablet και κινητές συσκευές με τεχνητή νοημοσύνη. Με βάση τις εξελίξεις των προκατόχων του, το UFS 5.0 χρησιμοποιεί το MIPI® M-PHY® έκδοσης 6.0 High Speed Gear6 και το UniPro® έκδοσης 3.0, υποστηρίζοντας θεωρητικές ταχύτητες διεπαφής έως και 10,8GB/s(1) (10.830 MB/s) ανά συσκευή. Το UFS 5.0 διατηρεί οπισθόδρομη συμβατότητα με το UFS 4.1, διασφαλίζοντας την απρόσκοπτη ενσωμάτωση στις υπάρχουσες πλατφόρμες, παρέχοντας παράλληλα βελτιωμένη απόδοση και υποστήριξη για τις τελευταίες καινοτομίες στη μνήμη φλας.
Συνέντευξη
New Era of On-device AI Driven by High-speed UFS 5.0 Storage
UFS 5.0, featuring a theoretical high-speed interface of 10.8 GB/s, is almost here. KIOXIA believes that the adoption of UFS 5.0 in smartphones will further advance on-device AI. This is because high-speed UFS 5.0, with high-capacity, will allow for the storage of Large Language Models (LLMs) and Retrieval-Augmented Generation (RAG) databases.
Βασικά χαρακτηριστικά και οφέλη του KIOXIA UFS 5.0
Βασικά χαρακτηριστικά
- Σειριακή διασύνδεση
- Βελτιωμένη ταχύτητα διασύνδεσης έως και 10,8GB/s ανά συσκευή(1)
- Τελευταίο πρότυπο JEDEC®
- Χωρητικότητες: 512 GB, 1 TB(2)
- MIPI M-PHY έκδοση 6.0 High Speed Gear6
Εντυπωσιακή απόδοση
Η UFS 5.0 παρέχει σημαντικές βελτιώσεις απόδοσης, με τις ταχύτητες διαδοχικής ανάγνωσης και εγγραφής να αυξάνονται κατά έως και 123% και 113% αντίστοιχα σε σχέση με τις συσκευές UFS 4.1.(3)* Αυτή η υψηλή απόδοση ενεργοποιείται από το High-Speed Gear6, το οποίο επιτυγχάνει τις ταχύτητες διασύνδεσης μέσω νέων τεχνολογιών όπως το PAM-4.
* Συσκευή 1 TB, απόδοση επιπέδου οδηγού έναντι UFS 4.1 1 TB
Βελτιωμένη απόδοση ισχύος και θερμική διαχείριση
Το UFS 5.0 προσφέρει βελτιωμένη απόδοση ισχύος και θερμική διαχείριση, μειώνοντας την κατανάλωση ενέργειας κατά τη λειτουργία και την παραγωγή θερμότητας για υψηλότερη σταθερή απόδοση σε σύγκριση με το UFS 4.1.
UFS 5.0 έναντι UFS 4.1
Το KIOXIA προσφέρει τόσο το UFS 4.1 όσο και τις πιο πρόσφατες λύσεις μνήμης φλας υψηλής χωρητικότητας UFS 5.0, καθεμία από τις οποίες περιλαμβάνει ενσωματωμένο ελεγκτή και προηγμένη διόρθωση σφαλμάτων. Η τεχνολογία UFS απλοποιεί τη σχεδίαση του συστήματος εκφορτώνοντας τη διαχείριση αποθήκευσης από τον κεντρικό επεξεργαστή και διευκολύνοντας την ενσωμάτωση.
Το UFS 5.0 εισάγει διάφορες βελτιώσεις σε σχέση με το UFS 4.1, συμπεριλαμβανομένων των εξής:
- Ταχύτερες ταχύτητες διασύνδεσης για υψηλότερη απόδοση δεδομένων
- Βελτιωμένη διαδοχική και τυχαία απόδοση ανάγνωσης/εγγραφής
- Μεγαλύτερη ενεργειακή απόδοση για την υποστήριξη απαιτητικών συσκευών επόμενης γενιάς
Αυτές οι βελτιώσεις καθιστούν το UFS 5.0 κατάλληλο για κινητές συσκευές υψηλής τεχνολογίας που θα μπορούν να υποστηρίξουν AI στη συσκευή, λόγω των ταχύτερων ταχυτήτων διεπαφής του UFS 5.0.
Γιατί KIOXIA UFS
Η KIOXIA συνεχίζει την κληρονομιά της καινοτομίας με την εισαγωγή των λύσεων μνήμης φλας UFS 5.0, αντιμετωπίζοντας την ανάγκη για ολοένα αυξανόμενη ταχύτητα και αποδοτικότητα στη σύγχρονη ενσωματωμένη αποθήκευση. Βασισμένες σε χρόνια τεχνολογικής πρωτοπορίας και ιστορικό βιομηχανικών πρωτοποριών, οι λύσεις KIOXIA UFS 5.0 είναι σχεδιασμένες για απαιτητικές εφαρμογές, όπως η τεχνητή νοημοσύνη στη συσκευή σε smartphone και άλλα υπολογιστικά συστήματα υψηλής απόδοσης.
UFS 5.0 για προηγμένες εφαρμογές
Το πρότυπο UFS 5.0 παρέχει σημαντικά άλματα στις ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων, βελτιωμένη απόκριση και περαιτέρω βελτιστοποιημένη κατανάλωση ισχύος. Αυτές οι λειτουργίες μεταφράζονται σε απρόσκοπτες εμπειρίες, επιτρέποντας τη γρήγορη φόρτωση εφαρμογών, την εξαιρετικά γρήγορη λήψη δεδομένων και το αποτελεσματικό multitasking για τις πιο εντατικές περιπτώσεις φορητής και ενσωματωμένης χρήσης.
Καθώς τα ψηφιακά προϊόντα εξελίσσονται και απαιτούν μεγαλύτερη ανταπόκριση και ευελιξία, η μνήμη φλας KIOXIA UFS 5.0 βοηθά τους κατασκευαστές να προσφέρουν το επόμενο κύμα καινοτόμων εμπειριών χρήστη με εντυπωσιακές βελτιώσεις στην απόδοση.(3)*
- Διαδοχική ανάγνωση: 10.000 MB/s +123%
- Διαδοχική εγγραφή (WB): 9.000 MB/s +113%
- Τυχαία ανάγνωση: 1.160 KIOPS +71%
- Τυχαία εγγραφή: 1.020 KIOPS +59%
* Συσκευή 1 TB, απόδοση επιπέδου οδηγού έναντι UFS 4.1 1 TB
Βασική τεχνολογία UFS της KIOXIA
Υποστήριξη PAM-4**
Το PAM-4, ή Διαμόρφωση εύρους παλμού με 4 επίπεδα, είναι μια τεχνολογία που επιτρέπει στις συσκευές να στέλνουν περισσότερες πληροφορίες σε κάθε σήμα χρησιμοποιώντας τέσσερις διακριτές εντάσεις σήματος αντί μόνο για δύο. Αυτή η προσέγγιση διπλασιάζει αποτελεσματικά την ποσότητα των δεδομένων που μπορούν να μεταδοθούν χωρίς να απαιτούνται επιπλέον συνδέσεις ή καλώδια. Στο UFS 5.0, το PAM-4 επιτρέπει πολύ μεγαλύτερες ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων. Ως αποτέλεσμα, οι χρήστες βιώνουν ταχύτερη εκκίνηση εφαρμογών, ταχύτερη μεταφορά αρχείων και ομαλότερη απόδοση, βοηθώντας τις συσκευές να συμβαδίζουν με τις απαιτήσεις των σύγχρονων εφαρμογών, των μέσων υψηλής ανάλυσης και του multitasking.
** Βασική τεχνολογία για HS-Gear6 μόνο σε UFS5.0
Λειτουργία WriteBooster
Το WriteBooster βελτιώνει την απόδοση εγγραφής χρησιμοποιώντας την υπάρχουσα περιοχή δεδομένων χρήστη ως προσωρινή μνήμη SLC χωρίς να θυσιάζεται η χωρητικότητα. Το μέγιστο μέγεθος προσωρινής μνήμης SLC μπορεί να διαμορφωθεί από τον κεντρικό υπολογιστή κατά τη διαμόρφωση της συσκευής ενώ ο κεντρικός υπολογιστής μπορεί να συνεχίσει να γράφει δεδομένα στην προσωρινή μνήμη μέχρι να γεμίσει τελείως. Αυτή η δυνατότητα ενεργοποιείται δυναμικά από τον κεντρικό υπολογιστή κατά τη λειτουργία, ανάλογα με τις απαιτήσεις απόδοσης του συστήματος 5G και άλλων εφαρμογών.
Υποστήριξη ακολουθίας εκκίνησης σύνδεσης υψηλής ταχύτητας (HS-LSS)
Με τις συμβατικές UFS, η εκκίνηση σύνδεσης (M-PHY και ακολουθία προετοιμασίας UniPro) μεταξύ της συσκευής και του κεντρικού υπολογιστή πραγματοποιείται σε χαμηλή ταχύτητα PWM-G1 (3~9 Mbps***), ενώ με την HS-LSS μπορεί να πραγματοποιηθεί με υψηλότερη ταχύτητα HS-G1 A (1248 Mbps). Αυτό αναμένεται να μειώσει το χρόνο εκκίνησης σύνδεσης κατά περίπου 70% σε σύγκριση με τη συμβατική μέθοδο.
***Η ταχύτητα επικοινωνίας PWM-G1 εξαρτάται από το προϊόν.
Τεχνολογία μνήμης φλας 3D επόμενης γενιάς
Το KIOXIA UFS 5.0 χρησιμοποιεί την υπερσύγχρονη μνήμη φλας BiCS FLASH™ 3D και εισάγει περαιτέρω βελτιώσεις ελεγκτή, σχεδιασμένες για τη μεγιστοποίηση της απόδοσης, την παροχή χαμηλότερης καθυστέρησης και την αποτελεσματική υποστήριξη των αυστηρών απαιτήσεων των σύγχρονων κινητών, αυτοκινητοβιομηχανικών και επιχειρηματικών συσκευών.
Βασικές εφαρμογές UFS 5.0 της KIOXIA
Υψηλής ποιότητας smartphone / AI στη συσκευή
Tablets / Η/Υ υπολογιστή
Παιχνίδια
Γρήγορη ροή / Αποθήκευση κονσόλας
Εκπαίδευση και αξιολόγηση
Προδιαγραφές UFS 5.0
*Μπορείτε να μετακινηθείτε στον πίνακα με οριζόντια κύλιση.
| Χωρητικότητα(2) | Κωδικός προϊόντος | UFS Έκδοση |
Μέγιστη ταχύτητα δεδομένων (MB/s) |
Τάση Τροφοδοσίας | Θερμοκρασία λειτουργίας Θερμοκρασία (℃) |
Μέγεθος πακέτου (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ/VCCQ_M (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 512 GB | THGJFST2E48BATM | 5.0 | 10.830 | 2,4 έως 2,7 | 1,14 έως 1,26 | - (4) | -25 έως 85 | 7,5x13,0x0,8 |
| 1 TB | THGJFST3E88BATN | 7,5x13,0x0,9 | ||||||
UFS 4.1/3.1 & e-MMC
Το πρότυπο UFS 4.1/4.3 της KIOXIA προσφέρει ιλιγγιώδεις ταχύτητες μεταφοράς για την ενσωματωμένη αποθήκευση, επιτρέποντας στα smartphones και τις εφαρμογές κινητών συσκευών επόμενης γενιάς να επωφελούνται από τα δίκτυα κινητών 5G.
Η σειρά προϊόντων e-MMC της KIOXIA παρέχει μια διεπαφή συμβατή με το πρότυπο JEDEC έκδοση 5.1 εξαλείφοντας την ανάγκη άμεσου ελέγχου της μνήμης φλας από τους χρήστες.
- Το 1 GB/s υπολογίζεται ως 1.000.000.000 byte/s και το 1MB/s υπολογίζεται ως 1.000.000 byte/s. Πρόκειται για μια θεωρητική τιμή που υπολογίζεται από την ταχύτητα διασύνδεσης και η ταχύτητα της συσκευής ενός χρήστη δεν είναι εγγυημένη. Οι ταχύτητες ανάγνωσης και εγγραφής ενδέχεται να διαφέρουν ανάλογα με το χρησιμοποιούμενο σύστημα, τις συνθήκες ανάγνωσης και εγγραφής, το μέγεθος των αρχείων κ.λπ.
- Η πυκνότητα του προϊόντος καθορίζεται βάσει της πυκνότητας των τσιπ μνήμης στο προϊόν, και όχι βάσει της συνολικής χωρητικότητας μνήμης που είναι διαθέσιμη στον τελικό χρήστη για αποθήκευση δεδομένων. Η χωρητικότητα που μπορεί να χρησιμοποιηθεί από τον καταναλωτή θα είναι μικρότερη λόγω των κενών περιοχών δεδομένων, της μορφοποίησης, των ελαττωματικών μπλοκ και άλλων περιορισμών και μπορεί επίσης να διαφέρει ανάλογα με την κεντρική συσκευή και την εφαρμογή. Για λεπτομέρειες, ανατρέξτε στις ισχύουσες προδιαγραφές του προϊόντος. Ορισμός 1 KB = 210 bytes = 1.024 bytes. Ορισμός 1Gb = 230 bits = 1.073.741.824 bits. Ορισμός 1GB = 230 bytes = 1.073.741.824 bytes. 1 Tb = 240 bits = 1.099.511.627.776 bits.
- Τα στοιχεία απόδοσης βασίζονται σε εσωτερικές δοκιμές. Τα πραγματικά αποτελέσματα μπορεί να διαφέρουν ανάλογα με τη συσκευή και άλλες συνθήκες.
- Αυτό το προϊόν υποστηρίζει τη λειτουργία διπλής παροχής VCC και VCCQ/VCCQ_M. Το VCCQ2 δεν είναι απαραίτητο.
- Το JEDEC είναι σήμα κατατεθέν της JEDEC Solid State Technology Association
- Τα MIPI®, M-PHY® και UniPro® είναι σήματα κατατεθέντα που ανήκουν στην MIPI Alliance.
Υποστήριξη
Επικοινωνήστε μαζί μας εάν έχετε οποιεσδήποτε τεχνικές ερωτήσεις, αν θέλετε να κάνετε παραγγελίες για υλικά ή ενδιαφέρεστε για δείγματα / αγορά επιχειρηματικών προϊόντων (μνήμη, SSD) κ.λπ.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
