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UFS 3.1 / 2.1 ed e-MMC per il settore automobilistico
Requisiti di UFS 3.1 / 2.1 ed e-MMC per il settore automobilistico
- Conforme a IATF16949
- Soddisfa gli standard automobilistici (ad es., AEC-Q100 Stress Test Qual Standard)
- Supporta PPAP (Processo di approvazione delle parti di produzione)
- Intervallo di temperatura esteso (ad es. da -40 °C a +105 °C)
- Basso tasso di guasto
- Lead time più lungo per PCN rispetto alle parti di grado non automobilistico
- Caratteristiche per il settore automobilistico (ad es. maggiore affidabilità della sfera di saldatura, contromisure se il chip supera una certa temperatura, ecc.)
UFS 3.1 / 2.1 per il settore automobilistico (1)
Capacità disponibili: 32 GB, 64 GB, 128 GB, 256 GB e 512 GB.
e-MMC(2) per il settore automobilistico
UFS 4.0 di nuova generazione per il settore automobilistico
I dispositivi KIOXIA UFS 4.0 per il settore automobilistico offrono funzionalità avanzate per supportare applicazioni automobilistiche sempre più sofisticate. Con una velocità di interfaccia fino a 46,4 Gbps e una gamma di opzioni di densità, i nuovi dispositivi UFS 4.0 per il settore automobilistico sono adatti a supportare la prossima generazione di applicazioni complesse per il settore automobilistico.
La modifica dell'interfaccia da e-MMC (parallelo) a UFS (seriale)
L’UFS è stata specificamente definita da JEDEC come il successore della memoria ad alte prestazioni per e-MMC. È diventata la soluzione principale per gli smartphone, continuando a migrare nel settore automobilistico e in altre applicazioni. UFS finirà per superare e-MMC come soluzione di storage primaria per le applicazioni automobilistiche.
Tendenza del mercato UFS
L’UFS è il successore standard JEDEC a prestazioni più elevate con e-MMC. La produzione di smartphone ha adottato l’UFS per i suoi vantaggi in termini di prestazioni. Adesso, anche il settore automobilistico è convinto di tali vantaggi.
Perché l’UFS?
In poche parole, UFS è il vero successore di e-MMC. Le prestazioni dell’UFS continueranno a progredire, ampliando significativamente il proprio vantaggio prestazionale rispetto all’e-MMC.
Rispetto a e-MMC, l’UFS offre:
- Un'interfaccia più veloce
- Prestazioni più elevate per letture e scritture
- Offerte a densità più elevata
- Migliore efficienza energetica
Confronto dei tempi di avvio (data-out 64 MB)
I tempi di avvio più rapidi con una grande quantità di dati di avvio sono un enorme punto a favore per l’utilizzo di UFS nelle applicazioni automobilistiche.
L’UFS ha un tempo di avvio più rapido rispetto ad altri dispositivi di archiviazione grazie alla lettura sequenziale ad alta velocità.
Caratteristiche aggiuntive dell’UFS per la migliore affidabilità nel settore automobilistico
- Controllo termico: se il dispositivo supera i 105 °C, rallenta le prestazioni e avvisa il processore host di agire
- Diagnosi estesa: il controller dell’UFS monitora vari elementi, come i cicli di scrittura/cancellazione, la temperatura attuale, ecc. e segnala lo stato del dispositivo al processore host
- Aggiornamento: consente l'aggiornamento dei dati deteriorati, migliorando l'affidabilità dei dati.
KIOXIA è un pioniere dell’UFS dal 2013, essendo la prima ad aver prodotto campioni questa tecnologia,
e continuerà a spianare la strada per le applicazioni automobilistiche del futuro.
*dall’8 febbraio 2013. Sondaggio di Kioxia.
Specifiche UFS 3.1 / 2.1 per il settore automobilistico
AEC-Q100 grado 2(3)
*Lo scorrimento orizzontale è possibile all’interno della tabella.
| Capacità | Codice articolo | UFS Versione |
Velocità dati massima (MB/s) |
Alimentazione | Funzionamento Temperatura (°C) (4) |
Dimensioni del pacchetto (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 32 GB | THGAFBG8T13BAB7(6) | 2.1 | 1160 | da 2,7 a 3,6 | - (7) | Da 1,70 a 1,95 | da -40 a 105 | 11,5 x 13,0 x 1,0 |
| THGAFEG8T13BAB7 | ||||||||
| 64 GB | THGAFBG9T23BAB8(6) | 11,5 x 13,0 x 1,2 | ||||||
| THGAFEG9T23BAB8 | ||||||||
| 128 GB | THGAFBT0T43BAB8(6) | |||||||
| THGAFET0T43BAB8 | ||||||||
| 256 GB | THGAFBT1T83BAB5(6) | 11,5 x 13,0 x 1,3 | ||||||
| THGAFET1T83BAB5 | ||||||||
| 64 GB | THGJFGG9T15BAB8 | 3.1 | 2320 | da 2,4 a 2,7 da 2,7 a 3,6 |
da 1,14 a 1,26 | - (8) | da -40 a 105 | 11,5 x 13,0 x 1,2 |
| 128 GB | THGJFGT0T25BAB8 | |||||||
| 256 GB | THGJFGT1T45BAB8 | |||||||
| 512 GB | THGJFGT2T85BAB5 | 11,5 x 13,0 x 1,3 | ||||||
AEC-Q100 grado 3
*Lo scorrimento orizzontale è possibile all’interno della tabella.
| Capacità | Codice articolo | UFS Versione |
Velocità dati massima (MB/s) |
Alimentazione | Funzionamento Temperatura (°C) (5) |
Dimensioni del pacchetto (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 64 GB | THGJFGG9T15BAA8 | 3.1 | 2320 | da 2,4 a 2,7 da 2,7 a 3,6 |
da 1,14 a 1,26 | - (8) | da -40 a 85 | 11,5 x 13,0 x 1,2 |
| 128 GB | THGJFGT0T25BAA8 | |||||||
| 256 GB | THGJFGT1T45BAA8 | |||||||
| 512 GB | THGJFGT2T85BAA5 | 11,5 x 13,0 x 1,3 | ||||||
Specifiche e-MMC per il settore automobilistico
AEC-Q100 grado 2
*Lo scorrimento orizzontale è possibile all’interno della tabella.
| Capacità | Codice articolo | e-MMC Versione |
Velocità dati massima (MB/s) |
Alimentazione | Funzionamento Temperatura (°C) (4) |
Dimensioni del pacchetto (mm) |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
||||||
| 8 GB | THGBMJG6C1LBAC7 | 5.1 | 400 | da 2,7 a 3,6 | da 1,70 a 1,95, da 2,7 a 3,6 |
da -40 a 105 | 11,5 x 13,0 x 1,0 |
| 16 GB | THGBMJG7C2LBAC8 | 11,5 x 13,0 x 1,2 | |||||
| 32 GB | THGBMJG8C4LBAC8 | ||||||
| 64 GB | THGBMJG9C8LBAC8 | ||||||
| 32 GB | THGAMVG8T13BAB7 | Da 1,70 a 1,95 | 11,5 x 13,0 x 1,0 | ||||
| 64 GB | THGAMVG9T23BAB8 | 11,5 x 13,0 x 1,2 | |||||
| 128 GB | THGAMVT0T43BAB8 | ||||||
| 256 GB | THGAMVT1T83BAB5 | 11,5 x 13,0 x 1,3 | |||||
AEC-Q100 grado 3
*Lo scorrimento orizzontale è possibile all’interno della tabella.
| Capacità | Codice articolo | e-MMC Versione |
Velocità dati massima (MB/s) |
Alimentazione | Funzionamento Temperatura (℃) |
Dimensioni del pacchetto (mm) |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
||||||
| 32 GB | THGAMVG8T13BAA7 | 5.1 | 400 | da 2,7 a 3,6 | Da 1,70 a 1,95 | da -40 a 85 | 11,5 x 13,0 x 1,0 |
| 64 GB | THGAMVG9T23BAA8 | 11,5 x 13,0 x 1,2 | |||||
| 128 GB | THGAMVT0T43BAA8 | ||||||
| 256 GB | THGAMVT1T83BAA5 | 11,5 x 13,0 x 1,3 | |||||
- Universal Flash Storage (UFS) è una categoria di prodotti per una classe di memorie integrate costruite secondo le specifiche standard JEDEC UFS.
- e-MMC è una categoria di prodotti per una classe di prodotti di memoria integrata costruiti secondo le specifiche standard JEDEC e-MMC.
- Requisiti di qualificazione dei componenti elettrici definiti dall'AEC (Automotive Electronics Council).
- Tc=115 °C max.
- Tc=95 °C max.
- La capacità massima di pre-carico è limitata a circa il 25% della capacità dell'area utente.
- Questo prodotto supporta il funzionamento a doppia alimentazione a VCC e VCCQ2. VCCQ non deve essere fornito.
- Questo prodotto supporta il funzionamento a doppia alimentazione a VCC e VCCQ. VCCQ2 non deve essere fornito.
- In ogni riferimento a un prodotto Kioxia: La densità del prodotto è identificata in base alla densità dei chip di memoria all'interno del prodotto, non alla quantità di capacità di memoria disponibile per l'archiviazione dei dati da parte dell'utente finale. La capacità utilizzabile dall'utente finale sarà inferiore a causa delle aree di dati in eccesso, della formattazione, dei blocchi danneggiati e di altri vincoli, e può variare anche in base al dispositivo host e all'applicazione. Per maggiori dettagli, consultare le specifiche del prodotto. La definizione di 1KB = 2^10 byte = 1.024 byte. La definizione di 1Gb = 2^30 bit = 1.073.741.824 bit. La definizione di 1GB = 2^30 byte = 1.073.741.824 byte. 1Tb = 2^40 bit = 1.099.511.627.776 bit.
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
