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Memoria flash 3D “BiCS FLASH™”
KIOXIA offre prodotti basati su flash per applicazioni di archiviazione di nuova generazione. KIOXIA non si è limitata a inventare la memoria flash NAND oltre 35 anni fa: al giorno d’oggi è infatti uno dei maggiori fornitori di memorie flash al mondo e si impegna a rinnovare costantemente questa tecnologia.
La tecnologia KIOXIA apre la strada all’archiviazione a capacità elevata
La memoria flash 3D di KIOXIA "BiCS FLASH™" rappresenta un'innovazione rivoluzionaria in grado di soddisfare le esigenze di applicazioni incentrate sui dati come smartphone, PC, SSD e data center avanzati. Al fine di poter offrire prestazioni elevate, alta densità ed efficienza dei costi, abbiamo provveduto a ottimizzare una varietà di tecnologie avanzate: queste includono la tecnologia CBA (CMOS direttamente collegato all'array) nel processo di front-end e la tecnologia di assemblaggio nel processo di back-end.
Tecnologia CBA nel processo di front-end
La memoria flash 3D KIOXIA BiCS FLASH™ generazione 8 è dotata di 218 livelli e tecnologia di collegamento diretto al wafer CBA (CMOS directly Bonded to Array), un'innovazione architettonica che soddisfa le esigenze di applicazioni incentrate sui dati come smartphone, PC, SSD e data center avanzati. Prestazioni, alta densità e rapporto costo-efficacia: è qui che entra in gioco la memoria flash 3D BiCS FLASH™.
Grazie alla tecnologia CBA, tutti i wafer CMOS e i cell array vengono prodotti separatamente nelle loro condizioni ottimizzate e successivamente collegati insieme per fornire una maggiore densità di bit e una velocità di I/O NAND superiore. La produzione separata della cella e della periferica non solo consente l'ottimizzazione di ciascuna di esse, ma elimina anche il compromesso tra affidabilità della cella e velocità I/O, il che rappresenta un notevole passo avanti in termini di efficienza energetica, prestazioni, densità, efficacia dei costi e sostenibilità.*1
Intervista
La memoria flash 3D ad alta densità che utilizza il collegamento su wafer ad alta precisione apporta nuovo valore all’archiviazione
Negli ultimi anni, i produttori di memorie flash si sono concentrati principalmente sullo sviluppo di tecnologie per aumentare il numero di livelli di celle di memoria e la densità di memoria. Con ogni nuova generazione di memoria flash, il numero di livelli aumenta, tanto da arrivare a oltre 200 livelli in determinati prodotti. Tuttavia, come ha spiegato Atsushi Inoue, Vice Presidente della Memory Division di KIOXIA, "L’aumento dei livelli delle celle di memoria è solo un modo per incrementare la capacità e la densità di memoria. Il numero di livelli non costituisce tuttavia la nostra unica priorità".
Tecnologia di assemblaggio nel processo di back-end
KIOXIA ha sviluppato una memoria flash da 8TB a capacità elevata, assemblando 32 matrici di memoria flash, ciascuna con una capacità di 2Tb, all'interno di un unico pacchetto. Questa soluzione di memoria è stata resa possibile grazie ai nostri processi avanzati di back-end, tra cui assottigliamento dei wafer, progettazione dei materiali e tecnologie di bonding dei fili.
Tecnologia BiCS FLASH™ generazione 8 – Perché CBA?
Con la tecnologia CBA, tutti i wafer CMOS e dell'array di celle vengono prodotti separatamente nelle loro condizioni ottimizzate e successivamente assemblati insieme per fornire una maggiore densità di bit e una maggiore velocità di I/O NAND. La fabbricazione separata della cella e della periferica consente l'ottimizzazione di ciascuna di esse, eliminando il compromesso tra affidabilità della cella e velocità I/O, rappresentando quindi un notevole passo avanti in termini di efficienza energetica, prestazioni, densità, convenienza economica e sostenibilità.*1
Tecnologie BiCS FLASH™
Caratteristiche principali*
Densità di archiviazione per matrice superiore rispetto alla memoria flash convenzionale
Prestazioni di velocità di lettura/scrittura elevate
Maggiore affidabilità rispetto alla NAND 2D (planare)
Consumo di energia ridotto
*Rispetto alla tecnologia planare 2D
Applicazioni di destinazione
Efficienza dei data center
La memoria flash 3D BiCS FLASH™ è stata progettata per risolvere i problemi più complessi dei data center:
Principio di funzionamento della memoria flash 3D
Il principio di funzionamento della memoria flash 3D viene illustrato mediante animazione CG (generata da computer), creando un contrasto con il modo in cui il sole splende (video in giapponese con sottotitoli in inglese).
La tecnologia di memoria flash scalabile 3D BiCS FLASH™ di KIOXIA aumenta la capacità di memoria al massimo livello mai raggiunto finora*2
Tecnologia TLC (cella a tre livelli) e QLC (cella a quattro livelli)
La gamma di prodotti di memoria flash 3D BiCS FLASH™ include sia la tecnologia a 3 bit per cella (TLC) che quella a 4 bit per cella (QLC). La tecnologia QLC espande significativamente la capacità, incrementando il numero di bit per i dati di ogni cella di memoria da tre a quattro. È possibile ottenere una capacità di 4 terabyte (TB) in un unico pacchetto utilizzando la tecnologia BiCS FLASH™ QLC in un'architettura impilata a 16 matrici.
Leader nella ricerca di una maggiore densità ed efficienza di memoria
KIOXIA è stata una delle prime società del settore a progettare e prepararsi efficacemente alla migrazione della tecnologia SLC a MLC, da MLC a TLC e ora da TLC a QLC.
La tecnologia QLC di KIOXIA è ideale per applicazioni che richiedono soluzioni di archiviazione ad alta densità e a costi ridotti: la QLC odierna riduce l'ingombro con la densità più elevata disponibile in un unico pacchetto e consente di scalare le soluzioni di archiviazione.
- Caratteristiche e miglioramenti tipici delle prestazioni rispetto alla precedente generazione di memoria flash 3D TLC BiCS FLASH™.
- Fonte: KIOXIA - Comunicato stampa del 3 luglio 2024
Products by Applications
Whether it’s automotive applications or compact high performance-oriented PCs or cloud server and hyperscale data center deployments, by delivering advanced high performance, high density, low power, low latency, reliability and more—KIOXIA memory and storage solutions enable the success of emerging applications and allow existing technologies to reach their expected potential.
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
