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Memoria flash 3D BiCS FLASH™ KIOXIA
Una nuova era di innovazione per le memorie flash
KIOXIA non si è limitata a inventare la memoria flash NAND oltre 35 anni fa: oggi è infatti uno dei fornitori di memorie flash leader del settore e si impegna a rinnovare costantemente questa tecnologia. Il lancio della memoria flash 3D BiCS FLASH™ di KIOXIA nel 2007 ha consolidato la reputazione dell'azienda come leader nell'innovazione tecnologica, introducendo un rivoluzionario processo di impilamento verticale e scalabilità laterale per aumentare significativamente le celle di memoria per unità di superficie. Il risultato è un'architettura di memoria flash rivoluzionaria che risponde all'incessante domanda di densità e prestazioni di archiviazione migliorate.
Memoria flash 3D BiCS FLASH™: progettata appositamente per la tua applicazione
La memoria flash 3D di KIOXIA "BiCS FLASH™" rappresenta un'innovazione rivoluzionaria in grado di soddisfare le esigenze di applicazioni incentrate sui dati come smartphone, PC, SSD e data center avanzati. Al fine di poter offrire prestazioni elevate, alta densità ed efficienza dei costi, abbiamo provveduto a ottimizzare una varietà di tecnologie avanzate: queste includono la tecnologia CBA (CMOS direttamente collegato all'array) nel processo di front-end e la tecnologia di assemblaggio nel processo di back-end.
La memoria flash 3D di KIOXIA "BiCS FLASH™" rappresenta un'innovazione rivoluzionaria in grado di soddisfare le esigenze di applicazioni incentrate sui dati come smartphone, PC e data center avanzati. Per soddisfare le esigenze di elevata densità e prestazioni, ogni generazione di BiCS FLASH™ è basata sui miglioramenti e sui progressi tecnologici delle generazioni precedenti ed è progettata per rispondere a casi d'uso specifici e considerazioni di pianificazione degli investimenti. Scegliendo i prodotti di memoria flash 3D KIOXIA sarà possibile soddisfare i requisiti di archiviazione e prestazioni in rapida evoluzione degli strumenti e delle applicazioni tecnologiche moderne.
Tutte le generazioni di prodotti BiCS FLASH™ supportano l’importante obiettivo Kioxia di fornire al mondo soluzioni tecnologiche sostenibili.
Esplora la tecnologia e la strategia di BiCS FLASH™ di KIOXIA (Video)
Strategia di migrazione della memoria flash 3D BiCS FLASH™
Nelle memorie flash 3D, una volta superato un certo limite nel numero di strati, le prestazioni e l'efficienza energetica iniziano a risentirne negativamente. Per far fronte a questi effetti negativi, KIOXIA ha conseguito ulteriori progressi grazie a diversi miglioramenti tecnologici. Oggi, seguendo BiCS FLASH™ generazione 8, stiamo sviluppando le generazioni 9 e 10 in parallelo.
Migrazione BiCS FLASH™ che copre diversi requisiti con nodi multipli
- “gen”. indica una generazione di BiCS FLASH™.
Come illustrato nel diagramma allegato, KIOXIA offre una gamma di generazioni di tecnologia BiCS FLASH™, ciascuna progettata per soddisfare requisiti specifici in termini di densità, prestazioni ed efficienza energetica. La strategia a doppio asse di KIOXIA, un approccio aziendale e tecnologico che sviluppa due linee di memoria flash 3D separate per soddisfare le diverse esigenze del mercato, offre una memoria flash ad alte prestazioni per un'ampia gamma di applicazioni.
Le applicazioni traggono vantaggio dalla tecnologia BiCS FLASH™
BiCS FLASH™ generazione 8: nuova architettura, vantaggi ineguagliabili
BiCS FLASH™ generazione 8 offre miglioramenti significativi applicando al processo di produzione della memoria flash due nuove tecnologie: CMOS direttamente collegato all'array (CBA) e On Pitch Select Gate (OPS). In breve, CBA e OPS sono tecniche di produzione e progettazione che guidano l'aumento della densità, delle prestazioni e dell'efficienza energetica.
BiCS FLASH™ generazione 8 rappresenta la soluzione tecnologica ideale per i clienti le cui esigenze di archiviazione sono state sottolineate dall'esplosione di applicazioni ad alta intensità di dati e capacità di intelligenza artificiale.
Miglioramenti di BiCS FLASH™ generazione 8 rispetto alla generazione 6
Le future generazioni di tecnologia BiCS FLASH™
BiCS FLASH™ generazione 9
Prestazioni impressionanti ed efficienza energetica
Le unità BiCS FLASH™ generazione 9 TLC (Triple-Level Cell) da 512 GB e 1 TB sono progettate per supportare applicazioni che richiedono prestazioni elevate e un'efficienza energetica eccezionale con capacità di archiviazione di livello medio-basso. I prodotti BiCS FLASH™ di 9a generazione sfruttano le tecnologie CBA e OPS esistenti per migliorare l'efficienza di produzione e fornire soluzioni di memoria flash all'avanguardia.
- La foto mostra un dispositivo di memoria TLC da 1 TB.
BiCS FLASH™ generazione 10
Il futuro della memoria flash 3D
I prodotti BiCS FLASH™ di generazione 10 sfruttano la medesima tecnologia CMOS della generazione 9 e hanno incorporato l'espansione del numero di livelli di memoria per soddisfare la futura domanda di soluzioni ad alte prestazioni e con capacità più elevate. Grazie ai 332 livelli leader del settore, 1,5 volte in più rispetto alla generazione 8, KIOXIA continua a guidare notevoli progressi nella densità dei bit di memoria flash e nell'efficienza energetica.
Tecnologie innovative che aprono la strada a una maggiore capacità
Alla base dei principali miglioramenti dei prodotti BiCS FLASH™ di ultima generazione ci sono diverse innovazioni tecnologiche innovative. I miglioramenti in termini di densità, prestazioni ed efficienza energetica sono stati ottenuti grazie agli avanzamenti nella progettazione e nei processi di assemblaggio di memorie flash. Scopri come CBA, OPS e l'assemblaggio di memorie a 32 matrici stanno offrendo il futuro della memoria flash 3D.
Prodotti per applicazioni
Che si tratti di applicazioni automobilistiche, PC compatti orientati alle alte prestazioni o l’implementazione di server cloud e data center hyperscale, le soluzioni di memoria e archiviazione di KIOXIA assicurano il successo delle nuove applicazioni e consentono alle tecnologie esistenti di raggiungere il loro potenziale offrendo prestazioni elevate e all’avanguardia, alta densità, consumi e latenza ridotti, affidabilità e molto altro.
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
