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Memoria flash 3D “BiCS FLASH™”
KIOXIA offre prodotti basati su flash per applicazioni di archiviazione di nuova generazione. KIOXIA non si è limitata a inventare la memoria flash NAND oltre 35 anni fa: al giorno d’oggi è infatti uno dei maggiori fornitori di memorie flash al mondo e innova costantemente questa tecnologia.
La tecnologia KIOXIA BiCS FLASH™ è leader dell’innovazione nel settore grazie alla sua architettura pionieristica
La memoria flash 3D KIOXIA BiCS FLASH™ generazione 8 è dotata di 218 livelli e tecnologia di collegamento diretto al wafer CBA (CMOS directly Bonded to Array), un'innovazione architettonica che soddisfa le esigenze di applicazioni incentrate sui dati come smartphone, PC, SSD e data center avanzati. Prestazioni, alta densità e rapporto costo-efficacia: è qui che entra in gioco la memoria flash 3D BiCS FLASH™.
Tecnologia BiCS FLASH™ generazione 8 – Perché CBA?
Con la tecnologia CBA, tutti i wafer CMOS e dell'array di celle vengono prodotti separatamente nelle loro condizioni ottimizzate e successivamente assemblati insieme per fornire una maggiore densità di bit e una maggiore velocità di I/O NAND. La fabbricazione separata della cella e della periferica consente l'ottimizzazione di ciascuna di esse, eliminando il compromesso tra affidabilità della cella e velocità I/O, rappresentando quindi un notevole passo avanti in termini di efficienza energetica, prestazioni, densità, convenienza economica e sostenibilità.*1
Intervista
La memoria flash 3D ad alta densità che utilizza l’assemblaggio di wafer ad alta precisione apporta nuovo valore allo storage
Negli ultimi anni, i produttori di memorie flash si sono concentrati principalmente sullo sviluppo di tecnologie per aumentare il numero di strati di cellule di memoria e aumentare la densità di memoria. Con ogni nuova generazione di memoria flash, il numero di livelli aumenta, tanto da arrivare a più di 200 livelli in determinati prodotti. Tuttavia, come ha spiegato Atsushi Inoue, Vice Presidente della Memory Division di KIOXIA, "L’aumento dei livelli delle celle di memoria è solo un modo per aumentare la capacità e la densità di memoria. Il numero di livelli non costituisce tutavia la nostra unica priorità".
Tecnologie BiCS FLASH™
Caratteristiche principali
Densità di archiviazione per matrice superiore rispetto alla memoria flash convenzionale
Prestazioni di velocità di lettura/scrittura elevate
Maggiore affidabilità rispetto alla NAND 2D (planare)
Consumo di energia ridotto
* Rispetto alla tecnologia planare 2D
Applicazioni di destinazione
Efficienza dei data center
La memoria flash 3D BiCS FLASH™ è stata progettata per risolvere i problemi più complessi dei data center:
Principio di funzionamento della memoria flash 3D
Il principio di funzionamento della memoria flash 3D viene illustrato con l’animazione CG (generata da computer) attraverso il contrasto con il modo in cui il sole splende (in giapponese con sottotitoli in inglese).
La tecnologia di memoria scalabile BiCS FLASH™ 3D Flash di KIOXIA aumenta la capacità di memoria al massimo livello mai raggiunto finora*2
Tecnologia TLC (Triple-Level Cell) e QLC (Quadruple-Level Cell)
La gamma di prodotti di memoria BiCS FLASH™ 3D include sia la tecnologia a 3-bit per cella (TLC) che la tecnologia a 4-bit per cella (QLC). La tecnologia QLC espande significativamente la capacità, aumentando il numero di bit per i dati per cella di memoria da tre a quattro. È possibile ottenere una capacità di 4 terabyte (TB) in un unico pacchetto utilizzando la tecnologia BiCS FLASH™ QLC in un'architettura impilata a 16 die.
Guidiamo l’innovazione per una maggiore densità ed efficienza di memoria
KIOXIA è stata una delle prime società del settore a progettare e prepararsi efficacemente alla migrazione della tecnologia SLC a MLC, da MLC a TLC e ora da TLC a QLC.
La tecnologia QLC di KIOXIA è ideale per applicazioni che richiedono soluzioni di storage ad alta densità e a costi ridotti. Il QLC odierno riduce l'ingombro con la densità più elevata disponibile in un unico package e consente di scalare le soluzioni di archiviazione.
- Caratteristiche e miglioramenti tipici delle prestazioni rispetto alla precedente generazione di memoria flash BiCS FLASH™ 3D TLC.
- Fonte: KIOXIA - Comunicato stampa del 3 luglio 2024
Products by Applications
Whether it’s automotive applications or compact high performance-oriented PCs or cloud server and hyperscale data center deployments, by delivering advanced high performance, high density, low power, low latency, reliability and more—KIOXIA memory and storage solutions enable the success of emerging applications and allow existing technologies to reach their expected potential.
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
