Please select your location and preferred language where available.
3D Flash Bellek | “BiCS FLASH™”
KIOXIA, yeni nesil depolama uygulamaları için flash tabanlı ürünler sunar. 35 yıl önce NAND flash belleği icat eden KIOXIA artık dünyanın en büyük flash bellek tedarikçilerinden biridir ve teknolojiyi ileri taşımaya devam etmektedir.
KIOXIA Teknolojisi Yüksek Kapasiteli Depolamaya Öncülük Ediyor
KIOXIA 3D Flash Bellek "BiCS FLASH™", gelişmiş akıllı telefonlar, PC'ler, SSD'ler ve veri merkezleri gibi veri odaklı uygulamaların ihtiyaçlarını karşılayan çığır açan bir yeniliktir. Yüksek performans, yüksek yoğunluk ve maliyet verimliliği taleplerini karşılamak için çeşitli gelişmiş teknolojileri optimize ettik. Bunlar arasında front-end işlemdeki CBA (CMOS doğrudan diziye bağlanmış) teknolojisi ve back-end işlemdeki montaj teknolojisi bulunmaktadır.
Front-end süreçte CBA teknolojisi
KIOXIA BiCS FLASH™ 8 jenerasyon 3D flash bellek, 218 katman ve gelişmiş akıllı telefonlar, PC'ler, SSD'ler ve veri merkezleri gibi veri merkezli uygulamaların ihtiyaçlarını karşılayan mimari bir yenilik olan Bonded to Array'e Bağlı CMOS (CBA) yonga plakası bağlama teknolojisine sahiptir. Performans, yüksek yoğunluk ve maliyet etkinliği önemli olduğunda, BiCS FLASH™ 3D flash bellek bunu sağlar.
CBA teknolojisi ile her bir CMOS yonga plakası ve hücre dizisi yonga plakası, optimize edilmiş koşullarında ayrı ayrı üretilir ve ardından birleştirilerek gelişmiş bit yoğunluğu ve hızlı NAND I/O hızı sağlanır. Hücre ve çevre biriminin ayrı ayrı üretilmesi, her birinin optimizasyonunu sağlayarak hücre güvenilirliği ile G/Ç hızı arasındaki dengeyi ortadan kaldırır ve güç verimliliği, performans, yoğunluk, maliyet etkinliği ve sürdürülebilirlikte büyük bir sıçrama sağlar.*1
Söyleşi
Yüksek hassasiyetli yonga plakası yapıştırma kullanan yüksek yoğunluklu 3D flash bellek, depolama alanına yeni bir değer katar
Son yıllarda, flash bellek üreticileri öncelikle bellek hücrelerinin katman sayısını ve bellek yoğunluğunu artırmaya yönelik teknolojiler geliştirmeye odaklanmıştır. Her yeni nesil flash bellek piyasaya sürüldüğünde, katman sayısı artmakta ve bazı ürünler 200'den fazla katmana sahip olmaktadır. Bununla birlikte, KIOXIA Bellek Bölümü Başkan Yardımcısı Atsushi Inoue'nun da açıkladığı gibi, "Hafıza hücresi katmanlarını artırmak, kapasiteyi ve bellek yoğunluğunu artırmanın sadece bir yoludur. Tek başına katman sayısına odaklanmıyoruz."
Back-end süreçte montaj teknolojisi
KIOXIA, her biri 2 TB kapasiteli 32 adet flash bellek yongasını tek bir pakette bir araya getirerek yüksek kapasiteli 8 TB flash bellek geliştirdi. Bu bellek çözümü, yonga inceltme, malzeme tasarımı ve tel bağlama teknolojileri dahil olmak üzere gelişmiş arka uç süreçlerimiz sayesinde mümkün hale getirilmiştir.
BiCS FLASH™ nesil 8 Teknolojisi – Neden CBA?
CBA teknolojisiyle, her CMOS yonga plakası ve hücre dizisi yonga plakası, optimize edilmiş durumunda ayrı ayrı üretilir ve daha sonra gelişmiş bit yoğunluğu ve hızlı NAND I/O hızı sağlamak için birbirine bağlanır. Hücre ve çevre biriminin ayrı ayrı üretilmesi, her birinin optimizasyonunu sağlayarak hücre güvenilirliği ile G/Ç hızı arasındaki dengeyi ortadan kaldırır ve güç verimliliği, performans, yoğunluk, maliyet etkinliği ve sürdürülebilirlikte büyük bir sıçrama sağlar.*1
BiCS FLASH™ Teknolojileri
Temel Özellikler*
Geleneksel flash belleklere göre kalıp başına yüksek depolama yoğunluğu
Daha yüksek Okuma/Yazma hızı performansı
2D (düzlemsel) NAND'den daha yüksek güvenilirlik
Düşük Güç Tüketimi
* 2D düzlemsel teknolojiye kıyasla
Hedef Uygulamalar
Veri Merkezi Verimliliği
BiCS FLASH™ 3D flash bellek, en zorlu veri merkezi sorunlarını ele almak için tasarlanmıştır:
3D Flash Bellek Çalışma İlkesi
3D flash belleğin çalışma prensibi, güneşin parlama şekliyle karşılaştırılarak CG (bilgisayar tarafından oluşturulmuş) animasyonla açıklanmaktadır (Japonca ve İngilizce altyazılı).
KIOXIA Scalable BiCS FLASH™ 3D Flash Bellek Teknolojisi Bellek Kapasitesini Şimdiye Kadar Ulaşılan En Yüksek Seviyeye Yükseltiyor*2
TLC (Üç Seviyeli Hücre) ve QLC (Dört Seviyeli Hücre) Teknolojisi
BiCS FLASH™ 3D flash bellek ürün yelpazesi hem hücre başına 3 bit (TLC) hem de hücre başına 4 bit (QLC) teknolojiyi içerir. QLC teknolojisi, bellek hücresi başına veri için bit sayısını üçten dörde çıkararak kapasiteyi önemli ölçüde artırır. 4 terabaytlık (TB) kapasite, 16 kalıplı yığın mimaride BiCS FLASH™ QLC teknolojisi kullanılarak tek bir pakette elde edilebilir.
Daha Yüksek Bellek Yoğunluğu ve Verimliliğine Öncülük Ediyor
KIOXIA, SLC teknolojisinin MLC'ye, MLC'den TLC'ye ve şimdi de TLC'den QLC'ye başarılı bir şekilde geçişini öngören ve buna hazırlanan ilk sektör oyuncularından biriydi.
KIOXIA QLC teknolojisi, yüksek yoğunluklu, düşük maliyetli depolama çözümleri gerektiren uygulamalar için idealdir. Günümüzün QLC'si, tek bir pakette mevcut olan en yüksek yoğunluk ile ayak izini azaltarak depolama çözümünün ölçeklenmesini sağlar.
- Önceki nesil BiCS FLASH™ 3D TLC flash belleklere kıyasla özellikler ve tipik kullanım performansı iyileştirmeleri.
- Kaynak: KIOXIA - 3 Temmuz 2024 basın bülteni
Products by Applications
Whether it’s automotive applications or compact high performance-oriented PCs or cloud server and hyperscale data center deployments, by delivering advanced high performance, high density, low power, low latency, reliability and more—KIOXIA memory and storage solutions enable the success of emerging applications and allow existing technologies to reach their expected potential.
Öğrenin ve Değerlendirin
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
