Please select your location and preferred language where available.
3D Flash Bellek | “BiCS FLASH™”
KIOXIA, yeni nesil depolama uygulamaları için flash tabanlı ürünler sunar. 35 yıl önce NAND flash belleği icat eden KIOXIA artık dünyanın en büyük flash bellek tedarikçilerinden biridir ve teknolojiyi ileri taşımaya devam etmektedir.
KIOXIA Teknolojisi Yüksek Kapasiteli Depolamaya Öncülük Ediyor
KIOXIA 3D Flash Bellek "BiCS FLASH™", gelişmiş akıllı telefonlar, PC'ler, SSD'ler ve veri merkezleri gibi veri odaklı uygulamaların ihtiyaçlarını karşılayan çığır açan bir yeniliktir. Yüksek performans, yüksek yoğunluk ve maliyet verimliliği taleplerini karşılamak için çeşitli gelişmiş teknolojileri optimize ettik. Bunlar arasında front-end işlemdeki CBA (CMOS doğrudan diziye bağlanmış) teknolojisi ve back-end işlemdeki montaj teknolojisi bulunmaktadır.
Front-end süreçte CBA teknolojisi
CBA teknolojisi ile her bir CMOS yonga plakası ve hücre dizisi yonga plakası, optimize edilmiş koşullarında ayrı ayrı üretilir ve ardından birleştirilerek gelişmiş bit yoğunluğu ve hızlı NAND I/O hızı sağlanır. Hücre ve çevre biriminin ayrı ayrı üretilmesi, her birinin optimizasyonunu sağlayarak hücre güvenilirliği ile G/Ç hızı arasındaki dengeyi ortadan kaldırır ve güç verimliliği, performans, yoğunluk, maliyet etkinliği ve sürdürülebilirlikte büyük bir sıçrama sağlar.*1
Söyleşi
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
Back-end süreçte montaj teknolojisi
KIOXIA, her biri 2 TB kapasiteli 32 adet flash bellek yongasını tek bir pakette bir araya getirerek yüksek kapasiteli 8 TB flash bellek geliştirdi. Bu bellek çözümü, yonga inceltme, malzeme tasarımı ve tel bağlama teknolojileri dahil olmak üzere gelişmiş arka uç süreçlerimiz sayesinde mümkün hale getirilmiştir.
Söyleşi
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
BiCS FLASH™ nesil 8 Teknolojisi – Neden CBA?
CBA teknolojisiyle, her CMOS yonga plakası ve hücre dizisi yonga plakası, optimize edilmiş durumunda ayrı ayrı üretilir ve daha sonra gelişmiş bit yoğunluğu ve hızlı NAND I/O hızı sağlamak için birbirine bağlanır. Hücre ve çevre biriminin ayrı ayrı üretilmesi, her birinin optimizasyonunu sağlayarak hücre güvenilirliği ile G/Ç hızı arasındaki dengeyi ortadan kaldırır ve güç verimliliği, performans, yoğunluk, maliyet etkinliği ve sürdürülebilirlikte büyük bir sıçrama sağlar.*1
BiCS FLASH™ Teknolojileri
Temel Özellikler*
Geleneksel flash belleklere göre kalıp başına yüksek depolama yoğunluğu
Daha yüksek Okuma/Yazma hızı performansı
2D (düzlemsel) NAND'den daha yüksek güvenilirlik
Düşük Güç Tüketimi
* 2D düzlemsel teknolojiye kıyasla
Hedef Uygulamalar
Veri Merkezi Verimliliği
BiCS FLASH™ 3D flash bellek, en zorlu veri merkezi sorunlarını ele almak için tasarlanmıştır:
3D Flash Bellek Çalışma İlkesi
3D flash belleğin çalışma prensibi, güneşin parlama şekliyle karşılaştırılarak CG (bilgisayar tarafından oluşturulmuş) animasyonla açıklanmaktadır (Japonca ve İngilizce altyazılı).
KIOXIA Scalable BiCS FLASH™ 3D Flash Bellek Teknolojisi Bellek Kapasitesini Şimdiye Kadar Ulaşılan En Yüksek Seviyeye Yükseltiyor*2
TLC (Üç Seviyeli Hücre) ve QLC (Dört Seviyeli Hücre) Teknolojisi
BiCS FLASH™ 3D flash bellek ürün yelpazesi hem hücre başına 3 bit (TLC) hem de hücre başına 4 bit (QLC) teknolojiyi içerir. QLC teknolojisi, bellek hücresi başına veri için bit sayısını üçten dörde çıkararak kapasiteyi önemli ölçüde artırır. 4 terabaytlık (TB) kapasite, 16 kalıplı yığın mimaride BiCS FLASH™ QLC teknolojisi kullanılarak tek bir pakette elde edilebilir.
Daha Yüksek Bellek Yoğunluğu ve Verimliliğine Öncülük Ediyor
KIOXIA, SLC teknolojisinin MLC'ye, MLC'den TLC'ye ve şimdi de TLC'den QLC'ye başarılı bir şekilde geçişini öngören ve buna hazırlanan ilk sektör oyuncularından biriydi.
KIOXIA QLC teknolojisi, yüksek yoğunluklu, düşük maliyetli depolama çözümleri gerektiren uygulamalar için idealdir. Günümüzün QLC'si, tek bir pakette mevcut olan en yüksek yoğunluk ile ayak izini azaltarak depolama çözümünün ölçeklenmesini sağlar.
- Önceki nesil BiCS FLASH™ 3D TLC flash belleklere kıyasla özellikler ve tipik kullanım performansı iyileştirmeleri.
- Kaynak: KIOXIA - 3 Temmuz 2024 basın bülteni
Uygulamaya Göre Ürünler
İster otomotiv uygulamaları ister kompakt yüksek performans odaklı PC'ler veya bulut sunucusu ve hiper ölçekli veri merkezi kurulumları olsun, gelişmiş yüksek performans, yüksek yoğunluk, düşük güç, düşük gecikme, güvenilirlik ve daha fazlasını sunarak, KIOXIA bellek ve depolama çözümleri; gelişmekte olan uygulamaların başarılı olmasını amaçlar ve mevcut teknolojilerin beklenen potansiyellerine ulaşmasını sağlar.
Öğrenin ve Değerlendirin
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
