Please select your location and preferred language where available.
Daha Yüksek Kapasiteye Giden Yolu Açan Yenilikçi Teknolojiler
Mevcut nesil BiCS FLASH™ ürünlerindeki önemli iyileştirmelerin temelinde, birçok çığır açan teknolojik yenilik yatmaktadır. Flash bellek mühendisliği tasarımındaki ve montaj süreçlerindeki gelişmeler sayesinde yoğunluk, performans ve enerji verimliliğinde iyileştirmeler sağlandı. CMOS Directly Bonded to Array (CBA), On-Pitch Select Gate (OPS) ve 32 yongalı bellek montajının 3D flash belleğin geleceğini nasıl şekillendirdiğini keşfedin.
Ön Uç Sürecindeki Teknolojiler
Söyleşi
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
OPS Teknolojisi
Geleneksel olarak, bellek hücreleri arasında kullanılmayan “boş” alanlar bulunurdu ve bu da bellek yoğunluğunu düşürürdü. OPS sayesinde bu gereksiz boş alanlar ortadan kaldırılır ve böylece aynı alana daha fazla gerçek bellek hücresi yerleştirilebilir. Bu, bellek yoğunluğunu büyük ölçüde artırır.
Arka Uç Sürecinde Montaj Teknolojisi
KIOXIA, her biri 2 TB kapasiteli 32 adet flash bellek yongasını tek bir paket içinde bir araya getirerek 8 TB kapasiteli bir flash bellek geliştirdi. Bu bellek çözümü, yonga inceltme, malzeme tasarımı ve tel bağlama teknolojileri dahil olmak üzere gelişmiş arka uç süreçlerimiz sayesinde mümkün hale getirilmiştir.
Söyleşi
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
Tüm Nesillerde Ortak Olan BiCS FLASH™ Teknolojilerinin Temel Özellikleri
BiCS FLASH™ 3D flash bellek, bellek hücrelerini dikey olarak istifleyerek depolama yoğunluğunu önemli ölçüde artırır. Bu gökdelen benzeri mimari, hücreleri yan yana bir düzende düzenleyen 2B (düzlemsel) flash belleğin sınırlarını aşıyor. Hücreler arasındaki mesafenin artırılması, hücreler arası etkileşimi azaltarak 2D flash belleğe kıyasla daha yüksek yoğunluk, performans ve güç verimliliği sağlar.
TLC (Üç Seviyeli Hücre) ve QLC (Dört Seviyeli Hücre) Teknolojisi
BiCS FLASH™ 3D flash bellek ürün yelpazesi hem hücre başına 3 bit (TLC) hem de hücre başına 4 bit (QLC) teknolojiyi içerir. QLC teknolojisi, bellek hücresi başına veri için bit sayısını üçten dörde çıkararak kapasiteyi önemli ölçüde artırır. 4 terabaytlık (TB) kapasite, 16 kalıplı yığın mimaride BiCS FLASH™ QLC teknolojisi kullanılarak tek bir pakette elde edilebilir.
KIOXIA, SLC teknolojisinin MLC'ye, MLC'den TLC'ye ve TLC'den QLC'ye başarılı bir şekilde geçişini öngören ve buna hazırlanan ilk sektör oyuncularından biriydi.
KIOXIA QLC teknolojisi, yüksek yoğunluklu, düşük maliyetli depolama çözümleri gerektiren uygulamalar için idealdir. Günümüzün QLC'si, tek bir pakette mevcut olan en yüksek yoğunluk ile ayak izini azaltarak depolama çözümünün ölçeklenmesini sağlar.
Uygulamaya Göre Ürünler
İster otomotiv uygulamaları ister kompakt yüksek performans odaklı PC'ler veya bulut sunucusu ve hiper ölçekli veri merkezi kurulumları olsun, gelişmiş yüksek performans, yüksek yoğunluk, düşük güç, düşük gecikme, güvenilirlik ve daha fazlasını sunarak, KIOXIA bellek ve depolama çözümleri; gelişmekte olan uygulamaların başarılı olmasını amaçlar ve mevcut teknolojilerin beklenen potansiyellerine ulaşmasını sağlar.
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
