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Toshiba Memory entwickelt den weltweit ersten 3-D-Flashspeicher mit TSV-Technologie
Erzielt hohe Dateneingabe- und Datenausgabegeschwindigkeiten bei geringem Stromverbrauch und hoher Kapazität
- Düsseldorf, Deutschland, 11. Juli 2017
Die Toshiba Memory Corporation, der weltweit führende Anbieter von Speicherlösungen, gab heute die Entwicklung des weltweit ersten[1] dreidimensionalen (3-D) „BiCS FLASH“-Flashspeichers[2] mit TSV-Technologie („Through Silicon Via“, Siliziumdurchkontaktierung)[3] sowie TLC-Technologie (3 Bit pro Zelle) bekannt. Die Auslieferung von Prototypen zu Entwicklungszwecken begann im Juni, Produktmuster werden voraussichtlich in der zweiten Hälfte des Jahres 2017 ausgegeben. Der Prototyp dieses bahnbrechenden Speichergeräts wird vom 7. bis 10. August 2017 auf dem Flash Memory Summit in Santa Clara, Kalifornien, Vereinigte Staaten, vorgestellt.
Speichermodule, die unter Verwendung der TSV-Technologie hergestellt werden, verfügen über vertikale Elektroden und Kontaktierungen, die zur Herstellung von Verbindungen durch Siliziumdies führen. Weiterhin ermöglicht die Architektur derartiger Module die Dateneingabe und -ausgabe mit hohen Geschwindigkeiten bei gleichzeitiger Reduzierung des Stromverbrauchs. Die reale Performance wurde bereits früher mit der Einführung des 2-D-NAND-Flashspeichers von Toshiba unter Beweis gestellt.[4]
Durch die Kombination eines 48-Layer-3-D-Flashverfahrens mit der TSV-Technologie konnte die Toshiba Memory Corporation die Bandbreite der Produktprogrammierung erfolgreich erhöhen und zugleich einen niedrigen Stromverbrauch erzielen. Die Energieeffizienz[5] eines einzelnen Packages ist etwa doppelt so hoch[6] wie jene eines „BiCS FLASH“-Speichers derselben Generation, der unter Verwendung der Draht-Bonding-Technologie hergestellt wurde. TSV-„BiCS FLASH“ ermöglicht darüber hinaus durch eine 16-Die-Stapelarchitektur Speichermodule mit 1 Terabyte (TB) in einem einzigen Package.
Die Toshiba Memory Corporation wird BiCS FLASH mit TSV-Technologie auf den Markt bringen, um eine ideale Lösung für Speicheranwendungen anzubieten, die eine geringe Latenzzeit, eine hohe Bandbreite und ein möglichst günstiges Verhältnis von IOPS[7]/Watt erfordern. Hierzu zählen mitunter High-End-Enterprise-SSDs.
Allgemeine Spezifikationen (Prototyp)
| Package-Typ | NAND Dual x8 BGA-152 | ||
|---|---|---|---|
| Speicherkapazität | 512 GB | 1 TB | |
| Stapelanzahl | 8 | 16 | |
| Außenabmessungen | B | 14 mm | 14 mm |
| T | 18 mm | 18 mm | |
| H | 1,35 mm | 1,85 mm | |
| Schnittstelle | Toggle-DDR | ||
| Schnittstelle max. Geschwindigkeit | 1.066 Mbps | ||
Anmerkungen:
[1] Quelle: Toshiba Memory Corporation, Stand: 11. Juli 2017.
[2] Eine Struktur, bei der Flashspeicherzellen vertikal auf einem Siliziumsubstrat gestapelt werden, um signifikante Verbesserungen hinsichtlich der Dichte im Vergleich zu planaren NAND-Flashspeichern zu erzielen, bei welchen die Zellen eben auf dem Siliziumsubstrat angeordnet werden.
[3] „Through Silicon Via“ (Siliziumdurchkontaktierung): die Technologie, bei der vertikale Elektroden sowie Kontaktierungen eingesetzt werden, die zur Verbindungsherstellung in einem einzelnen Package durch Siliziumdies geführt werden.
[4] Toshiba entwickelt den weltweit ersten gestapelten 16-Die-NAND-Flashspeicher mit TSV-Technologie
[5] The rate of data transfer rate per power unit. (MB/s/W)
[6] Compared with Toshiba Memory Corporation’s current products.
[7] Input Output per Second: The number of data inputs and outputs for processing through an I/O port per second. A higher value represents better performance.
