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BiCS FLASH™ 3D-Flash-Speicher
KIOXIA stellt Flash-basierte Produkte für Speicheranwendungen der nächsten Generation bereit. Als Erfinder des NAND-Flash-Speichers vor über 35 Jahren ist KIOXIA heute einer der weltweit größten Anbieter von Flash-Speichern - und bringt diese Technologie immer weiter voran.
Die „KIOXIA BiCS FLASH™“-Technologie ist mit ihrer bahnbrechenden architektonischen Innovation wegweisend
Der KIOXIA BiCS FLASH™ 3D-Flash-Speicher der 8. Generation verfügt über 218 Schichten und die CMOS Direct Bonded to Array (CBA) Wafer Bonding Technologie, eine architektonische Innovation, die auf die Anforderungen von datenzentrischen Anwendungen wie modernen Smartphones, PCs, SSDs und Rechenzentren zugeschnitten ist. Wenn es auf Leistung, hohe Dichte und Kosteneffizienz ankommt, weiß der "BiCS FLASH™ 3D"-Flash-Speicher zu überzeugen.
BiCS FLASH™ Generation der 8. Generation – Warum CBA?
Bei der CBA-Technologie werden jeder CMOS-Wafer und jeder Cell-Array-Wafer separat in optimierter Form hergestellt und dann miteinander verbunden, um eine höhere Bitdichte und eine schnelle NAND-I/O-Geschwindigkeit zu erreichen. Die getrennte Herstellung der Zelle und der Peripheriegeräte ermöglicht die Optimierung beider Komponenten, wodurch keine Kompromisse mehr zwischen der Zuverlässigkeit der Zelle und der I/O-Geschwindigkeit eingegangen werden müssen. Zugleich bedeutet dies einen großen Sprung in Sachen Energieeffizienz, Leistung, Dichte, Kosteneffizienz und Nachhaltigkeit.*1
Interview
Hochdichte 3D-Flash-Speicher mit hochpräzisem Wafer-Bonding bringen eine neue Qualität in die Speicherbranche
In den letzten Jahren lag das Hauptaugenmerk der Flash-Speicherhersteller auf der Entwicklung von Technologien zur Erhöhung der Anzahl der Schichten von Speicherzellen und zur Steigerung der Speicherdichte. Jedes Mal, wenn eine neue Generation von Flash-Speichern auf den Markt kommt, erhöht sich die Anzahl der Schichten, wobei einige Produkte mehr als 200 Schichten aufweisen. Wie Atsushi Inoue, Vice President der Memory Division bei KIOXIA, erklärt, ist „die Erhöhung der Schichten von Speicherzellen jedoch nur eine Möglichkeit, die Kapazität und die Speicherdichte zu erhöhen. Uns geht es nicht ausschließlich um die Anzahl der Schichten“.
„BiCS FLASH™“-Technologien
Hauptmerkmale*
Hohe Speicherdichte pro Chip im Vergleich zu herkömmlichen Flash-Speichern
Hohe Lese-/Schreibgeschwindigkeit
Höhere Zuverlässigkeit als die (planare) 2D-NAND-Technologie
Geringer Stromverbrauch
* Im Vergleich zur 2D-Planartechnologie
Zielanwendungen
Effizienz von Rechenzentren
Der „BiCS FLASH™ 3D“-Flash-Speicher wurde entwickelt, um die größten Herausforderungen in Rechenzentren zu meistern:
Funktionsprinzip des 3D-Flash-Speichers
Das Prinzip des 3D-Flash-Speichers wird anhand einer CG-Animation (computergeneriert) erklärt, wobei auf die Unterschiede zum Sonnenlicht eingegangen wird (auf Japanisch mit englischen Untertiteln).
Die skalierbare BiCS FLASH™ 3DFlash-Speichertechnologie von KIOXIA erhöht die Speicherkapazität auf das bisher höchste Niveau*2
TLC-Technologie (Dreifachzellen) und QLC-Technologie (Vierfachzellen)
Die „BiCS FLASH™ 3D“-Flash-Speicher-Produktpalette umfasst sowohl die TLC-Technologie mit 3 Bit pro Zelle als auch die QLC-Technologie mit 4 Bit pro Zelle. Mit der QLC-Technologie wird die Kapazität erheblich erweitert, indem die Anzahl der Datenbits pro Speicherzelle von drei auf vier erhöht wird. Mit der „BiCS FLASH™ QLC“-Technologie in einer 16-Die-Stacked-Architektur kann eine Kapazität von 4 Terabyte (TB) in einem einzigen Gehäuse erreicht werden.
Führend in Richtung höherer Speicherdichte und Effizienz
KIOXIA war der einer der ersten Branchenakteure, der sich die erfolgreiche Migration der SLC-Technologie auf MLC, von MLC auf TLC und jetzt von TLC auf QLC vorstellte und sich darauf vorbereitete.
Die QLC-Technologie von KIOXIA ist ideal für Anwendungen, die Speicherlösungen mit hoher Dichte und geringeren Kosten erfordern. Der heutige QLC reduziert den Platzbedarf mit der höchsten Dichte, die in einem einzigen Paket verfügbar ist. So kann die Speicherlösung skaliert werden.
- Merkmale und typische Leistungsverbesserungen im Vergleich zur vorherigen Generation des „BiCS FLASH™ 3D TLC“ Flash-Speichers.
- Quelle: KIOXIA – Pressemitteilung vom 3. Juli 2024
Produkte nach Anwendungen
Unabhängig davon, ob es sich um Anwendungen im Automobilbereich, kompakte Hochleistungs-PCs oder Cloud-Server und Hyperscale-Rechenzentren handelt – die Speicherlösungen von KIOXIA bieten hohe Leistung, hohe Speicherdichte, geringen Stromverbrauch, niedrige Latenzzeiten, Zuverlässigkeit und vieles mehr. Somit tragen sie zum Erfolg neuer Anwendungen bei und sorgen dafür, dass bestehende Technologien ihr erwartetes Potenzial erreichen.
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Unterstützung
Bitte kontaktieren Sie uns, wenn Sie technische Fragen, Materialanfragen, Interesse an Mustern oder Käufen von Business-Produkten (Speicher, SSD) usw. haben.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
