Please select your location and preferred language where available.
KIOXIA BiCS FLASH™ 3D-Flashspeicher
Eine neue Ära der Flashspeicher-Innovation
Als Erfinder des NAND-Flashspeichers vor über 35 Jahren ist KIOXIA heute einer der führenden Anbieter von Flashspeichern in der Branche – und bringt diese Technologie immer weiter voran. Die Einführung des 3D-Flashspeichers KIOXIA BiCS FLASH™ im Jahr 2007 und die damit einhergehende Einführung eines revolutionären Verfahrens zur vertikalen Stapelung und lateralen Skalierung, das eine erhebliche Steigerung der Speicherzellen pro Flächeneinheit ermöglichte, festigte den Ruf des Unternehmens als Vorreiter im Bereich technologischer Innovationen. Das Ergebnis ist eine bahnbrechende Flashspeicherarchitektur, die die ständige Nachfrage nach verbesserter Speicherdichte und -leistung erfüllt.
BiCS FLASH™ 3D-Flashspeicher – speziell für Ihre Anwendung entwickelt
KIOXIA 3D Flash Memory „BiCS FLASH™“ ist eine bahnbrechende Innovation, die die Anforderungen datenzentrierter Anwendungen wie fortschrittlicher Smartphones, PCs, SSDs und Rechenzentren erfüllt. Um die Anforderungen an hohe Leistung, hohe Dichte und Kosteneffizienz zu erfüllen, haben wir eine Vielzahl fortschrittlicher Technologien optimiert. Dazu gehören die CBA-Technologie (CMOS direct Bonded to Array) im Frontend-Prozess und die Montagetechnologie im Backend-Prozess.
Der "BiCS FLASH™" 3D-Flashspeicher von KIOXIA ist eine bahnbrechende Innovation, die die Anforderungen datenzentrierter Anwendungen wie fortschrittlicher Smartphones, PCs und Rechenzentren erfüllt. Um den Anforderungen an hohe Dichte und Leistung gerecht zu werden, baut jede BiCS FLASH™-Generation auf den Verbesserungen und technologischen Fortschritten ihrer Vorgänger auf und ist darauf ausgelegt, spezifische Anwendungsfälle und Überlegungen zur Investitionsplanung zu berücksichtigen. Sie können sich darauf verlassen, dass Sie mit KIOXIA 3D-Flashspeicherprodukten die sich schnell entwickelnden Speicher- und Leistungsanforderungen moderner Technologietools und -anwendungen erfüllen können.
Alle Generationen von BiCS FLASH™-Produkten unterstützen das wichtige Ziel von Kioxia – nachhaltige Technologielösungen für die Welt bereitzustellen.
KIOXIA BiCS FLASH™ Technologie und Strategie entdecken (Video)
Migrationsstrategie für BiCS FLASH™ 3D-Flashspeicher
Bei 3D-Flashspeichern wirkt sich eine bestimmte Anzahl von Schichten ab einem bestimmten Punkt negativ auf die Leistung und die Energieeffizienz aus. Um diesen negativen Auswirkungen entgegenzuwirken, hat KIOXIA mit verschiedenen technologischen Verbesserungen weitere Meilensteine erzielt. Heute entwickeln wir nach der BiCS FLASH™ Generation 8 parallel Generation 9 und 10.
BiCS FLASH™-Migration zur Erfüllung vielfältiger Anforderungen mit mehreren Knoten
- „Gen.“ repräsentiert eine Generation von BiCS FLASH™.
Wie in der vorstehenden Abbildung dargestellt, bietet KIOXIA eine Reihe von BiCS FLASH™-Technologiegenerationen an, die jeweils darauf ausgelegt sind, spezifische Anforderungen hinsichtlich Dichte, Leistung und Energieeffizienz zu erfüllen. Die „Dual-Axis“-Strategie von KIOXIA – ein geschäftlicher und technologischer Ansatz, bei dem zwei separate Produktlinien für 3D-Flashspeicher entwickelt werden, um unterschiedlichen Marktanforderungen gerecht zu werden – bietet leistungsstarke Flashspeicher für eine Vielzahl von Anwendungen.
Anwendungen profitieren von der BiCS FLASH™-Technologie
BiCS FLASH™ Generation 8 – neue Architektur, unübertroffene Vorteile
Die BiCS FLASH™ Generation 8 bietet signifikante Verbesserungen durch die Anwendung von zwei neuen Technologien – CMOS Directly Bonded to Array (CBA) und On Pitch Select Gate (OPS) – auf den Flashspeicher-Produktionsprozess. Einfach ausgedrückt sind CBA und OPS Fertigungs- und Designtechniken, die zu einer Erhöhung der Dichte, Leistung und Energieeffizienz führen.
Die BiCS FLASH™ Generation 8 ist eine ideale Technologielösung für Kunden, deren Speicheranforderungen durch die Explosion datenintensiver Anwendungen und KI-Funktionen belastet werden.
Verbesserungen der BiCS FLASH™ Generation 8 gegenüber der 6. Generation
Die nächsten Generationen der BiCS FLASH™-Technologie
BiCS FLASH™ Generation 9
Beeindruckende Leistung und Energieeffizienz
Die BiCS FLASH™ Generation 9 mit 512 GB und 1 TB TLC (Triple-Level-Zelle) wurde entwickelt, um Anwendungen zu unterstützen, die hohe Leistung und außergewöhnliche Energieeffizienz in den niedrigen bis mittleren Speicherkapazitäten erfordern. BiCS FLASH™-Produkte der 9. Generation nutzen bestehende CBA- und OPS-Technologien, um die Produktionseffizienz zu verbessern und innovative Flashspeicherlösungen zu liefern.
- Das Foto zeigt ein DC-Speichergerät mit 1 TB TLC.
BiCS FLASH™ Generation 10
Die Zukunft des 3D-Flashspeichers
Die BiCS FLASH™-Produkte der 10. Generation basieren auf derselben CMOS-Technologie wie die der 9. Generation und verfügen über eine erhöhte Anzahl an Speicherschichten, um den künftigen Bedarf an Lösungen mit höherer Kapazität und höherer Leistung zu decken. Mit branchenführenden 332 Schichten – das ist 1,5-mal mehr als bei der 8. Generation – erzielt KIOXIA weiterhin bemerkenswerte Fortschritte bei der Bitdichte und Energieeffizienz von Flashspeichern.
Innovative Technologien, die den Weg für eine höhere Kapazität ebnen
Untermauert werden die wichtigsten Verbesserungen der aktuellen Generation von BiCS FLASH™-Produkten durch mehrere bahnbrechende technologische Innovationen. Verbesserungen hinsichtlich Dichte, Leistung und Energieeffizienz wurden durch Fortschritte bei der technischen Konzeption und den Fertigungsprozessen von Flashspeichern erzielt. Erfahren Sie mehr darüber, wie CBA, OPS und Speicherbaugruppen mit 32 Chiplagen die Zukunft des 3D-Flashspeichers gestalten.
Produkte nach Anwendungen
Unabhängig davon, ob es sich um Anwendungen im Automobilbereich, kompakte Hochleistungs-PCs oder Cloud-Server und Hyperscale-Rechenzentren handelt – die Speicherlösungen von KIOXIA bieten hohe Leistung, hohe Speicherdichte, geringen Stromverbrauch, niedrige Latenzzeiten, Zuverlässigkeit und vieles mehr. Somit tragen sie zum Erfolg neuer Anwendungen bei und sorgen dafür, dass bestehende Technologien ihr erwartetes Potenzial erreichen.
Mehr erfahren und evaluieren
Unterstützung
Bitte kontaktieren Sie uns, wenn Sie technische Fragen, Materialanfragen, Interesse an Mustern oder Käufen von Business-Produkten (Speicher, SSD) usw. haben.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
