Please select your location and preferred language where available.
3D-Flashspeicher | „BiCS FLASH™“
KIOXIA stellt Flash-basierte Produkte für Speicheranwendungen der nächsten Generation bereit. Als Erfinder des NAND-Flashspeichers vor über 35 Jahren ist KIOXIA heute einer der weltweit größten Anbieter von Flash-Speichern – und bringt diese Technologie immer weiter voran.
KIOXIA-Technologie ist führend bei Speicher mit hoher Kapazität
KIOXIA 3D Flash Memory „BiCS FLASH™“ ist eine bahnbrechende Innovation, die die Anforderungen datenzentrierter Anwendungen wie fortschrittlicher Smartphones, PCs, SSDs und Rechenzentren erfüllt. Um die Anforderungen an hohe Leistung, hohe Dichte und Kosteneffizienz zu erfüllen, haben wir eine Vielzahl fortschrittlicher Technologien optimiert. Dazu gehören die CBA-Technologie (CMOS direct Bonded to Array) im Frontend-Prozess und die Montagetechnologie im Backend-Prozess.
CBA-Technologie im Frontend-Prozess
Bei der CBA-Technologie werden jeder CMOS-Wafer und jeder Cell-Array-Wafer separat in optimierter Form hergestellt und dann miteinander verbunden, um eine höhere Bitdichte und eine schnelle NAND-I/O-Geschwindigkeit zu erreichen. Die getrennte Herstellung der Zelle und der Peripheriegeräte ermöglicht die Optimierung beider Komponenten, wodurch keine Kompromisse mehr zwischen der Zuverlässigkeit der Zelle und der I/O-Geschwindigkeit eingegangen werden müssen. Zugleich bedeutet dies einen großen Sprung in Sachen Energieeffizienz, Leistung, Dichte, Kosteneffizienz und Nachhaltigkeit.*1
Interview
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
Montagetechnik im Backend-Prozess
KIOXIA hat einen Flash-Speicher mit einer hohen Kapazität von 8 TB entwickelt, indem 32 Flash-Speicherchips mit einer Kapazität von jeweils 2 Tb in einem einzigen Package gestapelt wurden. Diese Speicherlösung wurde durch unsere fortschrittlichen Backend-Prozesse ermöglicht, einschließlich Waferverdünnung, Materialdesign und Drahtverbindungstechnologien.
Interview
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
Technologie der BiCS FLASH™ Generation 8 – Warum CBA?
Bei der CBA-Technologie werden jeder CMOS-Wafer und jeder Cell-Array-Wafer separat in optimierter Form hergestellt und dann miteinander verbunden, um eine höhere Bitdichte und eine schnelle NAND-I/O-Geschwindigkeit zu erreichen. Die getrennte Herstellung der Zelle und der Peripheriegeräte ermöglicht die Optimierung beider Komponenten, wodurch keine Kompromisse mehr zwischen der Zuverlässigkeit der Zelle und der I/O-Geschwindigkeit eingegangen werden müssen. Zugleich bedeutet dies einen großen Sprung in Sachen Energieeffizienz, Leistung, Dichte, Kosteneffizienz und Nachhaltigkeit.*1
BiCS FLASH™-Technologien
Hauptmerkmale*
Hohe Speicherdichte pro Chip im Vergleich zu herkömmlichen Flashspeichern
Hohe Lese-/Schreibgeschwindigkeit
Höhere Zuverlässigkeit als die (planare) 2D-NAND-Technologie
Geringer Stromverbrauch
* Im Vergleich zur 2D-Planartechnologie
Zielanwendungen
Effizienz von Rechenzentren
Der BiCS FLASH™ 3D-Flashspeicher wurde entwickelt, um die größten Herausforderungen in Rechenzentren zu meistern:
Funktionsprinzip des 3D-Flashspeichers
Das Prinzip des 3D-Flashspeichers wird anhand einer CG-Animation (computergeneriert) erklärt, wobei auf die Unterschiede zum Sonnenlicht eingegangen wird (auf Japanisch mit englischen Untertiteln).
Die skalierbare BiCS FLASH™ 3D-Flashspeicher-Technologie von KIOXIA erhöht die Speicherkapazität auf das bisher höchste Niveau*2
TLC-Technologie (Triple-Level-Zelle) und QLC-Technologie (Quadruple-Level-Zelle)
Die BiCS FLASH™ 3D-Flashspeicher-Produktpalette umfasst sowohl die TLC-Technologie mit 3 Bit pro Zelle als auch die QLC-Technologie mit 4 Bit pro Zelle. Mit der QLC-Technologie wird die Kapazität erheblich erweitert, indem die Anzahl der Datenbits pro Speicherzelle von drei auf vier erhöht wird. Mit der BiCS FLASH™ QLC-Technologie in einer 16-Die-Stacked-Architektur kann eine Kapazität von 4 Terabyte (TB) in einem einzigen Gehäuse erreicht werden.
Führend in der Entwicklung höherer Speicherdichte und Effizienz
KIOXIA war der einer der ersten Branchenakteure, der sich die erfolgreiche Migration der SLC-Technologie auf MLC, von MLC auf TLC und jetzt von TLC auf QLC vorstellte und sich darauf vorbereitete.
Die QLC-Technologie von KIOXIA ist ideal für Anwendungen, die Speicherlösungen mit hoher Dichte und geringeren Kosten erfordern. Der heutige QLC reduziert den Platzbedarf mit der höchsten Dichte, die in einem einzigen Paket verfügbar ist. So kann die Speicherlösung skaliert werden.
- Merkmale und typische Leistungsverbesserungen im Vergleich zur vorherigen Generation des BiCS FLASH™ 3D TLC-Flashspeichers.
- Quelle: KIOXIA – Pressemitteilung vom 3. Juli 2024
Produkte nach Anwendungen
Unabhängig davon, ob es sich um Anwendungen im Automobilbereich, kompakte Hochleistungs-PCs oder Cloud-Server und Hyperscale-Rechenzentren handelt – die Speicherlösungen von KIOXIA bieten hohe Leistung, hohe Speicherdichte, geringen Stromverbrauch, niedrige Latenzzeiten, Zuverlässigkeit und vieles mehr. Somit tragen sie zum Erfolg neuer Anwendungen bei und sorgen dafür, dass bestehende Technologien ihr erwartetes Potenzial erreichen.
Mehr erfahren und evaluieren
Unterstützung
Bitte kontaktieren Sie uns, wenn Sie technische Fragen, Materialanfragen, Interesse an Mustern oder Käufen von Business-Produkten (Speicher, SSD) usw. haben.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
