Please select your location and preferred language where available.
UFS 3.1 / 2.1 και e-MMC για αυτοκίνητα
Απαιτήσεις της μνήμης UFS 3.1 / 2.1 και e-MMC για χρήση στην αυτοκινητοβιομηχανία
- Συμμόρφωση με το πρότυπο IATF16949
- Συμμόρφωση με τα πρότυπα της αυτοκινητοβιομηχανίας (π.χ. το πρότυπο AEC-Q100 Stress Test Qual)
- Υποστηρίζει PPAP (Διαδικασία Έγκρισης Παραγωγής Εξαρτημάτων)
- Μεγάλο εύρος θερμοκρασιών (π.χ. -40°C έως +105°C)
- Χαμηλό ποσοστό αστοχίας
- Μεγαλύτερος χρόνος υλοποίησης για PCN (ειδοποιήσεις αλλαγής προϊόντος) σε σύγκριση με εξαρτήματα που δεν είναι προδιαγραφών αυτοκινητοβιομηχανίας
- Ιδιαίτερα τεχνικά χαρακτηριστικά (π.χ. βελτιωμένη αξιοπιστία συγκόλλησης, μέτρα ασφαλείας εάν το τσιπ υπερβεί μια συγκεκριμένη θερμοκρασία κ.λπ.)
UFS (1) 3.1 / 2.1 για αυτοκίνητα
Διαθέσιμες χωρητικότητες: 32 GB, 64 GB, 128 GB, 256 GB, 512 GB
e-MMC(2) για αυτοκίνητα
UFS 4.0 επόμενης γενιάς για χρήση στην αυτοκινητοβιομηχανία
Οι συσκευές KIOXIA UFS 4.0 παρέχουν βελτιωμένες δυνατότητες για την υποστήριξη των ολοένα και πιο εξελιγμένων εφαρμογών αυτοκινήτων. Με ταχύτητα διασύνδεσης έως και 46,4 Gbps και μια σειρά επιλογών πυκνότητας, οι νέες συσκευές UFS 4.0 για αυτοκίνητα είναι κατάλληλες για την υποστήριξη των περίπλοκων εφαρμογών αυτοκίνησης επόμενης γενιάς.
Η διεπαφή αλλάζει από e-MMC (παράλληλη) σε UFS (σειριακή)
Η μνήμη UFS θεωρήθηκε συγκεκριμένα από την JEDEC ως ο διάδοχος υψηλών επιδόσεων της μνήμης e-MMC. Έχει αναδειχθεί σε κορυφαία λύση για smartphone και συνεχίζει να διεισδύει σε άλλους τομείς όπως η αυτοκινητοβιομηχανία. Η UFS αναμένεται να ξεπεράσει την e-MMC ως την κύρια λύση αποθήκευσης στις εφαρμογές αυτοκίνησης.
Η τάση της αγοράς για τη μνήμη UFS
Η μνήμη UFS είναι κατά το πρότυπο JEDEC ο επόμενος αντικαταστάτης της μνήμης e-MMC ως προς την ταχύτητα και την απόδοση. Οι κατασκευαστές smartphone υιοθέτησαν τη UFS λόγω των πλεονεκτημάτων απόδοσης. Η αυτοκινητοβιομηχανία κάνει το ίδιο.
Γιατί UFS;
Με απλά λόγια, είναι ο διάδοχος της e-MMC. Η απόδοση της UFS θα συνεχίσει να αυξάνεται, διευρύνοντας σημαντικά το πλεονέκτημα απόδοσής της σε σχέση με την e-MMC.
Τι προσφέρει η UFS σε σύγκριση με την e-MMC:
- Ταχύτερη διασύνδεση
- Υψηλότερη απόδοση ανάγνωσης και εγγραφής
- Εκδόσεις υψηλότερης πυκνότητας
- Καλύτερη ενεργειακή απόδοση
Σύγκριση χρόνου εκκίνησης (έξοδος δεδομένων 64 MB)
Ο ταχύτερος χρόνος εκκίνησης με μεγάλο όγκο δεδομένων εκκίνησης είναι ένα μεγάλο κίνητρο για τη χρήση της μνήμης UFS σε εφαρμογές αυτοκίνησης.
Η UFS έχει ταχύτερο χρόνο εκκίνησης από άλλες συσκευές αποθήκευσης χάρη στην υψηλή ταχύτητα διαδοχικής ανάγνωσης.
Πρόσθετα χαρακτηριστικά της μνήμης UFS που την καθιστούν ιδανική και αξιόπιστη στην αυτοκινητοβιομηχανία
- Έλεγχος θερμοκρασίας: Εάν η θερμοκρασία υπερβεί τους 105 °C, η συσκευή επιβραδύνει τη λειτουργία της και ειδοποιεί τον κεντρικό επεξεργαστή να αναλάβει δράση
- Εκτεταμένη διάγνωση: η μονάδα ελέγχου της UFS παρακολουθεί διάφορες παραμέτρους, όπως κύκλους εγγραφής/διαγραφής, τρέχουσα θερμοκρασία κ.λπ. και αναφέρει την κατάσταση της συσκευής στον κεντρικό επεξεργαστή
- Ανανέωση: επιτρέπει την ανανέωση των κατεστραμμένων δεδομένων, βελτιώνοντας την αξιοπιστία των δεδομένων.
Η KIOXIA ηγείται της τεχνολογίας UFS από το 2013, όντας η πρώτη εταιρεία που δοκίμασε την τεχνολογία*
και θα συνεχίσει να δείχνει το δρόμο για τις εφαρμογές της αυτοκινητοβιομηχανίας του μέλλοντος.
* 8 Φεβρουαρίου 2013. Έρευνα της Kioxia.
Προδιαγραφές UFS 3.1 / 2.1 για αυτοκίνητα
AEC-Q100 κατηγορίας 2(3)
*Μπορείτε να μετακινηθείτε στον πίνακα με οριζόντια κύλιση.
| Χωρητικότητα | Κωδικός προϊόντος | UFS έκδοση |
Μέγιστος ρυθμός δεδομένων (MB/s) |
Τάση Τροφοδοσίας | Θερμοκρασία λειτουργίας (°C) (4) |
Μέγεθος πακέτου (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 32 GB | THGAFBG8T13BAB7(6) | 2.1 | 1160 | 2,7 έως 3,6 | - (7) | 1,70 έως 1,95 | -40 έως 105 | 11,5x13x1 |
| THGAFEG8T13BAB7 | ||||||||
| 64 GB | THGAFBG9T23BAB8(6) | 11,5x13x1,2 | ||||||
| THGAFEG9T23BAB8 | ||||||||
| 128 GB | THGAFBT0T43BAB8(6) | |||||||
| THGAFET0T43BAB8 | ||||||||
| 256 GB | THGAFBT1T83BAB5(6) | 11,5x13x1,3 | ||||||
| THGAFET1T83BAB5 | ||||||||
| 64 GB | THGJFGG9T15BAB8 | 3.1 | 2320 | 2,4 έως 2,7, 2,7 έως 3,6 |
1,14 έως 1,26 | - (8) | -40 έως 105 | 11,5x13x1,2 |
| 128 GB | THGJFGT0T25BAB8 | |||||||
| 256 GB | THGJFGT1T45BAB8 | |||||||
| 512 GB | THGJFGT2T85BAB5 | 11,5x13x1,3 | ||||||
AEC-Q100 κατηγορίας 3
*Μπορείτε να μετακινηθείτε στον πίνακα με οριζόντια κύλιση.
| Χωρητικότητα | Κωδικός προϊόντος | UFS έκδοση |
Μέγιστος ρυθμός δεδομένων (MB/s) |
Τάση Τροφοδοσίας | Θερμοκρασία λειτουργίας (°C) (5) |
Μέγεθος πακέτου (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 64 GB | THGJFGG9T15BAA8 | 3.1 | 2320 | 2,4 έως 2,7, 2,7 έως 3,6 |
1,14 έως 1,26 | - (8) | -40 έως 85 | 11,5x13x1,2 |
| 128 GB | THGJFGT0T25BAA8 | |||||||
| 256 GB | THGJFGT1T45BAA8 | |||||||
| 512 GB | THGJFGT2T85BAA5 | 11,5x13x1,3 | ||||||
Προδιαγραφές e-MMC για αυτοκίνητα
AEC-Q100 κατηγορίας 2
*Μπορείτε να μετακινηθείτε στον πίνακα με οριζόντια κύλιση.
| Χωρητικότητα | Κωδικός προϊόντος | e-MMC έκδοση |
Μέγιστος ρυθμός δεδομένων (MB/s) |
Τάση Τροφοδοσίας | Θερμοκρασία λειτουργίας (°C) (4) |
Μέγεθος πακέτου (mm) |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
||||||
| 8 GB | THGBMJG6C1LBAC7 | 5.1 | 400 | 2,7 έως 3,6 | 1,70 έως 1,95, 2,7 έως 3,6 |
-40 έως 105 | 11,5x13x1 |
| 16 GB | THGBMJG7C2LBAC8 | 11,5x13x1,2 | |||||
| 32 GB | THGBMJG8C4LBAC8 | ||||||
| 64 GB | THGBMJG9C8LBAC8 | ||||||
| 32 GB | THGAMVG8T13BAB7 | 1,70 έως 1,95 | 11,5x13x1 | ||||
| 64 GB | THGAMVG9T23BAB8 | 11,5x13x1,2 | |||||
| 128 GB | THGAMVT0T43BAB8 | ||||||
| 256 GB | THGAMVT1T83BAB5 | 11,5x13x1,3 | |||||
AEC-Q100 κατηγορίας 3
*Μπορείτε να μετακινηθείτε στον πίνακα με οριζόντια κύλιση.
| Χωρητικότητα | Κωδικός προϊόντος | e-MMC έκδοση |
Μέγιστος ρυθμός δεδομένων (MB/s) |
Τάση Τροφοδοσίας | Θερμοκρασία λειτουργίας (℃) |
Μέγεθος πακέτου (mm) |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
||||||
| 32 GB | THGAMVG8T13BAA7 | 5.1 | 400 | 2,7 έως 3,6 | 1,70 έως 1,95 | -40 έως 85 | 11,5x13x1 |
| 64 GB | THGAMVG9T23BAA8 | 11,5x13x1,2 | |||||
| 128 GB | THGAMVT0T43BAA8 | ||||||
| 256 GB | THGAMVT1T83BAA5 | 11,5x13x1,3 | |||||
- Τα προϊόντα Universal Flash Storage (UFS) είναι μια κατηγορία ενσωματωμένων προϊόντων μνήμης που έχουν κατασκευαστεί σύμφωνα με την τυπική προδιαγραφή UFS της JEDEC.
- Τα προϊόντα e-MMC είναι μια κατηγορία ενσωματωμένων προϊόντων μνήμης που έχουν κατασκευαστεί σύμφωνα με την τυπική προδιαγραφή e-MMC της JEDEC.
- Απαιτήσεις πιστοποίησης ηλεκτρικών εξαρτημάτων όπως καθορίζονται από το AEC (Συμβούλιο Ηλεκτρονικών Συστημάτων Αυτοκινήτων).
- Tc = 115°C κατά μέγ.
- Tc = 95°C κατά μέγ.
- Η μέγιστη χωρητικότητα προφόρτισης περιορίζεται στο 25% περίπου της χωρητικότητας της περιοχής χρήστη.
- Αυτό το προϊόν υποστηρίζει τη λειτουργία διπλής παροχής VCC και VCCQ2. Δεν υπάρχει ανάγκη παροχής VCCQ.
- Αυτό το προϊόν υποστηρίζει τη λειτουργία διπλής παροχής VCC και VCCQ. Δεν υπάρχει ανάγκη παροχής VCCQ2.
- Σε κάθε αναφορά ενός προϊόντος Kioxia: Η πυκνότητα του προϊόντος προσδιορίζεται με βάση την πυκνότητα των τσιπ μνήμης μέσα στο προϊόν και όχι την ποσότητα της χωρητικότητας της μνήμης που είναι διαθέσιμη για την αποθήκευση δεδομένων από τον τελικό χρήστη. Η χωρητικότητα που μπορεί να χρησιμοποιηθεί από τον καταναλωτή θα είναι μικρότερη λόγω των επικαλυπτόμενων περιοχών δεδομένων, της μορφοποίησης, των κακών μπλοκ και άλλων περιορισμών και μπορεί επίσης να διαφέρει ανάλογα με τη συσκευή υποδοχής και την εφαρμογή. Για λεπτομέρειες, ανατρέξτε στις ισχύουσες προδιαγραφές του προϊόντος. Ο ορισμός του 1KB = 2^10 bytes = 1.024 bytes. Ο ορισμός του 1Gb = 2^30 bits = 1.073.741.824 bits. Ο ορισμός του 1GB = 2^30 bytes = 1,073,741,824 bytes. 1Tb = 2^40 bits = 1.099.511.627.776 bits.
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
