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BENAND™ pour OEM et Industriel
BENAND™ : Soulage les processeurs hôtes
A versatile, multi-application SLC (single-level cell) NAND flash memory with embedded error correction code (ECC), KIOXIA BENAND™ removes the burden of ECC from the host processor while maintaining the compliant specifications, reliability and performance with RAW SLC NAND flash memory. This enables it to be used with host controllers that do not have 8-bit ECC capability. Many legacy designs still use processors that do not have 8-bit ECC capability, making BENAND™ a viable option for companies looking to design in a newer-generation NAND flash memory solution with existing hardware.
Mémoire flash NAND SLC (cellule à un seul niveau) polyvalente et multi-applications avec code de correction d’erreur (ECC) intégré, KIOXIA BENAND™ supprime le fardeau de l’ECC du processeur hôte tout en conservant les spécifications de conformité, la fiabilité et les performances avec la mémoire flash RAW SLC NAND. Cela permet de l’utiliser avec des contrôleurs hôtes dépourvus de capacité ECC 8 bits. De nombreuses conceptions héritées utilisent encore des processeurs dépourvus de capacité ECC 8 bits, faisant de BENAND™ une option viable pour les entreprises cherchant à concevoir une solution de mémoire flash NAND de nouvelle génération avec le matériel existant.
Principales caractéristiques de KIOXIA BENAND™
- Correcteur d’erreurs EEC intégré
- Technologie de processus mémoire flash NAND SLC 24 nm
- Disponible en une large gamme de capacités 1 Go, 2 Go, 4 Go et 8 Go
- Compatibilité : L’interface, les fonctionnalités de base et la séquence de commandes sont compatibles avec la mémoire flash NAND SLC
Technologie clé KIOXIA BENAND™
Plage de densité et température de fonctionnement
BENAND™ is offered in 1Gb to 8Gb densities and available in commercial temperature (0℃ to 70℃) and industrial temperature (-40℃ to 85℃) options.
BENAND™ est proposé dans des densités de 1 Go à 8 Go et disponible en options de température commerciale (0 °C à 70 °C) et de température industrielle (-40 °C à 85 °C).
Haute fiabilité et haute performance
À 1 bit par cellule, la mémoire flash NAND SLC offre une endurance de cycle programme/effacement supérieure à la plupart des mémoires bit par cellule (MLC/TLC/QLC).
Fabriqué sur un processus de 24 nm
La mémoire flash NAND KIOXIA SLC utilise la technologie de processus 24 nm pour optimiser l’évolutivité et la longévité.
BENAND™ propose une capacité ECC interne
KIOXIA BENAND™, avec ECC interne, est une solution pour les processeurs hôtes plus anciens. KIOXIA BENAND™ est disponible en densités de 1 Go, 2 Go, 4 Go/s et 8 Go/s avec les boîtiers TSOP et BGA. (TSOP : boîtier mince à connexions courtes, BGA : boîtier matriciel à billes)
Applications clés KIOXIA BENAND™
Console de jeu / Smart TV / Casques de réalité virtuelle / Décodeur / Enregistreur vidéo numérique / Enceinte intelligente / Maison intelligente / Dispositifs portables / Santé à domicile / Réseau domestique
Automatisation / Santé numérique / Transport / Surveillance / Robot / Drone / Sécurité / Signalisation numérique / Réseau (zone 5G) / PoS (Point de vente)
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Gamme de produits
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Support
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
