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Mémoire flash 3D | « BiCS FLASH™ »
KIOXIA fournit des produits à mémoire flash destinés aux applications de stockage de nouvelle génération. Ayant inventé la mémoire flash NAND il y a plus de 35 ans, KIOXIA est actuellement l’un des plus grands fournisseurs de mémoire flash au monde, et ne cesse de faire progresser la technologie.
La technologie KIOXIA est leader dans le domaine du stockage de haute capacité
La mémoire flash 3D KIOXIA « BiCS FLASH™ » est une innovation révolutionnaire qui répond aux besoins des applications centrées sur les données telles que les smartphones, les PC, les disques SSD et les centres de données avancés. Pour répondre aux exigences de haute performance, de haute densité et de rentabilité, nous avons optimisé diverses technologies avancées. Parmi celles-ci figurent la technologie CBA (CMOS directly Bonded to Array) dans le processus front-end et la technologie d’assemblage en back-end.
Technologie CBA dans le processus front-end
La mémoire flash 3D BiCS FLASH™ génération 8 de KIOXIA est dotée de 218 couches et de la technologie de collage de tranches (CBA) CMOS directement liée à la matrice, une innovation architecturale qui répond aux besoins des applications centrées sur les données telles que les smartphones, les PC, les SSD et les centres de données avancés. Si les performances, la densité élevée et la rentabilité sont primordiales pour vous, la mémoire flash BiCS FLASH™ 3D est la solution idéale.
Grâce à la technologie CBA, les tranches CMOS et les tranches de réseau cellulaire sont fabriquées séparément dans leur état optimal, puis assemblées pour fournir une densité de bits améliorée et une vitesse d’E/S NAND rapide. Fabriquer la cellule et le périphérique séparément permet de les optimiser, éliminant ainsi le compromis entre fiabilité de la cellule et vitesse d’E/S, et offrant une avancée majeure en termes d’efficacité énergétique, de performance, de densité, de rentabilité et de durabilité.*1
Entretien
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
Technologie d’assemblage en back-end
KIOXIA a développé une mémoire flash haute capacité de 8 To en empilant 32 matrices de mémoire flash dont chacune a une capacité de 2 Tb, dans un seul boîtier. Cette solution de mémoire a vu le jour grâce à nos processus avancés de back-end, notamment l’amincissement de tranches, la conception de matériaux et les technologies de câblage par fil.
Entretien
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
Technologie BiCS FLASH™ génération 8 – Pourquoi la technologie CBA ?
Grâce à la technologie CBA, les tranches CMOS et les tranches de réseau cellulaire sont fabriquées séparément dans leur état optimal, puis assemblées pour fournir une densité de bits améliorée et une vitesse d’E/S NAND rapide. Fabriquer la cellule et le périphérique séparément permet de les optimiser, éliminant ainsi le compromis entre fiabilité de la cellule et vitesse d’E/S, et offrant une avancée majeure en termes d’efficacité énergétique, de performance, de densité, de rentabilité et de durabilité.*1
Technologies BiCS FLASH™
Principales caractéristiques*
Densité de stockage par matrice supérieure à celle de la mémoire flash classique
Performances de vitesse de lecture/d’écriture supérieures
Fiabilité supérieure à celle de la NAND 2D (planaire)
Faible consommation énergétique
* Par rapport à la technologie planaire 2D
Applications cibles
Efficacité des centres de données
La Mémoire flash BiCS FLASH™ 3D a été conçue pour résoudre les problèmes les plus complexes des centres de données :
Principe de fonctionnement de la mémoire flash 3D
Le principe de fonctionnement de la mémoire flash 3D est expliqué par l’animation CG (générée par ordinateur) en le comparant avec le rayonnement solaire (en japonais avec des sous-titres en anglais).
La technologie de mémoire flash BiCS FLASH™ 3D évolutive de KIOXIA augmente la capacité de mémoire à un niveau supérieur jamais atteint*2
Technologies TLC (cellule à triple niveau) et QLC (cellule à quadruple niveau)
La gamme de produits mémoire flash BiCS FLASH™ 3D comprend les technologies 3 bits par cellule (TLC) et 4 bits par cellule (QLC). La technologie QLC augmente considérablement la capacité en faisant passer le nombre de bits de données par cellule de mémoire de trois à quatre. Il est possible d’atteindre une capacité de 4 téraoctets (To) dans un seul boîtier en utilisant la technologie QLC BiCS FLASH™ dans une architecture empilée à 16 matrices.
Mettre tout en œuvre pour une plus grande densité et efficacité de la mémoire
KIOXIA a été le premier acteur du secteur à envisager et à préparer une migration réussie de la technologie SLC vers MLC, de MLC vers TLC, et maintenant de TLC vers QLC.
La technologie QLC de KIOXIA est idéale pour les applications nécessitant des solutions de stockage à haute densité et à moindre coût. Le QLC d’aujourd’hui réduit l’empreinte carbone en offrant la densité la plus élevée disponible dans un seul boîtier ce qui permet à la solution de stockage d’être évolutive.
- Fonctionnalités et performances d'utilisation standard améliorées par rapport à la génération précédente de mémoire flash TLC 3D BiCS FLASH™.
- Source : Communiqué de presse de KIOXIA : 3 juillet 2024
Produits par applications
Qu’il s’agisse d’applications pour l’automobile, de PC compacts axés sur les hautes performances ou de déploiements de serveurs cloud et de centres de données hyperscale, et tout en offrant des performances élevées avancées, une haute densité, une faible puissance, une faible latence, une belle fiabilité et plus encore, les solutions de mémoire et de stockage KIOXIA permettent aux applications émergentes de connaître un grand succès et aux technologies existantes d’atteindre le potentiel qu’on attend d’elles.
Apprenez et évaluez
Assistance
Veuillez nous contacter si vous avez des questions techniques, des demandes concernant le matériel, si vous êtes intéressés par des échantillons ou des achats de produits professionnels (cartes mémoires, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
