Please select your location and preferred language where available.
Tecnologie innovative che aprono la strada a una maggiore capacità
Alla base dei principali miglioramenti dei prodotti BiCS FLASH™ di ultima generazione ci sono diverse innovazioni tecnologiche innovative. I miglioramenti in termini di densità, prestazioni ed efficienza energetica sono stati ottenuti grazie agli avanzamenti nella progettazione e nei processi di assemblaggio di memorie flash. Scopri come il CMOS direttamente collegato all'array (CBA) , On Pitch Select Gate (OPS) e l'assemblaggio di memoria a 32 matrici stanno offrendo il futuro della memoria flash 3D.
Tecnologie nel processo di front-end
Intervista
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
Tecnologia OPS
Tradizionalmente, tra le celle di memoria esistevano aree "fittizie" inutilizzate, che riducevano la densità della memoria. Grazie a OPS, queste aree fittizie non necessarie vengono eliminate, consentendo di inserire un maggior numero di celle di memoria effettive nello stesso spazio. Ciò aumenta notevolmente la densità di memoria.
Tecnologia di assemblaggio nel processo di back-end
KIOXIA ha sviluppato una memoria flash da 8TB a capacità elevata, impilando 32 matrici di memoria flash, ciascuna con una capacità di 2Tb, all'interno di un unico pacchetto. Questa soluzione di memoria è stata resa possibile grazie ai nostri processi avanzati di back-end, tra cui assottigliamento dei wafer, progettazione dei materiali e tecnologie di bonding dei fili.
Intervista
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
Fondamenti delle tecnologie BiCS FLASH™ comuni a tutte le generazioni
La memoria flash 3D BiCS FLASH™ impila verticalmente le celle di memoria, aumentando significativamente la densità di archiviazione. Questa architettura a forma di grattacielo supera i limiti della memoria flash 2D (planare), in cui le celle sono disposte una accanto all'altra. L'aumento della distanza tra le celle riduce l'interferenza da cella a cella, consentendo densità, prestazioni ed efficienza energetica migliorate rispetto alla memoria flash 2D.
Tecnologia TLC (cella a tre livelli) e QLC (cella a quattro livelli)
La gamma di prodotti di memoria flash 3D BiCS FLASH™ include sia la tecnologia a 3 bit per cella (TLC) che quella a 4 bit per cella (QLC). La tecnologia QLC espande significativamente la capacità, incrementando il numero di bit per i dati di ogni cella di memoria da tre a quattro. È possibile ottenere una capacità di 4 terabyte (TB) in un unico pacchetto utilizzando la tecnologia BiCS FLASH™ QLC in un'architettura impilata a 16 matrici.
KIOXIA è stata una delle prime società del settore a progettare e prepararsi efficacemente alla migrazione della tecnologia SLC a MLC, da MLC a TLC e da TLC a QLC.
La tecnologia QLC di KIOXIA è ideale per applicazioni che richiedono soluzioni di archiviazione ad alta densità e a costi ridotti: la QLC odierna riduce l'ingombro con la densità più elevata disponibile in un unico pacchetto e consente di scalare le soluzioni di archiviazione.
Prodotti per applicazioni
Che si tratti di applicazioni automobilistiche, PC compatti orientati alle alte prestazioni o l’implementazione di server cloud e data center hyperscale, le soluzioni di memoria e archiviazione di KIOXIA assicurano il successo delle nuove applicazioni e consentono alle tecnologie esistenti di raggiungere il loro potenziale offrendo prestazioni elevate e all’avanguardia, alta densità, consumi e latenza ridotti, affidabilità e molto altro.
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
