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BENAND™ per OEM e industriale
BENAND™: alleggerire il carico dei processori host
A versatile, multi-application SLC (single-level cell) NAND flash memory with embedded error correction code (ECC), KIOXIA BENAND™ removes the burden of ECC from the host processor while maintaining the compliant specifications, reliability and performance with RAW SLC NAND flash memory. This enables it to be used with host controllers that do not have 8-bit ECC capability. Many legacy designs still use processors that do not have 8-bit ECC capability, making BENAND™ a viable option for companies looking to design in a newer-generation NAND flash memory solution with existing hardware.
Una memoria flash NAND SLC (single-level cell) versatile e multi-applicazione con codice di correzione degli errori (ECC) integrato, KIOXIA BENAND™ elimina il carico di ECC dal processore host mantenendo le specifiche, l'affidabilità e le prestazioni conformi con la memoria flash RAW SLC NAND. Ciò consente l’utilizzo con controller host che non hanno capacità ECC a 8 bit. Molti progetti legacy utilizzano ancora processori che non hanno capacità ECC a 8 bit, rendendo BENAND™ un'opzione praticabile per le aziende che desiderano progettare una soluzione di memoria flash NAND di nuova generazione con hardware esistente.
Caratteristiche principali di KIOXIA BENAND™
- Motore ECC integrato
- Tecnologia di processo della memoria flash SLC NAND da 24 nm
- Disponibile con capacità da 1Gb, 2 GB, 4Gb e 8Gb in un'ampia gamma di capacità
- Compatibilità: interfaccia, funzioni di base e sequenza di comandi seguono quelle della memoria flash SLC NAND
Tecnologia chiave KIOXIA BENAND™
Density Range and Operation Temperature
BENAND™ is offered in 1Gb to 8Gb densities and available in commercial temperature (0℃ to 70℃) and industrial temperature (-40℃ to 85℃) options.
Gamma di densità e temperatura di funzionamento
BENAND™ è disponibile in capacità da 1Gb a 8Gb e con opzioni di temperatura per uso commerciale (da 0 °C a 70 °C) e temperatura per uso industriale (da -40 °C a 85 °C).
Alta affidabilità e prestazioni elevate
A 1 bit per cella, la memoria flash SLC NAND può fornire una maggiore resistenza del ciclo di programmazione/cancellazione rispetto alla maggior parte delle memorie bit per cella (MLC/TLC/QLC).
Prodotto con un processo a 24 nm
La memoria flash KIOXIA SLC NAND utilizza la tecnologia di processo a 24 nm per ottimizzare scalabilità e longevità.
BENAND™ offre funzionalità ECC interne
KIOXIA BENAND™, con ECC interno, offre una soluzione per i processori host più vecchi. KIOXIA BENAND™ è disponibile in capacità da 1Gb, 2 GB, 4Gb e 8Gb con package TSOP e con BGA. (TSOP: Thin Small Outline Package, BGA: Ball Grid Array)
Applicazioni principali KIOXIA BENAND™
Console di gioco / Smart TV / Cuffie in realtà virtuale / Set-Top-Box / Videoregistratore digitale / Altoparlante intelligente / Smart home / Dispositivi indossabili / Home Health / Home Network
Automazione / Sanità digitale / Trasporti / Sorveglianza / Robot / Droni / Sicurezza / Segnaletica digitale / Reti (area network 5G) / PoS (Point of Sales)
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Support
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
