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Memoria flash RAW SLC NAND per OEM e industriale
SLC: una scelta affidabile e ad alte prestazioni
Una memoria non volatile a 1 bit per cella, la memoria flash NAND KIOXIA SLC (single-level cell) scrive grandi quantità di dati ad alta velocità, fornisce un'elevata resistenza del ciclo di scrittura/eliminazione e offre supporto per un'ampia gamma di temperature operative, il tutto con un'elevata affidabilità. Inoltre, rispetto alla memoria flash NOR, è possibile ottenere significativi risparmi sui costi per i dispositivi a densità più elevata. Grazie a questi attributi, la memoria flash SLC NAND viene adottata in un'ampia gamma di applicazioni industriali e di consumo.
Caratteristiche principali della memoria flash KIOXIA RAW SLC NAND
- 24nm Process Technology
- High performance & reliability
- Industrial-temperature availability
- Support both 3V and 1.8V VCC Options
- BGA*1 package (6.5 x 8 mm / 9 x 11 mm) / TSOP*2 (12 x 20 mm)
- Ability to read and write data at high speeds
- Support for high-write/erase cycle endurance
- BGA (Ball Grid Array)
- TSOP (Thin Small Outline Package)
- Tecnologia di processo a 24 nm
- Affidabilità e prestazioni elevate
- Disponibilità di temperatura per uso industriale
- Supporta entrambe le opzioni CC da 3V e 1,8 V
- BGA*1 package (6,5 x 8 mm / 9 x 11 mm) / TSOP*2 (12 x 20 mm)
- Possibilità di leggere e scrivere dati ad alta velocità
- Supporto per un’elevata resistenza del ciclo di scrittura/cancellazione
- BGA (Ball Grid Array)
- TSOP (Thin Small Outline Package)
Tecnologia KIOXIA RAW SLC NAND Flash Memory Key
Offers Wide Lineup
Offre un'ampia gamma
KIOXIA offre una vasta gamma di componenti di memoria flash SLC NAND con densità variabili. Offre opzioni di package adatto sia a temperature per uso commerciale (da 0 °C a 70 °C) sia per uso industriale (da -40 °C a 85 °C).
Alta affidabilità e prestazioni elevate
A 1 bit per cella, la memoria flash SLC NAND può fornire una maggiore resistenza del ciclo di programmazione/cancellazione rispetto alla maggior parte delle memorie bit per cella (MLC/TLC/QLC).
Prodotto con un processo a 24 nm
La memoria flash KIOXIA SLC NAND utilizza una tecnologia di processo a 24 nm ad alte prestazioni per ottimizzare scalabilità, longevità e costi.
Applicazioni principali NAND SLC (Single-Level Cell) KIOXIA RAW
Console di gioco / Smart TV / Cuffie in realtà virtuale / Set-Top-Box / Videoregistratore digitale / Altoparlante intelligente / Smart home / Dispositivi indossabili / Home Health / Home Network
Automazione / Sanità digitale / Trasporti / Sorveglianza / Robot / Droni / Sicurezza / Segnaletica digitale / Reti (area network 5G) / PoS (Point of Sales)
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Linea di prodotti
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32 Gb* |
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
