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Innovative Technologien, die den Weg für eine höhere Kapazität ebnen
Untermauert werden die wichtigsten Verbesserungen der aktuellen Generation von BiCS FLASH™-Produkten durch mehrere bahnbrechende technologische Innovationen. Verbesserungen hinsichtlich Dichte, Leistung und Energieeffizienz wurden durch Fortschritte bei der technischen Konzeption und den Fertigungsprozessen von Flashspeichern erzielt. Erfahren Sie mehr darüber, wie CBA (CMOS Directly Bonded to Array), OPS (On Pitch Select Gate) und Speicherbaugruppen mit 32 Chiplagen die Zukunft des 3D-Flashspeichers gestalten.
Technologien im Frontend-Prozess
Interview
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
OPS-Technologie
Bisher gab es zwischen den Speicherzellen ungenutzte „Dummy“-Bereiche, die die Speicherdichte verringerten. Mit OPS werden diese unnötigen „Dummy“-Bereiche entfernt, sodass auf demselben Raum mehr tatsächliche Speicherzellen untergebracht werden können. Dies erhöht die Speicherdichte erheblich.
Speicherbaugruppentechnologie im Backend-Prozess
KIOXIA hat einen Flash-Speicher mit einer hohen Kapazität von 8 TB entwickelt, indem 32 Flash-Speicherchips mit einer Kapazität von jeweils 2 Tb in einem einzigen Package gestapelt wurden. Diese Speicherlösung wurde durch unsere fortschrittlichen Backend-Prozesse ermöglicht, einschließlich Waferverdünnung, Materialdesign und Drahtverbindungstechnologien.
Interview
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
Grundlagen der BiCS FLASH™-Technologien, die allen Generationen zugrunde liegen
Der BiCS FLASH™ 3D-Flashspeicher stapelt Speicherzellen vertikal und erhöht so die Speicherdichte erheblich. Diese wolkenkratzerähnliche Architektur überwindet die Grenzen des zweidimensionalen (planaren) Flashspeichers, bei dem die Zellen nebeneinander angeordnet sind. Die Erhöhung des Abstands zwischen den Zellen reduziert Zell-zu-Zell-Interferenzen und ermöglicht eine bessere Dichte, Leistung und Energieeffizienz im Vergleich zum 2D-Flashspeicher.
TLC-Technologie (Triple-Level-Zelle) und QLC-Technologie (Quadruple-Level-Zelle)
Die BiCS FLASH™ 3D-Flashspeicher-Produktpalette umfasst sowohl die TLC-Technologie mit 3 Bit pro Zelle als auch die QLC-Technologie mit 4 Bit pro Zelle. Mit der QLC-Technologie wird die Kapazität erheblich erweitert, indem die Anzahl der Datenbits pro Speicherzelle von drei auf vier erhöht wird. Mit der BiCS FLASH™ QLC-Technologie in einer gestapelten Architektur mit 16 Chiplagen kann eine Kapazität von 4 Terabyte (TB) in einem einzigen Gehäuse erreicht werden.
KIOXIA war der einer der ersten Branchenakteure, der sich die erfolgreiche Migration der SLC-Technologie auf MLC, von MLC auf TLC und von TLC auf QLC vorstellte und sich darauf vorbereitete.
Die QLC-Technologie von KIOXIA ist ideal für Anwendungen, die Speicherlösungen mit hoher Dichte und geringeren Kosten erfordern. Der heutige QLC reduziert den Platzbedarf mit der höchsten Dichte, die in einem einzigen Paket verfügbar ist.So kann die Speicherlösung skaliert werden.
Produkte nach Anwendungen
Unabhängig davon, ob es sich um Anwendungen im Automobilbereich, kompakte Hochleistungs-PCs oder Cloud-Server und Hyperscale-Rechenzentren handelt – die Speicherlösungen von KIOXIA bieten hohe Leistung, hohe Speicherdichte, geringen Stromverbrauch, niedrige Latenzzeiten, Zuverlässigkeit und vieles mehr. Somit tragen sie zum Erfolg neuer Anwendungen bei und sorgen dafür, dass bestehende Technologien ihr erwartetes Potenzial erreichen.
Unterstützung
Bitte kontaktieren Sie uns, wenn Sie technische Fragen, Materialanfragen, Interesse an Mustern oder Käufen von Business-Produkten (Speicher, SSD) usw. haben.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
