Toshiba Memory entwickelt den weltweit ersten QLC-3-D-Flashspeicher

Erreicht die weltweit größte Kapazität von 1,5 TB in einem einzigen Package mit dem „BiCS FLASH“-Chip

  • Düsseldorf, Deutschland, 28. Juni 2017

Die Toshiba Memory Corporation, der weltweit führende Anbieter von Speicherlösungen, gab heute die Entwicklung des weltweit ersten[1] dreidimensionalen (3-D) „BiCS FLASH“-Flashspeichers[2] mit einer gestapelten Zellstruktur bekannt. Das neueste „BiCS FLASH“-Speichermodul ist das erste, das mit der QLC-Technologie (Quadruple Level Cell, 4 Bit pro Zelle) ausgestattet ist. Diese ermöglicht Kapazitäten, die weit über jene von TLC-Speichermodulen (Triple Level Cell) hinausgehen, und setzt neue Maßstäbe in der Flashspeichertechnologie.
 

Flashspeicher mit mehreren Bit pro Zelle halten Daten fest, indem sie die Anzahl der Elektronen in jeder einzelnen Speicherzelle verwalten. Die Realisierung der QLC-Technologie war mit einer Reihe technischer Herausforderungen verbunden, da nur ein Bit pro Zelle mehr bei derselben Elektronenzahl die doppelte Genauigkeit der TLC-Technologie erfordert. Toshiba Memory konnte bei der Entwicklung des QLC-3-D-Flashspeichers auf seine umfangreichen Kompetenzen im Bereich Schaltungsdesign und auf seine branchenführende 64-Layer-3-D-Flashspeicher-Prozesstechnologie zurückgreifen.
 

Der Prototyp verfügt über die weltweit größte Die-Kapazität[3] (768 Gigabit/96 Gigabyte) bei Einsatz des 64-Layer-3-D-Flashspeicherverfahrens. Anfang Juni begann die Auslieferung von Prototypen an SSD- und SSD-Controller-Anbieter zu Evaluierungs- und Entwicklungszwecken.
 

Der QLC-3-D-Flashspeicher ermöglicht darüber hinaus durch eine 16-Die-Stapelarchitektur Speichermodule mit 1,5 Terabyte (TB) in einem einzigen Package und bietet damit die größte Speicherkapazität der Branche[4]. Samples dieses bahnbrechenden Speichergeräts werden vom 7. bis 10. August 2017 auf dem Flash Memory Summit in Santa Clara, Kalifornien, Vereinigte Staaten, vorgestellt.
 

Toshiba Memory fertigt bereits 64-Layer-Speichermodule mit 256 Gigabit (32 Gigabyte) in Serienproduktion und wird im Zuge deren Ausweitung weiterhin seine Führungsrolle in der Branche demonstrieren sowie die Entwicklung neuer Technologien vorantreiben. Das neue QLC-Speichergerät nimmt sich der wachsenden Nachfrage nach Flashspeicherlösungen mit hoher Dichte bei kleinerer Chipgröße an und zielt auf Anwendungen wie Enterprise-SSDs, Verbraucher-SSDs und Speicherkarten ab.

Anmerkungen:

[1] Quelle: Toshiba Memory Corporation, Stand: 28. Juli 2017.
[2] Eine Struktur, bei der Flashspeicherzellen vertikal auf einem Siliziumsubstrat gestapelt werden, um signifikante Verbesserungen hinsichtlich der Dichte im Vergleich zu planaren NAND-Flashspeichern zu erzielen, bei welchen die Zellen eben auf dem Siliziumsubstrat angeordnet werden.
[3] Quelle: Toshiba Memory Corporation, Stand: 28. Juni 2017.
[4] Quelle: Toshiba Memory Corporation, Stand: 28. Juni 2017.

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