Please select your location and preferred language where available.
KIOXIA präsentiert fünfte „BiCS FLASH“-Generation
Die neue Generation des 3-D-NAND-Flashspeichers bietet zusätzliche Layer, mehr Speicherkapazität, eine größere Bandbreite und innovative Designflexibilität
- Düsseldorf, Deutschland, 31. Januar 2020
Die KIOXIA Europe GmbH, weltweiter Marktführer im Bereich Speicherlösungen, präsentiert heute mit der fünften Generation des BiCS FLASH eine neue 3-D-NAND-Flashspeicherlösung mit vertikal geschichteter 112-Layer-Struktur. Erste Samples mit einer Kapazität von 512 Gigabit (64 Gigabyte) und Triple-Level-Cell-Technologie (TLC; 3 Bit pro Zelle) werden für Spezialanwendungen voraussichtlich bereits im ersten Quartal 2020[1] zur Verfügung stehen.
Die neue Generation ist die Antwort des Unternehmens auf die ständig wachsenden Anforderungen zahlreicher Anwendungsgebiete – von Mobilgeräten über Verbraucher- und Enterprise-SSDs bis hin zu 5G-Anwendungen, künstliche Intelligenz und autonome Fahrzeuge.
Künftig wird KIOXIA die neue Prozesstechnologie der fünften Generation auch auf Speicherchips mit größerer Kapazität anwenden, beispielsweise 1-Terabit-TLC- und 1,33-Terabit-QLC-Chips. 1 Terabit entspricht dabei 128 Gigabyte.
Die innovative 112-Layer-Stapelprozesstechnologie von KIOXIA wird mit fortschrittlicher Schalttechnik und Fertigungsprozesstechnologie kombiniert. Im Vergleich zum 96-Layer-Stapelprozess lässt sich dadurch die Speicherdichte um rund 20 Prozent erhöhen. Die neue Technologie reduziert die Kosten pro Bit und steigert die Speicherkapazität pro Siliziumwafer. Darüber hinaus verbessert sie die Schnittstellengeschwindigkeit um 50 Prozent, bietet eine höhere Programmierleistung und verkürzt die Leselatenz.
Seit der Ankündigung des weltweit ersten[2] Prototyps der 3-D-NAND-Flashspeichertechnologie im Jahr 2007 treibt KIOXIA die Entwicklung dieser Technologie weiter voran und fördert die BiCS FLASH-Technologie aktiv, um die Nachfrage nach größeren Kapazitäten bei kleineren Chipgrößen zu erfüllen.
Die fünfte Generation des BiCS FLASH-Speichers wurde gemeinsam mit dem Technologie- und Produktionspartner Western Digital Corporation entwickelt. Sie wird im KIOXIA-Werk in Yokkaichi und im kürzlich errichteten Kitakami-Werk produziert.
Anmerkungen:
[1] Da noch nicht alle Funktionen getestet worden sind, können sich die Eigenschaften in der Zukunft noch verändern.
[2] Quelle: KIOXIA Corporation, Stand: 12. Juni 2007.
Über KIOXIA Europe GmbH
Die KIOXIA Europe GmbH (ehemals Toshiba Memory Europe GmbH) ist die europäische Tochtergesellschaft der KIOXIA Corporation, dem weltweit führenden Anbieter von Flashspeichern und Solid-State-Laufwerken (SSDs). Von der Erfindung des Flashspeichers bis hin zur Entwicklung der bahnbrechenden „BiCS FLASH“-3-D-Technologie gilt KIOXIA als Pionier auf dem Gebiet innovativer Speicherlösungen und -dienste, welche das Leben der Menschen bereichern und den Horizont der Gesellschaft erweitern. Die innovative 3-D-Flashspeichertechnologie des Unternehmens, BiCS FLASH, ist dabei zukunftsweisend für High-Density-Speicherlösungen für moderne Smartphones, PCs, SSDs, Automobilelektronik und Rechenzentren.
