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UFS 3.1/2.1
pour grand public et industrielle
UFS : Accroître les performances dans les applications exigeantes
Conçu pour être la nouvelle génération de stockage intégré haute performance après l’e-MMC, l’UFS (Universal Flash Storage) de KIOXIA offre des performances de lecture/écriture ultra-rapides, une faible consommation d’énergie et des temps de lancement d’applications rapides espérés par la large gamme de produits numériques grand public.
L’UFS dispose d’une interface série qui réduit le nombre de broches de signal, simplifiant ainsi le routage. Il supporte également le fonctionnement full duplex, permettant une lecture et une écriture simultanées entre le processeur hôte et le dispositif UFS. Cela augmente les performances globales du système et améliore les performances des appareils mobiles.
Les solutions UFS de KIOXIA sont conformes à la version 2.1/3.0/3.1 de JEDEC/UFS et intègrent la mémoire flash 3D BiCS FLASH™ de l’entreprise et un contrôleur dans un boîtier standard JEDEC.
Principales caractéristiques de l’UFS (Universal Flash Storage) de KIOXIA
- Interface série
- Lectures/écritures à grande vitesse
- Peu de broches
- 32 Go, 64 Go, 128 Go, 256 Go, 512 Go, 1 To
- 11 x 13 mm et 11,5 x 13 mm 153ball BGA
- Norme JEDEC
UFS 4.0 (UFS version 4.0) nouvelle génération
L’UFS 4.0 offre des vitesses de transfert de stockage intégrées ultra-rapides permettant aux smartphones et aux applications mobiles de nouvelle génération de tirer parti des réseaux mobiles 5G. L’UFS 4.0 intègre MIPI M-PHY 5.0 High-Speed Gear 5 et UniPro2.0, et supporte des vitesses d’interface théoriques pouvant atteindre 23,2 Gbit/s par voie ou 46,4 Gbit/s par appareil. UFS 4.0 est rétrocompatible avec UFS 3.1, les plateformes existantes peuvent donc recourir à la dernière génération de technologie de mémoire flash utilisée dans UFS 4.0, tout en intégrant les fonctionnalités UFS 3.1 existantes.
Deux types de Flash géré par interface de bus
KIOXIA propose UFS et e-MMC, une famille de mémoires flash NAND à haute capacité intégrant un contrôleur. Ces solutions de mémoire flash fournissent l’ECC et d’autres fonctions de contrôle optimisées pour chaque génération de technologie de mémoire flash. UFS et e-MMC réduisent la charge de travail sur le processeur hôte, simplifient le développement de produit, réduisent les délais de commercialisation, et augmentent la facilité d’utilisation des produits mémoires.
Comparé à l’e-MMC, l’UFS fournit :
- Une interface plus rapide
- De meilleures performances en lecture et en écriture
- Options de densité plus élevée
- Support du full-duplex
- Une meilleure efficacité énergétique
La fonctionnalité Gestion comprend la gestion des blocs défectueux, le nivellement de l’usure et la collecte des ordures.
Technologie clé UFS de KIOXIA
Fonctionnalité WriteBooster
WriteBooster améliore les performances d’écriture en utilisant la zone de données utilisateur existante comme mémoire tampon SLC temporaire sans sacrifier la capacité. La taille maximale de la mémoire tampon SLC peut être configurée par l’hôte lors de la configuration du dispositif et l’hôte peut continuer à écrire des données dans la mémoire tampon jusqu’à ce que la mémoire tampon soit remplie.
Cette fonctionnalité est activée dynamiquement pendant l’utilisation par l’hôte en fonction des exigences de performance du système en matière de 5G et d’autres applications.
Host Performance Booster (HPB)
HPB version 2.0 améliore les performances d’accès en lecture aléatoire en mettant en cache des tables de correspondance logiques physiques (table L2P) du dispositif vers la mémoire côté hôte. Ainsi, l’hôte peut lancer une opération de lecture avec la table L2P afin que le dispositif puisse simplement lire les données de l’adresse physique fournie par l’hôte.
Cette fonctionnalité peut améliorer l’accès en lecture aléatoire sur des adresses à large portée, ce qui entraîne généralement une baisse des performances en raison de plusieurs mises à jour de tableau au niveau de l’appareil.
Technologie avancée
L’UFS de KIOXIA utilise la technologie de mémoire flash 3D BiCS FLASH™ haute performance pour optimiser les performances.
Plage de densité et boîtier
Les appareils UFS sont disponibles dans des densités allant jusqu’à 1 To* dans une gamme de tailles de boîtier. L’UFS répond aux exigences des applications qui stockent de grandes quantités de données, d’images et de vidéos.
- à compter d’août 2022
Applications clés UFS de KIOXIA
Portable/Ultrabook/tablette/ordinateur de bureau/de jeu
Smartphone / Montre connectée / Lunettes connectées
Console de jeu / Smart TV / Casques de réalité virtuelle / Décodeur / Enregistreur vidéo numérique / Enceinte intelligente / Maison intelligente / Dispositifs portables / Santé à domicile / Réseau domestique
Automatisation / Santé numérique / Transport / Surveillance / Robot / Drone / Sécurité / Signalisation numérique / Réseau (zone 5G) / PoS (Point de vente)
Apprenez et évaluez
Spécifications UFS 3.1/2.1
*Vous pouvez faire défiler le tableau horizontalement.
| Capacité | Numéro de pièce | UFS Version |
Données max. Vitesse (Mo/s) |
Tension d’alimentation | Fonctionnement Température (℃) |
Taille du boitier (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 32 Go | THGAF8G8T23BAIL | 2.1 | 1160 | 2,7 à 3,6 | - (1) | 1,70 à 1,95 | -25 à 85 | 11,5x13,0x0,8 |
| 64 Go | THGAF8G9T43BAIR | 11,5x13,0x1,0 | ||||||
| 128 Go | THGJFAT0T44BAIL | 3.1 | 2320 | 2.4 à 2.7, 2,7 à 3,6 |
1,14 à 1,26 | - (2) | -25 à 85 | 11,5x13,0x0,8 |
| 256 Go | THGJFAT1T84BAIR | 11,5x13,0x1,0 | ||||||
| 256 Go | THGJFGT1E45BAIP | 11,0x13,0x0,8 | ||||||
| 512 Go | THGJFAT2T84BAIR | 11,5x13,0x1,0 | ||||||
| 512 Go | THGJFGT2T85BAIU | 11,0x13,0x1,0 | ||||||
| 1 To | THGJFHT3TB4BAIG | 11,5x13,0x1,2 | ||||||
- Ce produit supporte les opérations double alimentation sur VCC et VCCQ2. VCCQ non requis.
- Ce produit supporte les opérations double alimentation sur VCC et VCCQ. VCCQ2 non requis.
UFS 4.0
L’UFS 4.0 de KIOXIA offre des vitesses de transfert de stockage intégrées ultra-rapides permettant aux smartphones et aux applications mobiles de nouvelle génération de tirer parti des réseaux mobiles 5G.
Assistance
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
