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e-MMC et UFS pour le grand public et l’industrie
Solutions de mémoire embarquée avancées : Au service du présent et du futur des applications grand public et industrielles
Les dispositifs de mémoire flash embarquée UFS haute capacité de KIOXIA intègrent la mémoire flash BiCS FLASH™ 3D et un contrôleur dans un seul ensemble. Le contrôleur intégré gère la correction d'erreurs, le nivellement de l'usure, la traduction d'adresses et la gestion des blocs défectueux, ce qui facilite le développement du système, réduit la charge imposée au processeur, accélère la mise sur le marché et améliore la facilité d'utilisation.
En avant toute : L’UFS 5.0 de KIOXIA devient la nouvelle référence en matière de vitesse et d’efficacité mobiles
L’UFS 5.0 améliore la technologie de stockage intégré, en offrant des vitesses de transfert encore plus rapides et une meilleure efficacité énergétique pour les futurs smartphones, tablettes et appareils mobiles dotés d'intelligence artificielle. Inspiré des avancées de ses prédécesseurs, l’UFS 5.0 fonctionne avec MIPI® M-PHY® version 6.0 High Speed Gear6 et UniPro® version 3.0, compatible avec des vitesses d’interface théoriques allant jusqu’à 10,8 Go/s(1) (10 830 Mo/s) par appareil. L’UFS 5.0 conserve sa compatibilité ascendante avec l’UFS 4.1, garantissant ainsi une intégration transparente avec les plateformes existantes tout en offrant des performances améliorées et une prise en charge des dernières innovations en matière de mémoire flash.
Entretien
New Era of On-device AI Driven by High-speed UFS 5.0 Storage
UFS 5.0, featuring a theoretical high-speed interface of 10.8 Go/s, is almost here. KIOXIA believes that the adoption of UFS 5.0 in smartphones will further advance on-device AI. This is because high-speed UFS 5.0, with high-capacity, will allow for the storage of Large Language Models (LLMs) and Retrieval-Augmented Generation (RAG) databases.
Principales caractéristiques et avantages de l’UFS 5.0 de KIOXIA
Principales caractéristiques
- Interface série
- Vitesse d'interface améliorée pouvant atteindre 10,8 Go/s par appareil(1)
- Dernière norme JEDEC®
- Capacités : 512 Go, 1 To(2)
- MIPI M-PHY version 6.0 High Speed Gear6
Des performances impressionnantes
L’UFS 5.0 offre des améliorations significatives des performances, avec des vitesses de lecture et d’écriture séquentielles augmentant respectivement jusqu’à 123 % et 113 % par rapport aux appareils UFS 4.1.(3)* Cette haute performance est rendue possible par l’High-Speed Gear6, qui atteint ses vitesses d’interface grâce à de nouvelles technologies telles que PAM-4.
* Appareil de 1 To, performances au niveau du pilote contre UFS 4.1 1 To
Efficacité énergétique et gestion thermique améliorées
L’UFS 5.0 offre une efficacité énergétique et une gestion thermique améliorées, réduisant la consommation d’énergie lors du fonctionnement et la génération de chaleur pour des performances durables plus élevées par rapport à l’UFS 4.1.
UFS 5.0 vs UFS 4.1
KIOXIA propose à la fois UFS 4.1 et les dernières solutions de mémoire flash UFS 5.0 haute capacité, chacune comprenant un contrôleur intégré et une correction avancée des erreurs. La technologie UFS simplifie la conception des systèmes en déchargeant le processeur hôte de la gestion du stockage et en facilitant l’intégration.
L’UFS 5.0 introduit plusieurs améliorations par rapport à UFS 4.1, notamment :
- Des vitesses d’interface plus rapides pour un débit de données plus élevé
- Des performances de lecture/écriture séquentielles et aléatoires améliorées
- Une efficacité énergétique accrue pour prendre en charge les appareils de nouvelle génération exigeants
Grâce à ces améliorations, l’UFS 5.0 convient parfaitement aux appareils mobiles haut de gamme compatibles avec l’IA grâce aux vitesses d’interface plus rapides de l’UFS 5.0.
Pourquoi l’UFS de KIOXIA
KIOXIA poursuit son héritage d’innovation avec l’introduction de ses solutions de mémoire flash UFS 5.0, répondant ainsi au besoin de vitesse et d’efficacité croissant dans le stockage embarqué moderne. S’appuyant sur des années de leadership technologique et des antécédents d’innovations dans l’industrie, les solutions KIOXIA UFS 5.0 sont conçues pour des applications exigeantes, telles que l’IA intégrée dans les smartphones et autres systèmes informatiques haute performance.
UFS 5.0 pour applications avancées
La référence UFS 5.0 offre des avancées significatives en termes de vitesses de transfert de données, d’amélioration de la réactivité et de consommation d’énergie optimisée. Ces fonctionnalités se traduisent par des expériences transparentes, permettant un chargement rapide des applications, des téléchargements de données ultrarapides et un multitâche efficace pour les cas d’utilisation mobiles et intégrés les plus intensifs.
Alors que les produits numériques évoluent et nécessitent une réactivité et une agilité accrues, la mémoire flash KIOXIA UFS 5.0 aide les fabricants à offrir la prochaine vague d’expériences utilisateur innovantes avec des améliorations impressionnantes des performances.(3)*
- Lecture séquentielle : 10 000 Mo/s +123 %
- Écriture séquentielle (WB) : 9 000 Mo/s +113 %
- Lecture aléatoire : 1 160 KIOPS +71 %
- Écriture aléatoire : 1 020 KIOPS +59 %
* Appareil de 1 To, performances au niveau du pilote contre UFS 4.1 1 To
Technologie clé UFS de KIOXIA
Compatible PAM-4**
La PAM-4, ou modulation d’amplitude d’impulsion à 4 niveaux, est une technologie qui permet aux appareils de transmettre davantage d’informations dans chaque signal en utilisant quatre niveaux d’amplitude distincts au lieu de deux seulement. Cette approche double efficacement la quantité de données qui peuvent être transmises sans avoir besoin de connexions ou de fils supplémentaires. Dans UFS 5.0, la technologie PAM-4 permet d’atteindre des vitesses de transfert de données bien plus élevées. Par conséquent, les utilisateurs bénéficient de lancements d’applications plus rapides, de transferts de fichiers plus rapides et de performances plus fluides, ce qui aide les appareils à suivre le rythme des exigences des applications modernes, des médias haute résolution et du multitâche.
** Technologie clé pour HS-Gear6 dans UFS5.0 uniquement
Fonctionnalité WriteBooster
WriteBooster améliore les performances d’écriture en utilisant la zone de données utilisateur existante comme mémoire tampon SLC temporaire sans sacrifier la capacité. La taille maximale de la mémoire tampon SLC peut être configurée par l’hôte lors de la configuration de l’appareil et l’hôte peut continuer à écrire des données dans la mémoire tampon jusqu’à ce que la mémoire tampon soit remplie. Cette fonctionnalité est activée dynamiquement pendant l’utilisation par l’hôte en fonction des exigences de performance du système en matière de 5G et d’autres applications.
Prise en charge de High Speed Link Startup Sequence (HS-LSS)
Avec l’UFS conventionnel, le démarrage de liaison (séquence d’initialisation M-PHY et UniPro) entre l’appareil et l’hôte est effectué à faible vitesse PWM-G1 (3~9 Mb/s***), mais avec HS-LSS, il peut être effectué à un débit HS-G1 classé A plus rapide (1 248 Mb/s). Cela devrait réduire le temps de démarrage de la liaison d’environ 70 % par rapport à la méthode conventionnelle.
*** La vitesse de communication PWM-G1 dépend du produit.
Technologie de mémoire flash 3D nouvelle génération
KIOXIA UFS 5.0 utilise la mémoire flash BiCS FLASH™ 3D de pointe et introduit d'autres optimisations de contrôleur, conçues pour maximiser le débit, fournir une latence plus faible et prendre en charge efficacement les exigences rigoureuses des appareils mobiles, automobiles et d'entreprise modernes.
Applications clés UFS 5.0 de KIOXIA
Smartphone haut de gamme / IA intégrée
Tablettes / PC de bureau
Gaming
Streaming rapide / Stockage sur console
Apprenez et évaluez
Caractéristiques techniques de l’UFS 5.0
*Le tableau est défilable horizontalement.
| Capacité(2) | Numéro de pièce | UFS Version |
Données max. Vitesse (Mo/s) |
Tension d’alimentation | Fonctionnement Température (℃) |
Taille du boitier (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ/VCCQ_M (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 512Go | THGJFST2E48BATM | 5.0 | 10,830 | 2,4 à 2,7 | 1,14 à 1,26 | - (4) | -25 à 85 | 7,5 x 13,0 x 0,8 |
| 1To | THGJFST3E88BATN | 7,5 x 13,0 x 0,9 | ||||||
UFS 4.1/3.1 et e-MMC
L’UFS 4.1/3.1 de KIOXIA offre des vitesses de transfert de stockage intégré ultra-rapides permettant aux smartphones et aux applications mobiles de nouvelle génération de tirer parti des réseaux mobiles 5G.
La gamme de produits e-MMC de KIOXIA fournit une interface conforme à la version 5.1 de JEDEC, éliminant ainsi la nécessité pour les utilisateurs de contrôler directement la mémoire flash.
- 1 Go/s correspond à 1 000 000 000 octets/s et 1Mo/s correspond à 1 000 000 octets/s. Il s’agit d’une valeur théorique calculée à partir de la vitesse de l’interface et la vitesse de l’appareil d’un utilisateur n’est pas garantie. La vitesse de lecture et d’écriture peut varier selon le système hôte, les conditions de lecture et d’écriture, la taille du fichier, etc.
- La densité du produit est identifiée sur la base de la densité de la (ou des) puce(s) au sein même du produit et non pas sur la capacité totale de mémoire disponible pour le stockage de données par l’utilisateur final. La capacité utilisable par l’utilisateur est moindre, du fait de zones de données supplémentaires, du formatage, d’éventuels blocs défectueux, et d’autres contraintes, et elle peut également varier selon le dispositif hôte et l’application. Pour plus de détails, veuillez vous référer aux spécifications de produits applicables. La définition de 1 Ko = 2^10 octets = 1 024 octets. La définition de 1 Go = 2^30 bits = 1 073 741 824 bits. La définition de 1 Go = 2^30 octets = 1 073 741 824 octets. 1 To = 2^40 bits = 1 099 511 627 776 bits.
- Les chiffres de performance sont basés sur des tests internes. Les résultats peuvent varier en fonction de l’appareil hôte, des modèles d’utilisation et d’autres facteurs.
- Ce produit supporte les opérations double-alimentation sur VCC et VCCQ/VCCQ_M. VCCQ2 n’est pas nécessaire.
- JEDEC est une marque déposée de JEDEC Solid State Technology Association
- MIPI®, M-PHY® et UniPro® sont des marques déposées de MIPI Alliance.
Assistance
Veuillez nous contacter si vous avez des questions techniques, des demandes concernant le matériel, si vous êtes intéressés par des échantillons ou des achats de produits professionnels (cartes mémoires, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
