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Mémoire flash RAW NAND SLC pour OEM et Industriel
SLC : Optez pour la fiabilité et la performance
Mémoire flash NAND KIOXIA SLC (cellule à un seul niveau) 1 bit par cellule, non volatile, écrit de grandes quantités de données à grande vitesse ; offre une endurance de cycle d’écriture/effacement élevée ; supporte une large plage de températures de fonctionnement et offre une grande fiabilité. En outre, comparée à la mémoire flash NOR, des économies significatives peuvent être réalisées pour les appareils à densité plus élevée. Grâce à ces attributs, la mémoire flash NAND SLC est adoptée dans une large gamme d’applications industrielles et grand public.
Principales caractéristiques de la mémoire flash NAND KIOXIA RAW SLC
- 24nm Process Technology
- High performance & reliability
- Industrial-temperature availability
- Support both 3V and 1.8V VCC Options
- BGA*1 package (6.5 x 8 mm / 9 x 11 mm) / TSOP*2 (12 x 20 mm)
- Ability to read and write data at high speeds
- Support for high-write/erase cycle endurance
- BGA (Ball Grid Array)
- TSOP (Thin Small Outline Package)
- Technologie de processus 24 nm
- & Fiabilité haute performance
- Disponibilité à température industrielle
- Support desoptions CC 3V et 1,8 V
- BGA*1 boîtier (6,5 x 8 mm / 9 x 11 mm) / TSOP*2 (12 x 20 mm)
- Peut lire et écrire des données à grande vitesse
- Supporte l’endurance de cycle d’écriture/effacement élevée
- BGA (boîtier matriciel à billes)
- TSOP (boîtier mince à connexions courtes)
Technologie clé mémoire flash NAND KIOXIA RAW SLC
Offers Wide Lineup
Offre une large gamme
KIOXIA propose une large gamme de composants de mémoire flash NAND SLC, avec des densités variées. Offre à la fois des options de boîtier à température commerciale (0 °C à 70 °C) et à température industrielle (-40 °C à 85 °C).
Haute fiabilité et haute performance
À 1 bit par cellule, la mémoire flash NAND SLC peut fournir une endurance de cycle programme/effacement supérieure à celle de la plupart des mémoires bit par cellule (MLC/TLC/QLC).
Fabriqué sur un processus de 24 nm
La mémoire flash NAND KIOXIA SLC utilise une technologie de processus 24 nm haute performance pour optimiser l’évolutivité, la longévité et les coûts.
Applications clés NAND KIOXIA RAW SLC (cellule à niveau unique)
Console de jeu / Smart TV / Casques de réalité virtuelle / Décodeur / Enregistreur vidéo numérique / Enceinte intelligente / Maison intelligente / Dispositifs portables / Santé à domicile / Réseau domestique
Automatisation / Santé numérique / Transport / Surveillance / Robot / Drone / Sécurité / Signalisation numérique / Réseau (zone 5G) / PoS (Point de vente)
Apprenez et évaluez
Gamme de produits
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Densité |
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32 Go* |
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Veuillez cliquer sur un élément quelconque pour afficher la gamme de produits détaillée et pour télécharger la feuille de données.
- Veuillez contacter le représentant commercial de KIOXIA pour des informations concernant 32 Go.
Vous pouvez rechercher la liste complète de mémoire flash NAND SLC, selon les caractéristiques.
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
