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Toshiba Memory Europe dévoile les premières mémoires flash embarquées UFS Version 3.0 au monde
Permet d’obtenir les débits supérieurs nécessaires à l’évolution continue des smartphones et tablettes, des autres dispositifs de réalité augmentée/virtuelle et bien plus encore
- Düsseldorf, Allemagne, le 23 janvier 2019
Toshiba Memory Europe GmbH (TME) a commencé à distribuer la version 128 Go[1] des premiers dispositifs de mémoire flash embarquée Universal Flash Storage (UFS) Ver. 3.0. La nouvelle gamme utilise la mémoire flash 3D de pointe BiCS FLASH à 96 couches et elle est disponible en trois capacités : 128 Go, 256 Go et 512 Go.[2]. Grâce à des vitesses de lecture et d’écriture élevées et à une faible consommation, ces nouveaux dispositifs conviennent parfaitement aux applications telles que les appareils mobiles, les smartphones, les tablettes et les autres systèmes de réalité augmentée/virtuelle.
Les consommateurs continuent d’exiger plus de performances de leurs appareils, ainsi qu’une meilleure expérience utilisateur, et la norme UFS progresse en permanence pour répondre à ce besoin d’évolution.
Grâce à son interface série, l’UFS supporte le full-duplex, ce qui permet à la fois la lecture et l’écriture simultanée, entre le processeur hôte et le dispositif UFS. Avec l’introduction de l’UFS 3.0, JEDEC, leader mondial du développement de normes pour l’industrie microélectronique, a amélioré les versions précédentes de la norme UFS pour aider les concepteurs de produits à apporter des améliorations significatives aux appareils mobiles et aux applications associées.
Ces nouveaux dispositifs intègrent une mémoire flash 3D BiCS FLASH à 96 couches et un contrôleur, dans un boîtier JEDEC standard de 11,5 x 13 mm. Le contrôleur assure la correction d’erreur, le nivellement d’usure, la conversion logique-physique d’adresse et la gestion des blocs défectueux, ce qui simplifie le développement système.
Les trois dispositifs sont compatibles avec la norme JEDEC UFS version 3.0, y compris HS-GEAR4, dont la vitesse théorique d’interface peut atteindre 11,6 Gbits/s par voie (x 2 voies = 23,2 Gbits/s), tout en prenant en charge les fonctions qui suppriment les augmentations de consommation électrique. Les vitesses de lecture et d’écriture séquentielles du dispositif 512 Go sont en hausse de 70 % et 80 % respectivement, par rapport aux dispositifs Toshiba 256 Go de génération précédente.
Toshiba a été la première entreprise à introduire des dispositifs UFS et en livre depuis 2013. L’introduction de ces dispositifs UFS Version 3.0 permet à Toshiba de garder sa position de leader en matière de stockage pour appareils mobiles de nouvelle génération, position que l’entreprise compte bien conserver en faisant progresser la technologie.
Des échantillons des nouveaux dispositifs seront exposés au stand de Toshiba (Hall 3A – 424) lors de l’exposition et de la conférence de l’Embedded World 2019 (26-28 février – Nuremberg, Allemagne).
Notes:
[1] L’envoi des échantillons du dispositif 128 Go commencera aujourd’hui et le reste de la gamme suivra de manière progressive après mars. Les spécificités des produits échantillons peuvent différer de celles des produits de la fabrication en série.
[2] La densité du produit est identifiée sur la base de la densité de la (ou des) puce(s) au sein même du produit et non pas sur la capacité totale de mémoire disponible pour le stockage de données par l’utilisateur final. La capacité utilisable par l’utilisateur est moindre, du fait de zones de données supplémentaires, du formatage, d’éventuels blocs défectueux, et d’autres contraintes, et elle peut également varier selon le dispositif hôte et l’application. Pour plus de détails, veuillez vous référer aux spécifications de produits applicables. La définition de 1 Go = 230 octets = 1 073 741 824 octets.
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À propos de Toshiba Memory Europe GmbH
Toshiba Memory Europe GmbH est l’entreprise européenne de Toshiba Memory Corporation. Notre entreprise propose une gamme étendue de produits de mémoire flash, incluant des cartes SD, des disques USB flash et des composants de mémoire intégrée, sans oublier les disques SSD. Elle possède des bureaux en Allemagne, en France, en Espagne, en Suède et au Royaume-Uni. Son président est Masaru Takeuchi.
