Toshiba Memory lance une nouvelle NAND à interface série

La seconde génération de produits NAND supportent les transferts de données à vitesse élevée tout en augmentant les performances et les capacités pour les applications embarquées.

  • Düsseldorf, Allemagne, le 26 septembre 2019

Toshiba Memory Europe GmbH (TME) a annoncé aujourd’hui le lancement de la seconde génération de leur gamme de produits à mémoire flash NAND pour applications embarquées, caractérisée par de meilleures performances et capacités[1]. Supportant les transferts de données à vitesse élevée, les nouveaux produits NAND à interface série sont compatibles avec l’interface SPI largement répandue et sont destinés à une gamme variée d’applications clients, industrielles ou de communication. Les envois d’échantillons débuteront aujourd’hui et la production en série est prévue à partir d’octobre.

Toshiba Memory Corporation: Second-generation Serial Interface NAND Products

Avec des dispositifs toujours plus petits dans le domaine de l’IoT (Internet des objets) et des applications de communication, la demande de mémoires en petits boitiers offrant de grandes capacités et pouvant gérer des transferts de données ultra rapides avec un faible nombre de broches ne cesse d’augmenter. Grâce à leur compatibilité avec l’interface SPI très répandue, les produits NAND à interface série peuvent être utilisés comme des produits SLC NAND à mémoire flash se caractérisant par un faible nombre de broches, un petit boitier et de grandes capacités.

Afin de pouvoir supporter les transferts de données ultra rapides, la deuxième génération de produits NAND à interface série offre de bien meilleures performances que les produits de la première génération[1], incluant une fréquence de fonctionnement de 133 megahertz (MHz) et un mode de programme x4. Un dispositif de 8 gigabits[2] (1 gigaoctet[2]) a également été ajouté à la gamme afin de répondre aux demandes en matière de plus grandes capacités de mémoire. La gamme complète est proposée dans un boitier WSON à 8 broches[3] d’une dimension de 6 x 8 mm.

Principales caractéristiques :

  • 1 – 8 gigabits (Gbit) de capacité
  • Taille de page 2 Ko (1/2 Gbit) et 4 Ko (4/8 Gbit) pour des lectures et écritures du système d’exploitation plus efficaces
  • Modes lecture et programme x4 pour accès et programmation à haute vitesse
  • ECC et protection des données détecte les basculements de bits bit assure une protection pour les blocs définis
  • Fonction paramètre de page pour des informations détaillées sur le dispositif


" Face à la complexité et au format des applications embarquées grandissant de plus en plus, cette nouvelle gamme flash NAND à interface série et haute-vitesse assure aux concepteurs la performance et la flexibilité qu’ils recherchent ", a déclaré Axel Stoermann, Vice Président de Toshiba Memory Europe GmbH. " En faisant confiance à Toshiba, l’inventeur de la mémoire flash NAND et leader de la technologie de mémoire flash 3D, ils profiteront des innovations intégrées à ces dispositifs ainsi que des formats compacts de boîtiers et leurs clients hériteront ainsi également de la fiabilité de notre technologie. "

Les envois d’échantillons débutent aujourd’hui et les envois en série débuteront en octobre 2019.

Notes :

[1] En comparaison de la première génération des produits NAND à interface série de Toshiba Memory Corporation Enquête de Toshiba Memory.
[2] La capacité du produit est identifiée sur la base de la capacité de la (ou des) puce(s) au sein même du produit et non pas sur la capacité totale de mémoire disponible pour le stockage de données par l’utilisateur final. La capacité utilisable par l’utilisateur est moindre, du fait de zones de données supplémentaires, du formatage, d’éventuels blocs défectueux, et d’autres contraintes, et elle peut également varier selon le dispositif hôte et l’application. Pour plus de détails, veuillez vous référer aux spécifications de produits applicables.
[3] WSON : Very-Very thin Small Outline No Lead Package

Tous les autres noms de société, de produits et de services sont des marques de leurs détenteurs respectifs.

Dans tous les cas où nous mentionnons un produit de Toshiba Memory : La densité du produit est identifiée sur la base de la densité de la (ou des) puce(s) au sein même du produit et non pas sur la capacité totale de mémoire disponible pour le stockage de données par l’utilisateur final. La capacité utilisable par l’utilisateur est moindre, du fait de zones de données supplémentaires, du formatage, d’éventuels blocs défectueux, et d’autres contraintes, et elle peut également varier selon le dispositif hôte et l’application. Pour plus de détails, veuillez vous référer aux spécifications de produits applicables. La définition de 1 Gbit = 230 bits = 1 073 741 824 bits. La définition de 1 Go = 230 octets = 1 073 741 824 octets. La définition de 1 Ko = 210 octets = 1 024 octets.

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À propos de Toshiba Memory Europe GmbH

Toshiba Memory Europe GmbH est l’entreprise européenne de Toshiba Memory Corporation. Notre entreprise propose une gamme étendue de produits de mémoire flash, incluant des cartes SD, des disques USB flash et des composants de mémoire intégrée, sans oublier les disques SSD. Elle possède des bureaux en Allemagne, en France, en Espagne, en Suède et au Royaume-Uni. Son président est Masaru Takeuchi.

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