Memória flash BiCS FLASH™ 3D da KIOXIA

A memória flash 3D 'BiCS FLASH™' é uma inovação que veio transformar o armazenamento de dados, respondendo às necessidades das aplicações mais exigentes, desde os smartphones mais sofisticados até aos computadores, SSDs e grandes centros de dados. Para garantir alto desempenho, grande densidade e eficiência de custos, a KIOXIA tem vindo a otimizar várias tecnologias avançadas. destacando-se a tecnologia CBA (CMOS Bonded to Array) no processo inicial e as técnicas de montagem no processo final.

A memória flash 3D "BiCS FLASH™" é uma inovação que veio transformar o armazenamento de dados, respondendo às necessidades das aplicações mais exigentes, desde os smartphones mais sofisticados até aos computadores, e centros de dados. Para satisfazer as exigências de alta densidade e desempenho, cada geração de BiCS FLASH™ baseia-se nas melhorias e nos avanços tecnológicos dos seus antecessores e foi concebida para abordar casos de utilização específicos e considerações de planeamento de capital. Pode estar confiante de que escolher os produtos de memória flash KIOXIA 3D irá ajudá a satisfazer os requisitos de armazenamento e desempenho em rápida evolução das ferramentas e aplicações tecnológicas modernas.

Todas as gerações de produtos BiCS FLASH™ apoiam o importante objetivo da KIOXIA de fornecer soluções tecnológicas sustentáveis ao mundo.

Conforme detalhado no diagrama anexo acima, o KIOXIA fornece uma gama de gerações de tecnologia BiCS FLASH™, cada uma concebida para responder a requisitos específicos em termos de densidade, desempenho e eficiência energética. A Estratégia de Eixo Duplo da KIOXIA, uma abordagem empresarial e tecnológica que desenvolve duas linhas de memória flash 3D separadas para satisfazer diferentes necessidades do mercado, oferece memória flash de alto desempenho para uma grande variedade de aplicações.

A 8.ª geração do BiCS FLASH™ proporciona melhorias significativas através da aplicação de duas novas tecnologias, CMOS directamente ligado ao Array (CBA) e On Pitch Select Gate (OPS), ao processo de produção da memória flash. Em termos simples, CBA e OPS são técnicas de fabrico e design que impulsionam aumentos na densidade, desempenho e eficiência energética.

O BiCS FLASH™ geração 8 é uma solução de tecnologia ideal para clientes cujos requisitos de armazenamento estão a ser stressados pela explosão de aplicações intensivas em dados e capacidades de IA.

Os BiCS FLASH™ geração 9 512Gb e 1Tb TLC (Célula de Nível Triplo) foram concebidos para suportar aplicações que requerem alto desempenho e excecional eficiência energética nas capacidades de armazenamento de baixo a médio nível. Os produtos BiCS FLASH™ de 9.^a geração tiram partido das tecnologias CBA e OPS existentes para melhorar a eficiência da produção e fornecer soluções de memória flash de ponta.

Os produtos BiCS FLASH™ de geração 10 tiram partido da mesma tecnologia CMOS da geração 9 e incorporaram a expansão no número de camadas de memória para satisfazer a procura futura de soluções de maior capacidade e alto desempenho. Com 332 camadas líderes da indústria, 1,5 vezes mais do que a geração 8, a KIOXIA continua a impulsionar avanços notáveis na densidade de bits de memória flash e eficiência energética.