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Memória Flash 3D | “BiCS FLASH™”
A KIOXIA fornece produtos baseados em flash para aplicações de armazenamento da próxima geração. Tendo inventado a memória flash NAND há mais de 35 anos, a KIOXIA é agora um dos maiores fornecedores de memórias flash do mundo — e continua a fazer avanços na tecnologia.
A tecnologia BiCS FLASH™ da KIOXIA está na vanguarda com inovação arquitetónica revolucionária
A memória flash 3D de 8.ª geração BiCS FLASH™ da KIOXIA inclui 218 camadas e tecnologia de ligação de wafer CMOS diretamente ligada a matriz (CBA), uma inovação arquitetónica que satisfaz as necessidades de aplicações centradas em dados, como smartphones, PCs, SSD e centros de dados avançados. Quando o desempenho, a alta densidade e a rentabilidade são importantes, a memória flash BiCS FLASH™ 3D cumpre.
Tecnologia de 8.ª geração BiCS FLASH™ – Porquê CBA?
Com a tecnologia CBA, cada wafer CMOS e wafer de matriz de células é fabricado separadamente na sua condição otimizada e, em seguida, unido para fornecer densidade de bits melhorada e alta velocidade de E/S NAND. O fabrico da célula e do periférico em separado permite a otimização de cada um, eliminando a relação entre fiabilidade celular e velocidade de E/S — e proporcionando um grande salto em termos de eficiência energética, desempenho, densidade, rentabilidade e sustentabilidade.*1
Entrevista
Memória flash 3D de alta densidade utilizando ligação de wafer de alta precisão que traz novo valor ao armazenamento
Nos últimos anos, os fabricantes de memórias flash concentraram-se principalmente no desenvolvimento de tecnologias para aumentar o número de camadas de células de memória e aumentar a densidade da memória. Sempre que uma nova geração de memória flash é lançada, o número de camadas aumenta com alguns produtos com mais de 200 camadas. No entanto, como Atsushi Inoue, Vice-Presidente da Divisão de Memórias da KIOXIA, explicou, "Aumentar as camadas de células de memória é apenas uma forma de aumentar a capacidade e a densidade de memória, e não estamos exclusivamente preocupados com o número de camadas".
Tecnologias BiCS FLASH™
A memória flash BiCS FLASH™ 3D utiliza uma estrutura de células de memória flash vertical tridimensional (3D) que lhe permite ultrapassar a capacidade da memória flash 2D (planar).
Características principais*
Maior densidade de armazenamento por matriz do que a memória flash convencional
Desempenho de velocidade de leitura/gravação elevado
Maior fiabilidade do que o 2D (planar) NAND
Baixo consumo de energia
* Em comparação com a tecnologia planar 2D
Aplicações de destino
Eficiência do centro de dados
A memória flash BiCS FLASH™ 3D foi concebida para resolver os problemas mais difíceis dos centros de dados:
A tecnologia de memória flash BiCS FLASH™ 3D escalável da KIOXIA aumenta a capacidade de memória para o nível mais elevado ainda alcançado*2
Tecnologia TLC (célula de nível triplo) e QLC (célula de nível quádruplo)
A gama memórias flash BiCS FLASH™ 3D inclui tecnologia de 3 bits por célula (TLC) e 4 bits por célula (QLC). A tecnologia QLC expande significativamente a capacidade ao aumentar a contagem de bits para dados por célula de memória de três para quatro. Uma capacidade de 4 terabytes (TB) pode ser alcançada num único pacote utilizando a tecnologia BiCS FLASH™ QLC numa arquitetura empilhada de 16 matrizes.
Liderar o inversor em direção a uma maior densidade e eficiência de memória
A KIOXIA foi um dos primeiros intervenientes da indústria a imaginar e a preparar-se para a migração bem-sucedida da tecnologia SLC para MLC, de MLC para TLC, e agora de TLC para QLC.
A tecnologia QLC da KIOXIA é ideal para aplicações que requerem soluções de armazenamento de alta densidade e custos mais baixos. O QLC de hoje reduz a pegada com a mais elevada densidade disponível num único pacote permitindo uma solução de armazenamento à escala.
- Características e melhorias típicas do desempenho de utilização em comparação com a geração anterior da memória flash BiCS FLASH™ 3D TLC.
- Fonte: KIOXIA – Comunicado de imprensa de 3 de julho de 2024
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