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Tecnologias inovadoras que abrem caminho para uma maior capacidade
Sustentando as principais melhorias da atual geração de produtos BiCS FLASH™ estão várias inovações tecnológicas inovadoras. Melhorias na densidade, desempenho e eficiência energética foram alcançadas através de avanços nos processos de conceção e montagem de engenharia de memória flash. Explore como o CMOS ligado diretamente ao conjunto (CBA) , a delimitação de seleção de oscilação (OPS) e o conjunto de memória de 32 matrizes estão a fornecer o futuro da memória flash 3D.
Tecnologias no processo de front-end
Entrevista
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
Tecnologia OPS
Tradicionalmente, existiam áreas “falsas” não utilizadas entre as células de memória, reduzindo a densidade da memória. Com o OPS, estas áreas fictícias desnecessárias são removidas, permitindo que mais células de memória reais sejam colocadas no mesmo espaço. Isto aumenta consideravelmente a densidade da memória.
Tecnologia de montagem no processo final
A KIOXIA desenvolveu uma memória flash de alta capacidade de 8TB ao integrar 32 chips de memória flash, cada um com 2Tb, num único pacote. Esta solução de memória foi possível graças aos nossos processos avançados de fabrico no back-end, que incluem o afinamento dos wafers, o design dos materiais e as tecnologias de ligação por fios.
Entrevista
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
Fundamentos das Tecnologias BiCS FLASH™ Comuns a Todas as Gerações
A memória flash 3D BiCS FLASH™ empilha verticalmente células de memória, aumentando significativamente a densidade de armazenamento. Esta arquitetura tipo arranha-céus supera os limites da memória flash 2D (planar), que organiza as células num formato lado a lado. O aumento da distância entre células reduz a interferência entre células, permitindo uma melhor densidade, desempenho e eficiência energética em comparação com a memória flash 2D.
Tecnologia TLC (célula de nível triplo) e QLC (célula de nível quádruplo)
A gama memórias flash BiCS FLASH™ 3D inclui tecnologia de 3 bits por célula (TLC) e 4 bits por célula (QLC). A tecnologia QLC expande significativamente a capacidade ao aumentar a contagem de bits para dados por célula de memória de três para quatro. Uma capacidade de 4 terabytes (TB) pode ser alcançada num único pacote utilizando a tecnologia BiCS FLASH™ QLC numa arquitetura empilhada de 16 matrizes.
A KIOXIA foi um dos primeiros intervenientes da indústria a imaginar e a preparar-se para a migração bem-sucedida da tecnologia SLC para MLC, de MLC para TLC, e de TLC para QLC.
A tecnologia QLC da KIOXIA é ideal para aplicações que requerem soluções de armazenamento de alta densidade e custos mais baixos. O QLC de hoje reduz a pegada com a mais elevada densidade disponível num único pacote, permitindo uma solução de armazenamento à escala.
Produtos por Aplicações
Quer se trate de aplicações automóveis ou PC compactos orientados para o alto desempenho, ou implementações de servidores na nuvem e centros de dados em hiperescala, ao fornecer alto desempenho avançado, alta densidade, baixa potência, baixa latência, fiabilidade e muito mais, as soluções de memória e armazenamentoKIOXIA permitem o sucesso de aplicações emergentes e permitem que as tecnologias existentes atinjam o seu potencial esperado.
Support
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
