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UFS 4.0/4.1 – Concebido para o armazenamento móvel da próxima geração
O UFS 4.0/4.1 oferece velocidades de transferência de armazenamento incorporadas ultrarrápidas, permitindo que smartphones e aplicações móveis da próxima geração tirem partido das redes móveis 5G e da IA. O UFS 4.0/4.1 incorpora MIPI M-PHY 5.0 High-Speed Gear 5 e UniPro2.0 e suporta velocidades de interface teóricas de até 23,2 Gbps por faixa ou 46,4 Gbps por dispositivo. O UFS 4.0/4.1 é retrocompatível com o UFS 3.1, pelo que as plataformas existentes podem utilizar a última geração de tecnologia de memória flash utilizada no UFS 4.0/4.1, ao mesmo tempo que incorporam todas as funcionalidades de UFS 3.1 existentes.
Funcionalidades do UFS 4.0/4.1
Características principais
- Interface de série
- Leituras/gravações de alta velocidade
- Contagem baixa de pinos
- 256 GB, 512 GB, 1 TB
- Pacote BGA de 9 mm x 13 mm 153ball
Desempenho mais rápido
O desempenho de leitura e escrita sequencial dos dispositivos UFS 4.0/4.1 melhorou aproximadamente 100 e 135/150 por cento, respetivamente, em relação aos dispositivos USF 3.1*. A tecnologia WriteBooster foi incorporada para aumentar as velocidades de escrita sequenciais para transferências mais rápidas, tornar o armazenamento de gravação de vídeo em alta definição mais rápido e acelerar os jogos móveis.
* Dispositivo UFS 3.1 512 GB da KIOXIA Corporation “THGJFGT2T85BAIU”
Tamanho do pacote pequeno
O novo UFS 4.0/4.1 suporta um pacote pequeno de 9 mm x 13 mm para poupanças de espaço adicionais em aplicações móveis, tornando os aparelhos ainda mais pequenos e elegantes.
*Número de peça: THGJFMT1E45BATV, THGJFMT2E46BATV e THGJFMT3E86BATZ
UFS 4.0/4.1 vs UFS 3.1
A KIOXIA disponibiliza o UFS 3.1 e UFS 4.0/4.1, uma família de memórias flash de alta capacidade com um controlador integrado. Essas soluções de memória flash fornecem ECC e outras funções de controlo que são otimizadas para cada geração de tecnologia de memória flash. O UFS reduz a carga de trabalho no processador anfitrião, simplifica o desenvolvimento do produto, reduz o tempo de lançamento no mercado e aumenta a facilidade de uso dos produtos de memória.
Em comparação com o UFS 3.1, o UFS 4.0/4.1 fornece:
- Uma interface mais rápida
- Maior desempenho para leituras e escritas
Porquê o KIOXIA UFS 4.0/4.1
A KIOXIA está na vanguarda do desenvolvimento do UFS no mercado, impulsionando esta nova tecnologia para velocidades mais rápidas e melhor eficiência energética em comparação com outras soluções de armazenamento incorporadas. KIOXIA foi a primeira a entregar amostras de UFS 1.1 em 2013. KIOXIA também foi a primeira a entregar amostras do UFS 3.0 em janeiro de 2019. A KIOXIA tem um longo historial de invenções de memória flash NAND. Com a introdução do mais recente UFS 4.0/4.1, a KIOXIA continua a demonstrar o seu compromisso em criar tecnologias que permitam avanços num mundo digital em constante mudança.
Uma melhor experiência de utilizador com o UFS 4.0/4.1
A norma UFS 4.0/4.1 proporciona grandes melhorias no desempenho em comparação com versões anteriores. Smartphones, consolas de jogos e dispositivos portáteis de realidade virtual e aumentada beneficiarão das velocidades de transferência mais rápidas. Além disso, o aumento do desempenho de leitura permitirá que jogos e aplicações sejam transferidos de forma muito mais rápida, melhorando a experiência do utilizador. À medida que o mercado se desenvolve mais rápido e eficiente, a KIOXIA está sempre pronta para o próximo, com a nossa norma UFS 4.0/4.1 a liderar o caminho.
Tecnologia chave do KIOXIA UFS
Funcionalidade WriteBooster
O WriteBooster melhora o desempenho de escrita utilizando a área de dados do utilizador existente como um buffer SLC temporário sem sacrificar a capacidade. O tamanho máximo do buffer SLC pode ser configurado pelo anfitrião na configuração do dispositivo e o anfitrião pode continuar a gravar dados no buffer até que o buffer seja preenchido. Esta funcionalidade é ativada dinamicamente durante o funcionamento pelo anfitrião, dependendo dos requisitos de desempenho do sistema do 5G e de outras aplicações.
Suporte à sequência de arranque da ligação de alta velocidade (HS-LSS)
Com o UFS convencional, o arranque da ligação (sequência de inicialização M-PHY e UniPro) entre o dispositivo e o anfitrião é realizado a baixa velocidade PWM-G1 (3~9 Mbps*1), mas com HS-LSS pode ser realizado a uma taxa A HS-G1 mais rápida (1248 Mbps). Espera-se que isso reduza o tempo para o arranque da ligação em aproximadamente 70% em comparação com o método convencional.
- A velocidade de comunicação PWM-G1 depende do produto.
Tecnologia avançada
O KIOXIA UFS utiliza a tecnologia de memória flash BiCS FLASH™ 3D de alto desempenho para otimizar o desempenho.
Aplicações principais do KIOXIA UFS
Notebook / Ultrabook™ / Tablet / PC de secretária / PC para jogos
Smartphone / Smartwatch / Óculos inteligentes
Consola de jogos / Smart TV / Auscultadores de realidade virtual / Set-Top-Box/Gravador de vídeo digital / Altifalante inteligente / Casa inteligente / Wearables / Saúde doméstica / Rede doméstica
Automação / Cuidados de Saúde Digitais / Transporte / Vigilância / Robô / Drone / Segurança / Sinalização Digital / Rede (rede de área 5G) / PoS (Ponto de Vendas)
Aprender e avaliar
Especificações do UFS 4.0/4.1
*A tabela pode ser deslocada horizontalmente.
| Capacidade | Número de peça | UFS Versão |
Dados máximos Taxa (MB/s) |
Tensão de alimentação | Funcionamento Temperatura (℃) |
Tamanho do pacote (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 256 GB | THGJFMT1E45BATV | 4.0 | 4640 | 2.4 a 2.7 | 1.14 a 1.26 | - (1) | -25 a 85 | 9,0 x 13,0 x 0,8 |
| 512 GB | THGJFMT2E46BATV | 9,0 x 13,0 x 0,8 | ||||||
| 1 TB | THGJFMT3E86BATZ | 9,0 x 13,0 x 0,9 | ||||||
| 256 GB | THGJFRT1E45BATV | 4.1 | 9,0 x 13,0 x 0,8 | |||||
| 512 GB | THGJFRT2E48BATV | 9,0 x 13,0 x 0,8 | ||||||
| 1 TB | THGJFRT3E88BATW | 9,0 x 13,0 x 0,85 | ||||||
- Este produto suporta operação de alimentação dupla em VCC e VCCQ. O VCCQ2 não precisa de ser fornecido.
UFS 3.1
O UFS 3.1 da KIOXIA proporciona o desempenho de leitura/escrita de alta velocidade, baixo consumo energético e tempos de lançamento da aplicação reduzidos exigidos por uma vasta gama de produtos de consumo digital.
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
