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e-MMC e UFS para o Consumidor e Industrial
Soluções avançadas de memória incorporada: Alimentar o presente e o futuro das aplicações industriais e de consumo
Os dispositivos de memória flash incorporada UFS de alta capacidade da KIOXIA integram a memória flash BiCS FLASH™ 3D e um controlador num único pacote. O controlador incorporado gere a correção de erros, o nivelamento do desgaste, a tradução de endereços e a gestão de blocos incorretos, facilitando o desenvolvimento do sistema, reduzindo as exigências do processador, acelerando o tempo de comercialização e melhorando a usabilidade.
A avançar a toda a velocidade: O KIOXIA UFS 5.0 estabelece um novo padrão para velocidade e eficiência móveis
O UFS 5.0 eleva a tecnologia de armazenamento incorporada ao nível seguinte, proporcionando velocidades de transferência ainda mais rápidas e eficiência energética melhorada para futuros smartphones, tablets e dispositivos móveis com tecnologia de IA. Com base nos avanços dos seus antecessores, o UFS 5.0 utiliza o MIPI® M-PHY® versão 6.0 High Speed Gear6 e o UniPro® versão 3.0, suportando velocidades de interface teóricas de até 10,8 GB/s(1) (10 830 MB/s) por dispositivo. O UFS 5.0 mantém a retrocompatibilidade com o UFS 4.1, garantindo uma integração perfeita com as plataformas existentes, ao mesmo tempo que proporciona um desempenho e suporte melhorados para as mais recentes inovações de memória flash.
Entrevista
New Era of On-device AI Driven by High-speed UFS 5.0 Storage
UFS 5.0, featuring a theoretical high-speed interface of 10.8 GB/s, is almost here. KIOXIA believes that the adoption of UFS 5.0 in smartphones will further advance on-device AI. This is because high-speed UFS 5.0, with high-capacity, will allow for the storage of Large Language Models (LLMs) and Retrieval-Augmented Generation (RAG) databases.
Principais características e benefícios do KIOXIA UFS 5.0
Características principais
- Interface de série
- Velocidade de interface melhorada de até 10,8 GB/s por dispositivo(1)
- Última norma JEDEC®
- Capacidades: 512GB, 1TB(2)
- MIPI M-PHY versão 6.0 Gear6 de alta velocidade
Desempenho Impressionante
O UFS 5.0 proporciona melhorias significativas no desempenho, com velocidades de leitura e escrita sequenciais a aumentarem até 123% e 113%, respetivamente, em relação aos dispositivos UFS 4.1.(3)* Este alto desempenho é ativado pelo Gear6 de alta velocidade, que atinge as suas velocidades de interface através de novas tecnologias como PAM-4.
* Dispositivo de 1TB, desempenho ao nível do controlador vs. UFS 4,1 1TB
Eficiência energética e gestão térmica melhoradas
O UFS 5.0 oferece eficiência energética e gestão térmica melhoradas, reduzindo o consumo de energia durante o funcionamento e a geração de calor para um desempenho sustentado mais elevado em comparação com o UFS 4.1.
UFS 5.0 vs UFS 4.1
O KIOXIA oferece as mais recentes soluções de memória flash de alta capacidade UFS 4.1 e UFS 5.0, cada uma incorporando um controlador integrado e correção avançada de erros. A tecnologia UFS simplifica o design do sistema ao descarregar a gestão de armazenamento do processador anfitrião e ao permitir uma integração mais fácil.
O UFS 5.0 introduz várias melhorias relativamente ao UFS 4.1, incluindo:
- Velocidades de interface mais rápidas para maior produtividade de dados
- Melhor desempenho de leitura/escrita sequencial e aleatório
- Maior eficiência energética para suportar dispositivos exigentes da próxima geração
Estas melhorias tornam o UFS 5.0 adequado para dispositivos móveis topo de gama que poderão suportar IA no dispositivo devido às velocidades de interface mais rápidas do UFS 5.0.
Porquê o KIOXIA UFS
A KIOXIA continua o seu legado de inovação com a introdução das suas soluções de memória flash UFS 5.0, respondendo à necessidade de velocidade e eficiência cada vez maiores no armazenamento incorporado moderno. Com base em anos de liderança tecnológica e num histórico de inovações na indústria, as soluções KIOXIA UFS 5.0 foram concebidas para aplicações exigentes, como IA no dispositivo em smartphones e outros sistemas de computação de alto desempenho.
UFS 5.0 para aplicações avançadas
A norma UFS 5.0 oferece saltos significativos nas velocidades de transferência de dados, melhor capacidade de resposta e consumo de energia otimizado. Estas funcionalidades traduzem-se em experiências perfeitas, permitindo carregamento rápido de aplicações, transferências de dados ultrarrápidas e multitarefas eficientes para os casos de utilização móvel e incorporada mais intensivos.
À medida que os produtos digitais evoluem e requerem maior capacidade de resposta e agilidade, a memória flash KIOXIA UFS 5.0 ajuda os fabricantes a proporcionar a próxima onda de experiências de utilizador inovadoras com melhorias de desempenho impressionantes.(3)*
- Leitura sequencial: 10,000 MB/s +123%
- Escrita sequencial (WB): 9,000 MB/s +113%
- Leitura aleatória: 1160 KIOPS +71%
- Escrita aleatória: 1020 KIOPS +59%
* Dispositivo de 1TB, desempenho ao nível do controlador vs. UFS 4,1 1TB
Tecnologia chave do KIOXIA UFS
Suporte PAM-4**
PAM-4, ou Modulação de Amplitude de Pulso com 4 níveis, é uma tecnologia que permite aos dispositivos enviar mais informações em cada sinal usando quatro intensidades de sinal distintas em vez de apenas duas. Esta abordagem duplica eficazmente a quantidade de dados que podem ser transmitidos sem precisar de ligações ou fios adicionais. No UFS 5.0, o PAM-4 permite velocidades de transferência de dados muito mais rápidas. Como resultado, os utilizadores experimentam lançamentos de aplicações mais rápidos, transferências de ficheiros mais rápidas e um desempenho mais suave, ajudando os dispositivos a acompanhar as exigências das aplicações modernas, dos suportes de dados de alta resolução e das multitarefas.
** Tecnologia chave para HS-Gear6 apenas no UFS5.0
Funcionalidade WriteBooster
O WriteBooster melhora o desempenho de escrita utilizando a área de dados do utilizador existente como um buffer SLC temporário sem sacrificar a capacidade. O tamanho máximo do buffer SLC pode ser configurado pelo anfitrião na configuração do dispositivo e o anfitrião pode continuar a gravar dados no buffer até que o buffer seja preenchido. Esta funcionalidade é ativada dinamicamente durante o funcionamento pelo anfitrião, dependendo dos requisitos de desempenho do sistema do 5G e de outras aplicações.
Suporte à sequência de arranque da ligação de alta velocidade (HS-LSS)
Com o UFS convencional, o arranque da ligação (sequência de inicialização M-PHY e UniPro) entre o dispositivo e o anfitrião é realizado a baixa velocidade PWM-G1 (3~9Mbps***), mas com HS-LSS, pode ser realizado a uma taxa HS-G1 mais rápida (1248Mbps). Espera-se que isso reduza o tempo para o arranque da ligação em aproximadamente 70% em comparação com o método convencional.
*** A velocidade de comunicação PWM-G1 depende do produto.
Tecnologia de memória flash 3D de próxima geração
O KIOXIA UFS 5.0 utiliza memória flash 3D BiCS FLASH™ de última geração e introduz otimizações adicionais do controlador, concebidas para maximizar o rendimento, fornecer menor latência e suportar eficientemente os requisitos rigorosos dos dispositivos móveis, automóveis e empresariais modernos.
Aplicações principais do KIOXIA UFS 5.0
Smartphone topo de gama/IA no dispositivo
Tablets/PCs de secretária
Jogos
Transmissão rápida/armazenamento da consola
Aprender e avaliar
Especificações do UFS 5.0
*A tabela pode ser deslocada horizontalmente.
| Capacidade(2) | Número de peça | UFS Versão |
Dados máximos Taxa (MB/s) |
Tensão de alimentação | Funcionamento Temperatura (℃) |
Tamanho do pacote (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ/VCCQ_M (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 512 GB | THGJFST2E48BATM | 5.0 | 10,830 | 2.4 a 2.7 | 1.14 a 1.26 | - (4) | -25 a 85 | 7,5x13,0x0,8 |
| 1TB | THGJFST3E88BATN | 7,5x13,0x0,9 | ||||||
UFS 4.1/3.1 e e-MMC
O UFS 4.1/3.1 da KIOXIA oferece velocidades de transferência de armazenamento incorporadas ultrarrápidas, permitindo que smartphones e aplicações móveis da próxima geração tirem partido das redes móveis 5G.
A gama de produtos e-MMC da KIOXIA fornece uma interface compatível com a versão 5.1 de JEDEC, eliminando a necessidade de os utilizadores controlarem diretamente a memória flash.
- 1 GB/s é calculado como 1 000 000 000 bytes/s e 1MB/s é calculado como 1 000 000 bytes/s. Este é um valor teórico calculado a partir da velocidade da interface e a velocidade do dispositivo de um utilizador não é garantida. A velocidade de leitura e de escrita pode variar dependendo do sistema do anfitrião, das condições de leitura e escrita, do tamanho do ficheiro, etc.
- A densidade do produto é identificada com base na densidade dos chips de memória no produto, não na quantidade de capacidade de memória disponível para armazenamento de dados pelo utilizador final. A capacidade utilizável pelo consumidor será menor devido a áreas de dados “overhead”, formatação, setores danificados e outras restrições e também pode variar com base no dispositivo anfitrião e na aplicação. Para obter detalhes, consulte as especificações do produto aplicáveis. Definição de 1 KB = 2^10 bytes = 1.024 bytes. Definição de 1 Gb = 2^30 bits = 1.073.741.824 bits. Definição de 1 GB = 2^30 bytes = 1.073.741.824 bytes. 1 Tb = 2^40 bits = 1.099.511.627.776 bits.
- Os valores de desempenho baseiam-se em testes internos. Os resultados reais podem variar consoante o dispositivo anfitrião, os padrões de utilização e outras condições.
- Este produto suporta operação de alimentação dupla em VCC e VCCQ/VCCQ_M. VCCQ2 não é necessário.
- JEDEC é uma marca comercial registada da JEDEC Solid State Technology Association
- MIPI®, M-PHY® e UniPro® são marcas comerciais registadas propriedade da MIPI Alliance.
Suporte
Contacte-nos se tiver quaisquer questões técnicas, pedidos de materiais, se tiver interesse em amostras ou compras de produtos empresariais (memória, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
