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Memória flash RAW SLC NAND para OEM e Industrial
SLC: Uma escolha confiável e de alto desempenho
Uma memória flash NAND de 1 bits por célula, não volátil, KIOXIA SLC (célula de nível único) grava grandes quantidades de dados a alta velocidade; proporciona uma elevada resistência ao ciclo de escrita/eliminação; oferece suporte para uma vasta gama de temperaturas de funcionamento e proporciona uma elevada fiabilidade. Além disso, quando comparado com a memória flash NOR, é possível obter poupanças significativas em dispositivos de densidade mais elevada. Graças a esses atributos, a memória flash SLC NAND é adotada em uma ampla gama de aplicações industriais e de consumo.
Principais funcionalidades da memória flash KIOXIA RAW SLC NAND
- 24nm Process Technology
- High performance & reliability
- Industrial-temperature availability
- Support both 3V and 1.8V VCC Options
- BGA*1 package (6.5 x 8 mm / 9 x 11 mm) / TSOP*2 (12 x 20 mm)
- Ability to read and write data at high speeds
- Support for high-write/erase cycle endurance
- BGA (Ball Grid Array)
- TSOP (Thin Small Outline Package)
- Tecnologia de processo de 24 nm
- Fi&abilidade de alto desempenho
- Disponibilidade de temperatura industrial
- Suporta opções de 3V e 1,8 VCC
- BGA*1 pacote (6,5 x 8 mm / 9 x 11 mm) / TSOP*2 (12 x 20 mm)
- Capacidade de ler e gravar dados a altas velocidades
- Suporte para alta resistência do ciclo de escrita/eliminação
- BGA (Matriz da grelha esférica)
- TSOP (Pacote esquemático pequeno fino)
Tecnologia da chave de memória flash KIOXIA RAW SLC NAND
Oferece amplo alinhamento
O KIOXIA oferece uma vasta gama de componentes de memória flash SLC NAND que variam de densidades. Oferecendo opções de embalagem de temperatura comercial (0 °C a 70 °C) e temperatura industrial (-40 °C a 85 °C).
Alta confiabilidade e alto desempenho
A 1 bit por célula, a memória flash SLC NAND pode fornecer maior resistência do programa/apagar ciclo do que a maior memória bit por célula (MLC/TLC/QLC).
Fabricado num processo de 24 nm
A memória flash KIOXIA SLC NAND utiliza tecnologia de processo de 24 nm e alto desempenho para otimizar a escalabilidade, longevidade e custo.
Aplicações principais NAND KIOXIA RAW SLC (célula de nível único)
Consola de jogos / Smart TV / Auscultadores de realidade virtual / Set-Top-Box/Gravador de vídeo digital / Altifalante inteligente / Casa inteligente / Wearables / Saúde doméstica / Rede doméstica
Automação / Cuidados de Saúde Digitais / Transporte / Vigilância / Robô / Drone / Segurança / Sinalização Digital / Rede (rede de área 5G) / PoS (Ponto de Vendas)
Aprender e avaliar
Linha de produtos
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Densidade |
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32 Gb* |
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
