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BENAND™ für OEM und Industrie
BENAND™: Entlastung von Hostprozessoren
A versatile, multi-application SLC (single-level cell) NAND flash memory with embedded error correction code (ECC), KIOXIA BENAND™ removes the burden of ECC from the host processor while maintaining the compliant specifications, reliability and performance with RAW SLC NAND flash memory. This enables it to be used with host controllers that do not have 8-bit ECC capability. Many legacy designs still use processors that do not have 8-bit ECC capability, making BENAND™ a viable option for companies looking to design in a newer-generation NAND flash memory solution with existing hardware.
KIOXIA BENAND™ ist ein vielseitiger, anwendungsübergreifender SLC- (Single Level Cell) NAND-Flash-Speicher mit integriertem Fehlerkorrekturcode (ECC), der die Belastung durch ECC vom Host-Prozessor eliminiert und gleichzeitig die kompatiblen Spezifikationen, Zuverlässigkeit und Leistung wie der RAW-SLC-NAND-Flash-Speicher beibehält. Dies ermöglicht die Verwendung mit Host-Controllern, die keine 8-Bit-ECC-Funktion haben. Viele ältere Designs verwenden immer noch Prozessoren, die keine 8-Bit-ECC-Funktion haben, was BENAND™ zu einer praktikablen Option für Unternehmen macht, die eine neuere NAND-Flash-Speicherlösung mit vorhandener Hardware entwickeln möchten.
Hauptmerkmale von KIOXIA BENAND™
- Eingebettete ECC-Engine
- Die 24-nm-SLC-NAND-Prozesstechnologie
- Erhältlich mit 1 GB, 2 GB, 4 GB und 8 GB mit einer Vielzahl von Kapazitäten
- Kompatibilität: Die Schnittstelle, die Grundfunktionen und die Befehlssequenz entsprechen SLC-NAND.
KIOXIA BENAND™ Schlüsseltechnologie
Dichtebereich und Betriebstemperatur
BENAND™ is offered in 1Gb to 8Gb densities and available in commercial temperature (0℃ to 70℃) and industrial temperature (-40℃ to 85℃) options.
BENAND™ wird in Dichten von 1 GB bis 8 GB angeboten und ist in handelsüblichen Temperaturoptionen (0 °C bis 70 °C) und Industrietemperaturoptionen (-40 °C bis 85 °C) erhältlich.
Hohe Zuverlässigkeit und hohe Leistung
Bei 1 Bit pro Zelle kann der SLC-NAND-Flash-Speicher eine höhere Programm-/Löschzyklusdauer bieten als die meisten Speicher mit mehr Bit pro Zelle (MLC/TLC/QLC).
Hergestellt in einem 24-nm-Prozess
KIOXIA SLC-NAND-Flash-Speicher nutzt die 24-nm-Prozesstechnologie, um die Skalierbarkeit und Langlebigkeit zu optimieren.
BENAND™ bietet interne ECC-Funktionen
KIOXIA BENAND™ mit internem ECC bietet eine Lösung für ältere Host-Prozessoren. KIOXIA BENAND™ ist in Dichten von 1 GB, 2 GB, 4 GB und 8 GB mit TSOP- und BGA-Paketen erhältlich. (TSOP: Thin Small Outline Package, BGA: Ball Grid Array)
KIOXIA BENAND™ Schlüsselanwendungen
Spielkonsole / Smart-TV / Virtual-Reality-Headsets / Set-Top-Box / Digitaler Videorekorder / Smart Speaker / Smart Home / Wearables / Home Health / Heimnetzwerk
Automatisierung / Digital Healthcare / Transport / Überwachung / Roboter / Drohne / Sicherheit / Digital Signage / Networking (5G-Bereichsnetzwerk) / PoS (Point of Sales)
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Produktvideo
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Support
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
