Please select your location and preferred language where available.
Memoria Flash RAW SLC NAND para OEM e industrial
SLC: Una opción fiable y de alto rendimiento
La memoria Flash NAND KIOXIA SLC (celda de nivel único), una memoria no volátil de 1 bit por celda, escribe grandes cantidades de datos a alta velocidad; proporciona una alta resistencia al ciclo de escritura/borrado; ofrece soporte para una amplia gama de temperaturas de funcionamiento; y proporciona una alta fiabilidad. Además, en comparación con la memoria Flash NOR, se pueden obtener ahorros significativos en el coste gracias a los dispositivos de mayor densidad. Gracias a estos atributos, la memoria Flash SLC NAND se adopta en una amplia gama de aplicaciones industriales y de consumo.
Características principales de la memoria Flash KIOXIA RAW SLC NAND
- 24nm Process Technology
- High performance & reliability
- Industrial-temperature availability
- Support both 3V and 1.8V VCC Options
- BGA*1 package (6.5 x 8 mm / 9 x 11 mm) / TSOP*2 (12 x 20 mm)
- Ability to read and write data at high speeds
- Support for high-write/erase cycle endurance
- Tecnología de proceso de 24 nm
- Fiabilidad y alto rendimiento
- Disponibilidad de requisitos industriales de temperatura
- Compatible con opciones de 3 V y 1,8 V de V CC
- Paquete BGA*1 (6,5 x 8 mm / 9 x 11 mm) / TSOP*2 (12 x 20 mm)
- Capacidad para leer y escribir datos a altas velocidades
- Compatibilidad con alta resistencia de ciclo de escritura/borrado
- BGA (matriz de red de bolas)
- TSOP (Paquete de esquema pequeño y fino)
Tecnología clave de memoria Flash KIOXIA RAW SLC NAND
Ofrece una amplia gama de productos
KIOXIA ofrece una amplia gama de componentes de memoria Flash SLC NAND con diferentes densidades. Ofrece opciones de paquetes con requisitos de temperatura comerciales (0 °C a 70 °C) e industriales (-40 °C a 85 °C).
Alta fiabilidad y alto rendimiento
Con 1 bit por celda, la memoria Flash SLC NAND puede proporcionar una mayor resistencia del ciclo de programación/borrado que la mayoría de las memorias de bit por celda (MLC/TLC/QLC) más altas.
Fabricado en un proceso de 24 nm
La memoria Flash KIOXIA SLC NAND utiliza una tecnología de proceso de 24 nm de alto rendimiento para optimizar la escalabilidad, la longevidad y el coste.
Aplicaciones clave NAND KIOXIA RAW SLC (celda de un solo nivel)
Consola de juegos / Televisión inteligente / Auriculares de realidad virtual / Decodificador de televisión / Grabadora de vídeo digital / Altavoz inteligente / Dispositivo del hogar inteligente / Dispositivos portátiles / Salud doméstica / Red doméstica
Automatización / Asistencia sanitaria digital / Transporte / Vigilancia / Robótica / Drones / Seguridad / Señalización digital / Redes (red de la zona 5G) / PoS (Punto de venta)
Aprender y evaluar
Línea de productos
|
Densidad |
|
|
|
|
|
32 GB* |
|---|
Haga clic en cualquier artículo para mostrar la línea de productos detallada y para descargar la ficha técnica.
- Si desea obtener información sobre el modelo de 32 GB, póngase en contacto con el representante de ventas de KIOXIA.
Puede buscar en la lista de memorias Flash SLC NAND, según las características.
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
