Please select your location and preferred language where available.
Memoria Flash 3D BiCS FLASH
KIOXIA ofrece productos basados en flash para aplicaciones de almacenamiento de última generación. Tras inventar la memoria flash NAND hace más de 35 años, KIOXIA es ahora uno de los proveedores de memoria flash más grandes del mundo; además, continúa siendo uno de los principales impulsores de la tecnología.
La tecnología KIOXIA está marcando el camino hacia el almacenamiento de alta capacidad
La memoria flash 3D "BiCS FLASH" de KIOXIA es una innovación revolucionaria que satisface las necesidades de aplicaciones centradas en datos como smartphones avanzados, PC, SSD y centros de datos. Para satisfacer las exigencias de alto rendimiento, alta densidad y rentabilidad, hemos optimizado una serie de tecnologías avanzadas. Entre ellas, se incluyen la tecnología CBA (CMOS directamente unida a la matriz) en el proceso front-end y la tecnología de ensamblaje en el proceso back-end.
Tecnología CBA en el proceso front-end
Con la tecnología CBA, todas las obleas CMOS y de matriz celular se fabrican por separado en su condición optimizada y posteriormente, se unen para ofrecer una densidad de bits mejorada y una velocidad de E/S NAND rápida. La fabricación de la celda y el periférico por separado permite la optimización de cada uno de ellos, eliminando la compensación entre la fiabilidad de la celda y la velocidad de E/S, y proporcionando un gran salto en eficiencia energética, rendimiento, densidad, rentabilidad y sostenibilidad.*1
Entrevista
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
Tecnología de montaje en el proceso back-end
KIOXIA desarrolló una memoria flash de 8 TB de alta capacidad al ensamblar 32 matrices de memoria flash, cada una con una capacidad de 2 Tb, en un solo paquete. La creación de esta solución de memoria ha sido posible gracias a nuestros procesos back-end avanzados, que incluyen adelgazamiento de obleas, diseño de materiales y tecnologías de unión de cables.
Entrevista
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
Tecnología BiCS FLASH™ generación 8 – ¿por qué elegir la CBA?
Con la tecnología CBA, cada oblea CMOS y oblea de matriz celular se fabrica por separado en su condición optimizada y posteriormente se une para ofrecer una densidad de bits mejorada y una velocidad de E/S NAND rápida. La fabricación de la celda y el periférico por separado permite la optimización de cada uno de ellos, eliminando la compensación entre la fiabilidad de la celda y la velocidad de E/S, y proporcionando un gran salto en eficiencia energética, rendimiento, densidad, rentabilidad y sostenibilidad.*1
Tecnologías BiCS FLASH™
Características principales*
Mayor densidad de almacenamiento por matriz que la memoria Flash convencional
Mayor rendimiento de velocidad de lectura/escritura
Mayor fiabilidad que NAND 2D (planar)
Bajo consumo de energía
* En comparación con la tecnología planar 2D
Aplicaciones principales
Eficiencia del centro de datos
La memoria flash 3D BiCS FLASH™ se diseñó para abordar los problemas más difíciles del centro de datos:
Principio del funcionamiento de la memoria flash 3D
El principio del funcionamiento de la memoria flash 3D se explica con la animación CG (generada por ordenador) contrastándola con el brillo del sol (en japonés con subtítulos en inglés).
La tecnología de memoria flash 3D BiCS FLASH™ escalable de KIOXIA aumenta la capacidad de memoria al nivel más alto hasta la fecha*2
Tecnología TLC (celda de tres niveles) y QLC (celda de nivel cuádruple)
La gama de productos de memoria flash 3D BiCS FLASH™ incluye tanto la tecnología de 3 bits por celda (TLC) como 4 bits por celda (QLC). La tecnología QLC amplía considerablemente la capacidad al aumentar el recuento de bits de datos por celda de memoria de tres a cuatro. Se puede lograr una capacidad de 4 terabytes (TB) en un solo paquete utilizando la tecnología BiCS FLASH℮ QLC en una arquitectura apilada de 16 matrices.
Liderando el impulso hacia una mayor densidad y eficiencia de las memorias
KIOXIA fue uno de los primeros actores del sector en imaginar y prepararse para la migración exitosa de la tecnología SLC a MLC, de MLC a TLC, y ahora de TLC a QLC.
La tecnología QLC de KIOXIA es ideal para aplicaciones que requieren soluciones de almacenamiento de alta densidad y un menor coste. El QLC actual reduce la cantidad de superficie a ocupar con la mayor densidad disponible en un solo paquete lo cual permite escalar la solución de almacenamiento.
- Características y mejoras de rendimiento de uso típicas en comparación con la generación anterior de memoria flash BiCS FLASH 3D TLC.
- Fuente: KIOXIA - Comunicado de prensa del 3 de julio de 2024
Productos por aplicaciones
Independientemente de que se trate de aplicaciones de automoción, ordenadores compactos de alto rendimiento o despliegues de servidores en la nube y centros de datos a hiperescala, al ofrecer soluciones avanzadas de alto rendimiento, alta densidad, bajo consumo, baja latencia, fiabilidad y mucho más, las soluciones de memoria y almacenamiento de KIOXIA permiten el éxito de las aplicaciones emergentes y que las tecnologías existentes alcancen el potencial esperado.
Aprender y evaluar
Asistencia
Póngase en contacto con nosotros si tiene preguntas técnicas, solicitudes de materiales, si está interesado en muestras o compras de productos comerciales (memorias, unidades SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
