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Memoria Flash 3D BiCS FLASH
KIOXIA ofrece productos basados en flash para aplicaciones de almacenamiento de última generación. Tras inventar la memoria flash NAND hace más de 35 años, KIOXIA es ahora uno de los proveedores de memoria flash más grandes del mundo; además, continúa siendo uno de los principales impulsores de la tecnología.
La tecnología KIOXIA está marcando el camino hacia el almacenamiento de alta capacidad
La memoria flash 3D "BiCS FLASH" de KIOXIA es una innovación revolucionaria que satisface las necesidades de aplicaciones centradas en datos como smartphones avanzados, PC, SSD y centros de datos. Para satisfacer las exigencias de alto rendimiento, alta densidad y rentabilidad, hemos optimizado una serie de tecnologías avanzadas. Entre ellas, se incluyen la tecnología CBA (CMOS directamente unida a la matriz) en el proceso front-end y la tecnología de ensamblaje en el proceso back-end.
Tecnología CBA en el proceso front-end
La memoria flash 3D BiCS FLASH™ generación 8 de KIOXIA cuenta con 218 capas y tecnología de unión de obleas CMOS directamente unida a matriz (CBA), una innovación arquitectónica que satisface las necesidades de aplicaciones centradas en datos como los teléfonos móviles avanzados, los PC, las unidades SSD y los centros de datos. La memoria 3D flash BiCS FLASH™ realmente destaca cuando el rendimiento, la alta densidad y la rentabilidad importan.
Con la tecnología CBA, todas las obleas CMOS y de matriz celular se fabrican por separado en su condición optimizada y posteriormente, se unen para ofrecer una densidad de bits mejorada y una velocidad de E/S NAND rápida. La fabricación de la celda y el periférico por separado permite la optimización de cada uno de ellos, eliminando la compensación entre la fiabilidad de la celda y la velocidad de E/S, y proporcionando un gran salto en eficiencia energética, rendimiento, densidad, rentabilidad y sostenibilidad.*1
Entrevista
La memoria flash 3D de alta densidad con unión de obleas de alta precisión aporta un nuevo valor al almacenamiento
En los últimos años, los fabricantes de memorias flash se han centrado principalmente en el desarrollo de tecnologías para aumentar el número de capas de células de memoria y aumentar la densidad de memoria. Cada vez que se lanza una nueva generación de memoria flash, el número de capas aumenta con algunos productos que cuentan con más de 200 capas. Sin embargo, como ya explicó Atsushi Inoue, vicepresidente de la División de Memoria de KIOXIA, "aumentar las capas de células de memoria es solo una forma de aumentar la capacidad y la densidad de memoria, y no nos preocupan exclusivamente el número de capas".
Tecnología de montaje en el proceso back-end
KIOXIA desarrolló una memoria flash de 8 TB de alta capacidad al ensamblar 32 matrices de memoria flash, cada una con una capacidad de 2 TB, en un solo paquete. La creación de esta solución de memoria ha sido posible gracias a nuestros procesos back-end avanzados, que incluyen adelgazamiento de obleas, diseño de materiales y tecnologías de unión de cables.
Tecnología BiCS FLASH™ generación 8 – ¿por qué elegir la CBA?
Con la tecnología CBA, cada oblea CMOS y oblea de matriz celular se fabrica por separado en su condición optimizada y posteriormente se une para ofrecer una densidad de bits mejorada y una velocidad de E/S NAND rápida. La fabricación de la celda y el periférico por separado permite la optimización de cada uno de ellos, eliminando la compensación entre la fiabilidad de la celda y la velocidad de E/S, y proporcionando un gran salto en eficiencia energética, rendimiento, densidad, rentabilidad y sostenibilidad.*1
Tecnologías BiCS FLASH™
Características principales*
Mayor densidad de almacenamiento por matriz que la memoria Flash convencional
Mayor rendimiento de velocidad de lectura/escritura
Mayor fiabilidad que NAND 2D (planar)
Bajo consumo de energía
* En comparación con la tecnología planar 2D
Aplicaciones principales
Eficiencia del centro de datos
La memoria flash 3D BiCS FLASH™ se diseñó para abordar los problemas más difíciles del centro de datos:
Principio del funcionamiento de la memoria flash 3D
El principio del funcionamiento de la memoria flash 3D se explica con la animación CG (generada por ordenador) contrastándola con el brillo del sol (en japonés con subtítulos en inglés).
La tecnología de memoria flash 3D BiCS FLASH™ escalable de KIOXIA aumenta la capacidad de memoria al nivel más alto hasta la fecha*2
Tecnología TLC (celda de tres niveles) y QLC (celda de nivel cuádruple)
La gama de productos de memoria flash 3D BiCS FLASH™ incluye tanto la tecnología de 3 bits por celda (TLC) como 4 bits por celda (QLC). La tecnología QLC amplía considerablemente la capacidad al aumentar el recuento de bits de datos por celda de memoria de tres a cuatro. Se puede lograr una capacidad de 4 terabytes (TB) en un solo paquete utilizando la tecnología BiCS FLASH℮ QLC en una arquitectura apilada de 16 matrices.
Liderando el impulso hacia una mayor densidad y eficiencia de las memorias
KIOXIA fue uno de los primeros actores del sector en imaginar y prepararse para la migración exitosa de la tecnología SLC a MLC, de MLC a TLC, y ahora de TLC a QLC.
La tecnología QLC de KIOXIA es ideal para aplicaciones que requieren soluciones de almacenamiento de alta densidad y un menor coste. El QLC actual reduce la cantidad de superficie a ocupar con la mayor densidad disponible en un solo paquete lo cual permite escalar la solución de almacenamiento.
- Características y mejoras de rendimiento de uso típicas en comparación con la generación anterior de memoria flash BiCS FLASH 3D TLC.
- Fuente: KIOXIA - Comunicado de prensa del 3 de julio de 2024
Products by Applications
Whether it’s automotive applications or compact high performance-oriented PCs or cloud server and hyperscale data center deployments, by delivering advanced high performance, high density, low power, low latency, reliability and more—KIOXIA memory and storage solutions enable the success of emerging applications and allow existing technologies to reach their expected potential.
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
