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Des technologies innovantes qui ouvrent la voie à une plus grande capacité
Les améliorations majeures apportées à la génération actuelle de produits BiCS FLASH™ reposent sur plusieurs innovations technologiques révolutionnaires. Des améliorations de la densité, des performances et de l'efficacité énergétique ont été obtenues grâce aux avancées dans la conception technique de la mémoire flash et les processus d'assemblage. Découvrez comment la CMOS directement liée à la matrice (CBA) , l'On Pitch Select Gate (OPS) et l'assemblage de mémoire 32 matrices façonnent l'avenir de la mémoire flash 3D.
Technologies dans le processus front-end
Entretien
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
Technologie OPS
Traditionnellement, des zones « factices » inutilisées existaient entre les cellules mémoire, réduisant ainsi la densité de la mémoire. Avec OPS, ces zones factices inutiles sont supprimées, ce qui permet de placer plus de cellules de mémoire réelles dans le même espace. La densité de la mémoire est ainsi considérablement augmentée.
Technologie d’assemblage dans le processus back-end
KIOXIA a développé une mémoire flash haute capacité de 8 To en empilant 32 matrices de mémoire flash dont chacune a une capacité de 2 Tb, dans un seul boîtier. Cette solution de mémoire a vu le jour grâce à nos processus avancés de back-end, notamment l’amincissement de tranches, la conception de matériaux et les technologies de câblage par fil.
Entretien
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
Caractéristiques des technologies BiCS FLASH™ communes à toutes les générations
La mémoire flash BiCS FLASH™ 3D empile verticalement les cellules de mémoire, ce qui augmente considérablement la densité de stockage. Cette architecture de type gratte-ciel surmonte les limites de la mémoire flash 2D (planaire), qui organise les cellules côte à côte. L’augmentation de la distance entre les cellules réduit les interférences intercellulaires, ce qui permet d’améliorer la densité, les performances et l’efficacité énergétique par rapport à la mémoire flash 2D.
Technologies TLC (cellule à triple niveau) et QLC (cellule à quadruple niveau)
La gamme de produits mémoire flash BiCS FLASH™ 3D comprend les technologies 3 bits par cellule (TLC) et 4 bits par cellule (QLC). La technologie QLC augmente considérablement la capacité en faisant passer le nombre de bits de données par cellule de mémoire de trois à quatre. Il est possible d’atteindre une capacité de 4 téraoctets (To) dans un seul boîtier en utilisant la technologie QLC BiCS FLASH™ dans une architecture empilée à 16 matrices.
KIOXIA a été le premier acteur du secteur à envisager et à préparer une migration réussie de la technologie SLC vers MLC, de MLC vers TLC, et de TLC vers QLC.
La technologie QLC de KIOXIA est idéale pour les applications nécessitant des solutions de stockage à haute densité et à moindre coût. Le QLC d’aujourd’hui réduit l’empreinte carbone en offrant la densité la plus élevée disponible dans un seul boîtier, ce qui permet à la solution de stockage d’être évolutive.
Produits par applications
Qu’il s’agisse d’applications pour l’automobile, de PC compacts axés sur les hautes performances ou de déploiements de serveurs cloud et de centres de données hyperscale, et tout en offrant des performances élevées avancées, une haute densité, une faible puissance, une faible latence, une belle fiabilité et plus encore, les solutions de mémoire et de stockage KIOXIA permettent aux applications émergentes de connaître un grand succès et aux technologies existantes d’atteindre le potentiel qu’on attend d’elles.
Assistance
Veuillez nous contacter si vous avez des questions techniques, des demandes concernant le matériel, si vous êtes intéressés par des échantillons ou des achats de produits professionnels (cartes mémoires, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
