Toshiba Memory desarrolla la primera memoria Flash 3D del mundo con tecnología QLC

Alcanza la mayor capacidad del mundo de 1,5 TB en un solo paquete con BiCS FLASH

  • Düsseldorf, Alemania, 28 de junio de 2017

Toshiba Memory Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, ha anunciado hoy el desarrollo de la primera[1] memoria Flash tridimensional (3D) BiCS FLASH del mundo[2] con una estructura de celda apilada. El dispositivo BiCS FLASH más reciente es el primero en ofrecer tecnología de 4 bits por celda (celda de nivel cuádruple, QLC), lo que supone un avance en la capacidad por encima de los dispositivos de celda de nivel triple (TLC) y, por ello, amplía los límites de la tecnología de memoria Flash.
 

Las memorias Flash de celdas de varios bits almacenan datos gestionando el número de electrones de cada celda de memoria. Alcanzar la tecnología de QLC planteó una serie de retos técnicos, ya que aumentar el número de bits por celda en una unidad dentro del mismo recuento de electrones requiere el doble de precisión que la tecnología previa (TLC). Toshiba Memory ha recurrido a sus capacidades avanzadas de diseño de circuitos y a la tecnología de proceso de memoria Flash 3D de 64 capas, líder en el sector, para crear la memoria Flash 3D de QLC.
 

El prototipo cuenta con la mayor capacidad de matriz del mundo[3] (768 gigabits/96 gigabytes) con proceso de memoria Flash 3D de 64 capas. El envío de los prototipos a proveedores de unidades SSD y controladores de SSD para su evaluación y desarrollo comenzó a principios de junio.
 

La memoria Flash 3D con tecnología QLC posibilita también el uso de un dispositivo de 1,5 terabytes (TB) con una arquitectura apilada de 16 matrices en un solo paquete, la mayor capacidad de la industria[4]. Algunas muestras de este innovador dispositivo se presentarán durante el evento Flash Memory Summit del 2017 en Santa Clara, California, Estados Unidos, del 7 al 10 de agosto.
 

Toshiba Memory ya produce a gran escala dispositivos de 64 capas de 256 gigabits (32 gigabytes) y, a medida que amplía la producción a gran escala, seguirá demostrando su liderazgo en la industria mediante el avance del desarrollo tecnológico. El nuevo dispositivo con tecnología QLC, que tiene como objetivo satisfacer la creciente demanda de soluciones de memoria Flash de alta densidad y menor tamaño de chip, está destinado a aplicaciones como unidades SSD para empresas, unidades SSD para consumidores y tarjetas de memoria.

Notas:

[1] Fuente: Toshiba Memory Corporation, 28 de julio de 2017.
[2] Una estructura que apila celdas de memoria Flash verticalmente en un sustrato de silicio para lograr mejoras significativas de densidad sobre la memoria Flash NAND plana, donde las celdas se forman en el sustrato de silicio.
[3] Fuente: Toshiba Memory Corporation, 28 de junio de 2017.
[4] Fuente: Toshiba Memory Corporation, 28 de junio de 2017.

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