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Memoria Flash SLC NAND
Soluciones de memoria integrada industrial y de consumo
Los productos de memoria Flash KIOXIA SLC NAND están disponibles en una gama de densidades y múltiples opciones de paquetes que satisfacen los diversos requisitos del mercado integrado. Se ofrecen dos tipos de interfaces, paparela de 8 bits y SPI de 4 bits, que permiten a los clientes eleccionar un dispositivo SLC NAND adecuado según la capacidad de corrección de errores y la interfaz de memoria del controlador host.
KIOXIA SLC NAND, una memoria no volátil de 1 bit por celda, escribe grandes cantidades de datos a alta velocidad y proporciona alta resistencia y fiabilidad durante el ciclo de escritura/borrado.
KIOXIA BENAND™ es una memoria Flash SLC NAND con ECC integrado. BENAND™ elimina la carga de ECC del procesador host al tiempo que mantiene la interfaz, la fiabilidad y el rendimiento compatibles con la memoria Flash RAW SLC NAND.
Como memoria Flash NOR alternativa, la Memoria flash NAND de interfaz serie cuenta con una iinterfaz periférica en serie (SPI), una interfaz entre chips estándar del sector utilizada en la memoria Flash NOR y es compatible con la mayoría de microprocesadores y microcontroladores.
Puede buscar en la lista de memorias Flash SLC NAND, según las características.
Productos por aplicaciones
Independientemente de que se trate de aplicaciones de automoción, ordenadores compactos de alto rendimiento o despliegues de servidores en la nube y centros de datos a hiperescala, al ofrecer soluciones avanzadas de alto rendimiento, alta densidad, bajo consumo, baja latencia, fiabilidad y mucho más, las soluciones de memoria y almacenamiento de KIOXIA permiten el éxito de las aplicaciones emergentes y que las tecnologías existentes alcancen el potencial esperado.
Support
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
