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UFS 4.0 – Diseñado para almacenamiento móvil de nueva generación
UFS 4.0 ofrece velocidades de transferencia de almacenamiento integradas ultrarrápidas que permiten a los teléfonos inteligentes y aplicaciones móviles de última generación aprovechar las redes móviles 5G. UFS 4.0 incorpora MIPI M-PHY 5.0 High-Speed Gear 5 y UniPro2.0, y admite velocidades de interfaz teóricas de hasta 23,2 Gbps por carril o 46,4 Gbps por dispositivo. UFS 4.0 es compatible con versiones anteriores de UFS 3.1, por lo que las plataformas existentes pueden utilizar la última generación de tecnología de memoria Flash utilizada en UFS 4.0, al tiempo que incorporan todas las funciones de UFS 3.1 existentes.
Características del UFS 4.0
Características principales
- Interfaz en serie
- Lecturas/escrituras de alta velocidad
- Recuento de clavijas bajo
- 256 GB, 512 GB, 1 TB:
- Paquete BGA de 11 x 13 mm y 153 bolas
Rendimiento más rápido
El rendimiento de lectura y escritura secuencial de los dispositivos UFS 4.0 ha mejorado aproximadamente un 100 y un 95 por ciento, respectivamente, con respecto a los dispositivos de la generación anterior*. La tecnología WriteBooster se incorpora para aumentar las velocidades de escritura secuenciales y así lograr descargas más rápidas, hacer que el almacenamiento de grabación de vídeo de alta definición sea más rápido y acelerar los juegos móviles.
* Dispositivo de la generación anterior de 256 GB de Kioxia Corporation “THGJFGT1E45BAIP”
Tamaño de paquete pequeño
UFS 4.0 admite un pequeño paquete de 11 x 13 x 0,8 mm* para ahorrar espacio adicional en aplicaciones móviles, lo que hace que los paquetes sean aún más pequeños y elegantes.
*número de pieza: THGJFJT0E25BAIP, THGJFJT1E45BATP, THGJFLT1E45BATP y THGJFLT2E46BATP
UFS 4.0 en comparación con UFS 3.1/2.1
KIOXIA ofrece UFS 3.1 y UFS 4.0, una familia de memorias Flash de alta capacidad co un controlador integrado. Estas soluciones de memoria Flash proporcionan ECC y otras funciones de control que están optimizadas por KIOXIA para cada generación de tecnología de memoria Flash. UFS y reduce la carga de trabajo del procesador anfitrión, simplifican el desarrollo de productos, acorta el tiempo de comercialización y aumenta la facilidad de uso de los productos de memoria.
En comparación con UFS 3.1/2.1, UFS 4.0 ofrece:
- Una interfaz más rápida
- Mayor rendimiento para lecturas y escrituras
Por qué KIOXIA UFS 4.0
KIOXIA se encuentra a la vanguardia del desarrollo de UFS en el mercado, impulsando esta nueva tecnología a velocidades más rápidas y una mayor eficiencia energética en comparación con otras soluciones de almacenamiento integradas. KIOXIA fue el primero en entregar muestras de UFS 1.1 en 2013. KIOXIA también fue el primero en entregar muestras de UFS 3.0 en enero de 2019. KIOXIA tiene una larga historia de invenciones de memoria flash NAND. Con la introducción del último UFS 4.0, KIOXIA sigue mostrando su compromiso de crear tecnologías que permitan avances en un mundo digital en constante cambio.
Una mejor experiencia del usuario con UFS 4.0
El estándar UFS 4.0 proporciona grandes mejoras en el rendimiento en comparación con versiones anteriores. Los teléfonos móviles, las consolas de videojuegos y los dispositivos portátiles de realidad aumentada y virtual se beneficiarán de las velocidades de transferencia más rápidas. Además, el mayor rendimiento de lectura permitirá descargar juegos y aplicaciones mucho más rápido, lo que mejorará la experiencia del usuario. KIOXIA está preparada para el futuro: en un mercado que se desarrolla rápida y eficientemente, KIOXIA presenta su nuevo e innovador estándar UFS 4.0.
Tecnología clave KIOXIA UFS
Funcionalidad WriteBooster
WriteBooster mejora el rendimiento de escritura al utilizar el área de datos de usuario existente como un búfer SLC temporal sin sacrificar la capacidad. El host puede configurar el tamaño máximo del búfer SLC en la configuración del dispositivo. Además, puede seguir escribiendo datos en el búfer hasta que se llena. Esta función es habilitada dinámicamente durante el funcionamiento por parte del host en función de los requisitos de rendimiento del sistema de 5G y otras aplicaciones.
Compatibilidad con la secuencia de inicio de enlace de alta velocidad (HS-LSS) *1
Con el UFS convencional, Link Startup (secuencia de inicialización M-PHY y UniPro) entre el dispositivo y el host se realiza a PWM-G1 de baja velocidad (3~9 Mbps*2 ), pero con HS-LSS, se puede realizar a una velocidad A de HS-G1 más rápida (1248 Mbps). Se espera que esto reduzca el tiempo de inicio del enlace en aproximadamente un 70 % en comparación con el método convencional.
*1 THGJFLT1E45BATP, THGJFLT2E46BATP y THGJFLT3E86BATU admiten esta función.
*2 La velocidad de comunicación PWM-G1 depende del producto.
Tecnología avanzada
KIOXIA UFS utiliza la tecnología de memoria Flash BiCS FLASH™ 3D para optimizar el rendimiento.
Aplicaciones clave de KIOXIA UFS
Portátil / Ultrabook™ / Tableta / PC de sobremesa / PC para juegos
Teléfono / Reloj inteligente / Gafas inteligentes
Consola de juegos / Televisión inteligente / Auriculares de realidad virtual / Decodificador de televisión / Grabadora de vídeo digital / Altavoz inteligente / Dispositivo del hogar inteligente / Dispositivos portátiles / Salud doméstica / Red doméstica
Automatización / Asistencia sanitaria digital / Transporte / Vigilancia / Robótica / Drones / Seguridad / Señalización digital / Redes (red de la zona 5G) / PoS (Punto de venta)
Aprender y evaluar
Especificaciones de UFS 4.0
*La tabla se puede desplazar horizontalmente.
| Capacidad | Número de pieza | UFS Versión |
Máxima velocidad de datos (MB/s) |
Voltaje de suministro | Funcionamiento Temperatura (℃) |
Tamaño del paquete (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 256 GB | THGJFJT1E45BATP | 4.0 | 4640 | 2,4 a 2,7 | 1,14 a 1,26 | - (1) | -25 a 85 | 11,0 x 13,0 x 0,8 |
| 256 GB | THGJFLT1E45BATP | 11,0 x 13,0 x 0,8 | ||||||
| 256 GB | THGJFMT1E45BATV | 9,0 x 13,0 x 0,8 | ||||||
| 512 GB | THGJFJT2T85BAT0 | 11,0 x 13,0 x 0,95 | ||||||
| 512 GB |
THGJFLT2E46BATP | 11,0 x 13,0 x 0,8 | ||||||
| 512 GB | THGJFMT2E46BATV | 9,0 x 13,0 x 0,8 | ||||||
| 1 TB | THGJFLT3E86BATU | 11,0 x 13,0 x 1,0 | ||||||
| 1 TB | THGJFMT3E86BATZ | 9,0 x 13,0 x 0,9 | ||||||
- Este producto permite la operación de doble suministro en VCC y VCCQ. No es necesario que se suministre en VCCQ2.
UFS 3.1
UFS 3.1 de KIOXIA ofrece el rendimiento de lectura/escritura de alta velocidad, el bajo consumo de energía y los tiempos de lanzamiento de aplicaciones más cortos exigidos por una amplia gama de productos digitales de consumo.
Asistencia
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
