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UFS y e-MMC para consumo e industria
Soluciones avanzadas de memoria integrada: Impulsamos el presente y el futuro de las aplicaciones industriales y de consumo
Los dispositivos con memoria flash integrada UFS de alta capacidad de KIOXIA incorporan la memoria 3D flash BiCS FLASH™ y un controlador en un solo paquete. El controlador integrado gestiona corrección de errores, nivelación de desgaste, traducción de direcciones y gestión de bloques defectuosos, lo que facilita el desarrollo del sistema, reduce las demandas del procesador, acelera el tiempo de comercialización y mejora la facilidad de uso.
Avance a toda velocidad: KIOXIA UFS 5.0 establece un nuevo estándar de velocidad y eficiencia móvil
UFS 5.0 lleva la tecnología de almacenamiento integrado al siguiente nivel, ofreciendo velocidades de transferencia aún más rápidas y una eficiencia energética mejorada para futuros smartphones, tabletas y dispositivos móviles con tecnología de IA. Basándose en los avances de sus predecesores, el UFS 5.0 utiliza MIPI® M-PHY® versión 6.0 High Speed Gear6 y UniPro® versión 3.0, que admiten velocidades de interfaz teóricas de hasta 10,8 GB/s(1) (10 830 MB/s) por dispositivo. UFS 5.0 mantiene la compatibilidad con versiones anteriores con UFS 4.1, lo que garantiza una integración perfecta con las plataformas existentes y, al mismo tiempo, ofrece un rendimiento mejorado y compatibilidad con las últimas innovaciones en memoria flash.
Entrevista
New Era of On-device AI Driven by High-speed UFS 5.0 Storage
UFS 5.0, featuring a theoretical high-speed interface of 10.8 GB/s, is almost here. KIOXIA believes that the adoption of UFS 5.0 in smartphones will further advance on-device AI. This is because high-speed UFS 5.0, with high-capacity, will allow for the storage of Large Language Models (LLMs) and Retrieval-Augmented Generation (RAG) databases.
Características y ventajas clave de KIOXIA UFS 5.0
Características principales
- Interfaz en serie
- Velocidad de interfaz mejorada de hasta 10,8 GB/s por dispositivo(1)
- Último estándar JEDEC®
- Capacidades: 512 GB, 1 TB(2)
- MIPI M-PHY versión 6.0 High Speed Gear6
Rendimiento impresionante
UFS 5.0 ofrece mejoras significativas en el rendimiento, con velocidades de lectura y escritura secuenciales que aumentan hasta un 123 % y un 113 % respectivamente en comparación con los dispositivos con UFS 4.1.(3)* Este alto rendimiento se consigue gracias a High Speed Gear6, que alcanza sus velocidades de interfaz a través de nuevas tecnologías como PAM-4.
* Dispositivo de 1 TB, rendimiento a nivel de controlador frente a UFS 4.1 de 1 TB
Eficiencia energética y gestión térmica mejoradas
UFS 5.0 ofrece una eficiencia energética y una gestión térmica mejoradas, lo que reduce el consumo de energía durante el funcionamiento y la generación de calor para un mayor rendimiento sostenido en comparación con UFS 4.1.
UFS 5.0 en comparación con UFS 4.1
KIOXIA ofrece las soluciones de memoria flash de alta capacidad UFS 4.1 y los UFS 5.0 más recientes, cada una de las cuales incorpora un controlador integrado y corrección avanzada de errores. La tecnología UFS simplifica el diseño del sistema al descargar la gestión del almacenamiento del procesador host y facilitar la integración.
UFS 5.0 presenta varias mejoras con respecto a UFS 4.1, entre las que se incluyen:
- Velocidades de interfaz más rápidas para un mayor rendimiento de datos
- Rendimiento de lectura/escritura secuencial y aleatoria mejorado
- Mayor eficiencia energética para soportar los exigentes dispositivos de siguiente generación
Estas mejoras hacen que el UFS 5.0 sea adecuado para dispositivos móviles de alta gama que podrán admitir IA en el dispositivo debido a las velocidades de interfaz más rápidas de UFS 5.0.
Por qué KIOXIA UFS
KIOXIA continúa su legado de innovación con la introducción de sus soluciones de memoria flash UFS 5.0, que abordan la necesidad de una velocidad y una eficiencia cada vez mayores en el almacenamiento integrado moderno. Las soluciones KIOXIA UFS 5.0, basadas en años de liderazgo tecnológico y una trayectoria de primicias en el sector, están diseñadas para aplicaciones exigentes, como la IA en el dispositivo en smartphones y otros sistemas informáticos de alto rendimiento.
UFS 5.0 para aplicaciones avanzadas
El estándar UFS 5.0 proporciona saltos significativos en las velocidades de transferencia de datos, una mejor capacidad de respuesta y un consumo de energía optimizado. Estas funciones se traducen en experiencias fluidas, lo que permite una carga rápida de aplicaciones, descargas de datos ultrarrápidas y multitarea eficiente para los casos de uso móviles e integrados más intensivos.
A medida que los productos digitales evolucionan y requieren una mayor capacidad de respuesta y agilidad, la memoria flash KIOXIA UFS 5.0 ayuda a los fabricantes a ofrecer la siguiente ola de experiencias de usuario innovadoras con impresionantes mejoras de rendimiento.(3)*
- Lectura secuencial: 10 000 MB/s +123 %
- Escritura secuencial (WB): 9000 MB/s +113 %
- Lectura aleatoria: 1160 KIOPS +71 %
- Escritura aleatoria: 1020 KIOPS +59 %
* Dispositivo de 1 TB, rendimiento a nivel de controlador frente a UFS 4.1 de 1 TB
Tecnología clave KIOXIA UFS
Soporte de PAM-4**
PAM-4, o modulación de amplitud de pulso con 4 niveles, es una tecnología que permite a los dispositivos enviar más información en cada señal utilizando cuatro intensidades de señal distintas en lugar de solo dos. Este enfoque duplica de manera eficaz la cantidad de datos que se pueden transmitir sin necesidad de usar conexiones o cables adicionales. En UFS 5.0, PAM-4 permite velocidades de transferencia de datos mucho más rápidas. Como resultado, los usuarios disfrutan de lanzamientos de aplicaciones más rápidos, transferencias de archivos más rápidas y un rendimiento más fluido, lo que ayuda a los dispositivos a mantenerse al día con las demandas de aplicaciones modernas, medios de alta resolución y multitarea.
** Tecnología clave para HS-Gear6 solo en UFS 5.0
Funcionalidad WriteBooster
WriteBooster mejora el rendimiento de escritura al utilizar el área de datos de usuario existente como un búfer SLC temporal sin sacrificar la capacidad. El host puede configurar el tamaño máximo del búfer SLC en la configuración del dispositivo. Además, puede seguir escribiendo datos en el búfer hasta que se llena. El host habilita dinámicamente esta función durante el funcionamiento en función de los requisitos de rendimiento del sistema de 5G y otras aplicaciones.
Compatibilidad con la secuencia de inicio de enlace de alta velocidad (HS-LSS)
Con el UFS convencional, Link Startup (secuencia de inicialización M-PHY y UniPro) entre el dispositivo y el host se realiza a PWM-G1 de baja velocidad (3~9 Mbps***), pero con HS-LSS, se puede realizar a una velocidad A de HS-G1 más rápida (1248 Mbps). Se espera que esto reduzca el tiempo de inicio del enlace en aproximadamente un 70 % en comparación con el método convencional.
*** La velocidad de comunicación PWM-G1 depende del producto.
Tecnología de memoria flash 3D de siguiente generación
KIOXIA UFS 5.0 utiliza la memoria 3D flash BiCS FLASH™ de última generación e introduce más optimizaciones de controladores, diseñadas para maximizar el rendimiento, proporcionar menor latencia y soportar de manera eficiente los rigurosos requisitos de los dispositivos móviles, para automóviles y empresariales modernos.
Aplicaciones clave de KIOXIA UFS 5.0
Smartphone de gama alta/IA en dispositivo
Tabletas/PC de escritorio
Juegos
Streaming rápido/almacenamiento de consola
Aprender y evaluar
Especificaciones de UFS 5.0
*La tabla se puede desplazar horizontalmente.
| Capacidad(2) | Número de pieza | UFS Versión |
Máxima velocidad de datos (MB/s) |
Voltaje de suministro | Funcionamiento Temperatura (℃) |
Tamaño del paquete (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
V CCQ/V CCQ_M (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 512 GB | THGJFST2E48BATM | 5.0 | 10 830 | 2,4 a 2,7 | 1,14 a 1,26 | - (4) | -25 a 85 | 7,5 x 13,0 x 0,8 |
| 1 TB | THGJFST3E88BATN | 7,5 x 13,0 x 0,9 | ||||||
UFS 4.1/3.1 y e-MMC
UFS 4.1/3.1 de KIOXIA ofrece velocidades de transferencia de almacenamiento integrado ultrarrápidas que permiten a los teléfonos inteligentes y aplicaciones móviles de siguiente generación aprovechar las redes móviles 5G.
La línea de productos e-MMC de KIOXIA proporciona una interfaz compatible con JEDEC versión 5.1, eliminando la necesidad de que los usuarios controlen directamente la memoria flash.
- 1 GB/s se calcula como 1 000 000 000 bytes/s y 1 MB/s como 1 000 000 bytes/s. Se trata de un valor teórico calculado a partir de la velocidad de la interfaz y no se garantiza la velocidad del dispositivo de un usuario. La velocidad de lectura/escritura puede variar según el dispositivo host, las condiciones de lectura/escritura, el tamaño del archivo, etc.
- La densidad del producto se identifica según la densidad de los chips de memoria dentro del producto, no según la cantidad de capacidad de memoria que el usuario final tiene disponible para el almacenamiento de datos. La capacidad utilizable por el consumidor será menor debido a las áreas de datos generales, el formato, los bloques defectuosos y otras restricciones, y también podrá variar según el dispositivo host y la aplicación. Para más información, consulte las especificaciones del producto correspondiente. Definición de 1 KB = 2^10 bytes = 1024 bytes. Definición de 1 Gb = 2^30 bits = 1 073 741 824 bits. Definición de 1 GB = 2^30 bytes = 1 073 741 824 bytes. 1 Tb = 2^40 bits = 1 099 511 627 776 bits.
- Las cifras de rendimiento se basan en pruebas internas. Los resultados reales pueden variar según el dispositivo host, los patrones de uso y otras condiciones.
- Este producto permite la operación de doble suministro en VCC y VCCQ/VCCQ_M. VCCQ2 no es necesario.
- JEDEC es una marca comercial registrada de JEDEC Solid State Technology Association
- MIPI®, M-PHY® y UniPro® son marcas comerciales registradas propiedad de MIPI Alliance.
Asistencia
Póngase en contacto con nosotros si tiene preguntas técnicas, solicitudes de materiales, si está interesado en muestras o compras de productos comerciales (memorias, unidades SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
