Please select your location and preferred language where available.
Toshiba Memory desarrolla la primera memoria Flash 3D del mundo con tecnología TSV
Alcanza una alta velocidad de entrada y salida de datos, bajo consumo de energía y gran capacidad
- Düsseldorf, Alemania, 11 de julio de 2017
Toshiba Memory Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, ha anunciado hoy el desarrollo de la primera[1] memoria Flash tridimensional (3D) BiCS FLASH del mundo[2] que utiliza la tecnología Through Silicon Via (TSV)[3] con tecnología de 3 bits por celda (celda de triple nivel, TLC). Las entregas de los prototipos para el desarrollo comenzaron en junio y las muestras de los productos están programadas para su lanzamiento en la segunda mitad de 2017. El prototipo de este revolucionario dispositivo se presentará en la Flash Memory Summit del 2017, en Santa Clara, California, Estados Unidos, del 7 al 10 de agosto.
Los dispositivos fabricados con la tecnología TSV tienen electrodos verticales y vías que pasan a través de matrices de silicio para proporcionar conexiones, una arquitectura que hace posible la entrada y salida de datos a alta velocidad a la vez que reduce el consumo de energía. El rendimiento en el mundo real ya ha sido demostrado anteriormente, con la introducción de la memoria Flash NAND 2D de Toshiba [4].
La combinación de un proceso Flash 3D de 48 capas y la tecnología TSV ha permitido a Toshiba Memory Corporation aumentar con éxito el ancho de banda de programación de los productos y lograr un bajo consumo de energía. La eficiencia energética[5] de un solo paquete es aproximadamente el doble[6] que la de la memoria BiCS FLASH de la misma generación fabricada con tecnología tipo wire-bonding. El uso de BiCS FLASH con tecnología TSV permite que un dispositivo alcance una capacidad de 1 terabyte (TB) con una arquitectura apilada de 16 matrices en un solo paquete.
Toshiba Memory Corporation comercializará la BiCS FLASH con tecnología TSV para proporcionar una solución ideal para aplicaciones de almacenamiento que requieren baja latencia, gran ancho de banda y altos niveles de IOPS[7]/Vatio, incluyendo unidades SSD de gama alta para empresa.
Especificaciones Generales (Prototipo)
| Tipo de paquete | NAND Dual x8 BGA-152 | ||
|---|---|---|---|
| Capacidad de almacenamiento | 512 GB | 1 TB | |
| Número de niveles apilados | 8 | 16 | |
| Tamaño externo | W | 14 mm | 14 mm |
| D | 18 mm | 18 mm | |
| H | 1.35 mm | 1.85 mm | |
| Interfaz | Toggle DDR | ||
| Máxima velocidad de la interfaz | 1066Mbps | ||
Notas:
[1] Fuente: Toshiba Memory Corporation, 11 de julio de 2017.
[2] Una estructura que apila celdas de memoria Flash verticalmente en un sustrato de silicio para lograr mejoras significativas de densidad sobre la memoria Flash NAND plana, donde las celdas se forman en el sustrato de silicio.
[3] Through Silicon Via: tecnología con electrodos y vías verticales para pasar a través de las matrices de silicio para conectarse en un solo paquete.
[4] Toshiba desarrolla la primera memoria Flash NAND apilada de 16 matrices del mundo con tecnología TSV
[5] Velocidad de transferencia de datos por unidad de potencia. (MB/s/W)
[6] En comparación con los productos actuales de Toshiba Memory Corporation.
[7] Input Output per Second: Número de entradas y salidas de datos para el procesamiento a través de un puerto de Entrada/Salida por segundo. Un valor más alto implica un mejor rendimiento.
