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Toshiba Memory Europe presenta los primeros dispositivos de memoria Flash UFS ver. 3.0 de la industria
Permite el rendimiento más rápido necesario para la evolución continua de teléfonos inteligentes, tabletas, realidad aumentada / virtual y más
- Düsseldorf, Alemania, 23 de enero de 2019
Toshiba Memory Europe GmbH (TME) ha comenzado a enviar muestras de la versión de de 128 GB[1] de almacenamiento Flash universal (UFS) Ver. 3.0 de la industria. La nueva gama utiliza la memoria Flash 3D de última generación BiCS FLASH de 96 capas de la empresa y está disponible en tres capacidades: 128 GB, 256 GB y 512 GB[2]. Con un rendimiento de lectura/escritura de alta velocidad y un bajo consumo de energía, los nuevos dispositivos son ideales para aplicaciones como dispositivos móviles, teléfonos inteligentes, tabletas y sistemas de realidad virtual/aumentada.
Los consumidores continúan exigiendo un rendimiento cada vez mayor y una mejor experiencia de usuario desde sus dispositivos y, por ello, el estándar UFS se está perfeccionando constantemente para respaldar esta evolución.
Debido a su interfaz en serie, el UFS permite la impresión a doble cara, que a su vez permite la lectura y escritura simultáneas entre el procesador central y la memoria UFS. Con la introducción de la UFS 3.0, JEDEC, líder mundial en el desarrollo de estándares para la industria de la microelectrónica, ha mejorado las versiones anteriores del estándar UFS para ayudar a los diseñadores de productos a permitir mejoras significativas en dispositivos móviles y aplicaciones relacionadas.
Los nuevos dispositivos integran una memoria Flash 3D BiCS FLASH de 96 capas y un controlador en un paquete estándar de JEDEC de 11,5 x 13 mm. El controlador realiza corrección de errores, nivelación del desgaste, traducción de direcciones lógicas a físicas y gestión de bloques defectuosos para así lograr un desarrollo simplificado del sistema.
Los tres dispositivos son compatibles con el estándar de JEDEC para UFS Ver. 3.0, incluido HS-GEAR4, que tiene una velocidad de interfaz teórica de hasta 11,6 Gigabits por segundo por carril (x2 carriles= 23,2 Gbps), y que a su vez impide aumentos en el consumo de energía. El rendimiento de lectura y escritura secuencial del dispositivo de 512 GB se ha mejorado en aproximadamente un 70 por ciento y un 80 por ciento, respectivamente, con respecto a los dispositivos Toshiba de 256 GB de la generación anterior.
Toshiba fue la primera empresa en introducir dispositivos UFS y los ha estado lanzando desde 2013. La introducción de estos dispositivos UFS Ver. 3.0 mantiene la posición de liderazgo de Toshiba en almacenamiento para dispositivos móviles de próxima generación, los cuales continuarán impulsando nuevos avances.
Las muestras de los nuevos dispositivos se presentarán en el stand de Toshiba (Pabellón 3A - 424) en el evento Embedded World de 2019 (26-28 de febrero, Núremberg, Alemania).
Notas:
[1] Los envíos de muestras del dispositivo de 128 GB comenzarán hoy con el resto de la gama y seguirán gradualmente después de marzo. La especificación de las muestras puede diferir de la de los productos comerciales.
[2] La densidad del producto se identifica según la densidad de los chips de memoria dentro del producto, no la cantidad de capacidad de memoria disponible para el almacenamiento de datos por parte del usuario final. La capacidad utilizable por el consumidor será menor debido a las áreas de datos generales, el formato, los bloques defectuosos y otras restricciones, y también podrá variar según el dispositivo host y la aplicación. Para más información, consulte las especificaciones del producto correspondiente. Definición de 1 GB = 230 bytes = 1 073 741 824 bytes.
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Acerca de Toshiba Memory Europe GmbH
Nosotros, Toshiba Memory Europe GmbH, somos la división europea de Toshiba Memory Corporation. Nuestra empresa, además de ofrecer unidades de estado sólido (SSD), tiene una amplia línea de productos de memoria Flash, incluyendo tarjetas SD, memorias USB y componentes integrados de memoria. Nuestra empresa cuenta con oficinas en Alemania, Francia, España, Suecia y Reino Unido. Su presidente es Masaru Takeuchi.
