Fator de forma EDSFF E1

A KIOXIA Corporation fornece SSD NVMe™ para centro de dados PCIe® 4.0 da próxima geração com as séries XD6 e XD7P, concebidas para a especificação NVMe™ SSD para centro de dados de Open Compute Project® (OCP) e disponíveis em fatores de forma E1.S. Existem várias razões principais pelas quais estas novas SSD EDSFF E1.S podem permitir que uma arquitetura de servidor de centro de dados se adapte às alterações, mas as cinco principais suportadas pela KIOXIA incluem:

Maior desempenho/orçamento de potência superior vs. dispositivos M.2: mais do que duplica o orçamento de energia vs. dispositivos M.2, permitindo às SSD E1.S saturar o desempenho de PCIe® de 4.ª Geração.

Soluções térmicas padronizadas: melhora a interoperabilidade entre fornecedores e plataformas, ao mesmo tempo que fornece a flexibilidade para selecionar o equilíbrio certo de densidade de armazenamento e arrefecimento através de diferentes opções de dissipador de calor E1.S.

Melhor capacidade de manutenção física: melhora significativamente a capacidade de manutenção com o suporte de instalação instantânea que já não requer que um servidor inteiro seja desligado para substituir uma única unidade SSD.

Concebida para acomodar melhor os pacotes de memória flash NAND: o design mais amplo de PCB permite uma orientação otimizada dos pacotes de memória flash NAND, proporcionando espaço para unidades de maior capacidade.

Apoiada por hiperescaladores líderes: a Meta™ e a Microsoft® , os principais autores da especificação SSD NVMe™ OCP para centro de dados, estão a especificar os designs E1.S nas próximas plataformas de OCP, promovendo a adoção em toda a indústria.

E1 – Servidores e armazenamento em hiperescala

Tamanho e dimensão de E1 EDSFF Tamanho e dimensão de E1 EDSFF
Tipo Espessura (altura)
(mm)
Largura
(mm)
Comprimento
(mm)
Potência máx.
(W)
E1.S 5.9 mm 5.9 31.5 111.49 12
E1.S 8 mm com espalhador de calor 8.01 16
E1.S 9,5 mm com caixa simétrica 9.5 33.75 118.75 20
E1.S 15 mm com dissipador de calor assimétrico 15 25
E1.S 25 mm com dissipador de calor assimétrico 25
E1.L 9,5 mm com caixa simétrica 9.5 38.4 318.75 25
E1.L 18 mm com dissipador de calor assimétrico 18 40

Casos de utilização do EDSFF E1.S

Os fatores de forma E1.S são adequados para estes casos de utilização:

E1.S (9,5 mm)

Sistema de destino Sistemas de dimensões reduzidas
Exemplos Servidores de lâminas; sistemas de armazenamento e computação de extremidade; servidores densos e dimensionados
Necessidades primárias Desempenho; excelentes capacidades térmicas
Utilizações Substituição de 2,5 polegadas e M.2
Configuração típica 6 a 12 SSD E1.S
Um rack de servidor com E1.S 9,5 mm

E1.S (15 mm)

Sistema de destino Sistemas de 1U/2U/4U e para fins especiais
Exemplos Lâminas e sistemas informáticos; sistemas de armazenamento de desempenho e capacidade otimizados; sistemas de inteligência artificial/aprendizagem de máquinas (IA/AA) e computação de alto desempenho (HPC); sistemas de extremidade
Necessidades primárias Desempenho e capacidade expansíveis; desempenho térmico otimizado
Utilizações Substituição de 2,5 polegadas e M.2 para armazenamento primário e arranque
Configuração típica 2 a 32 SSD E1.S
Um rack de servidor com E1.S 15 mm

E1.S (25 mm)

Sistema de destino Sistemas de 2U e maiores
Exemplos Aparelhos de armazenamento; entrada/saída (E/S) e servidores/bases de dados ricos em armazenamento; sistemas de armazenamento orientados para o desempenho
Necessidades primárias Escalabilidade de desempenho com capacidade; custo inferior por desempenho
Utilizações Substituição convencional de 2,5 polegadas
Configuração típica 36 a 64 SSD E1.S
Um rack de servidor com E1.S 25 mm

Ofertas do KIOXIA EDSFF E1

KIOXIA Série XD6

Imagem do produto KIOXIA XD6 E1.S de 9,5 mm, 15 mm e 25 mm

KIOXIA Série XD7P

Imagem do produto KIOXIA XD7P E1.S de 9,5 mm, 15 mm e 25 mm
KIOXIA SSD Série Fator de forma Resistência Interface Capacidade de armazenamento (GB) Leitura/escrita sequencial (MB/s) Leitura/escrita aleatória (IOPS)
EDSFF E1.S Leitura intensiva
(1 DWPD durante 5 anos)
PCIe® Gen4 x4, NVMe™ 2.0 1,920
3,840
7,680

Até

7,200 / 4,800

Até

1,650K / 200K

PCIe® Gen4 x4, NVMe™ 1.3c 1,920
3,840

Até

6,500 / 2,350

Até

880K / 90K

Aprender e avaliar

  • A imagem do produto pode representar um modelo de design.
  • PCIe é uma marca comercial registada da PCI-SIG.
  • NVMe é uma marca registada ou não registada da NVM Express, Inc. nos Estados Unidos e noutros países.
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