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Tecnologías innovadoras que allanan el camino hacia una mayor capacidad
Las importantes mejoras de la actual generación de productos BiCS FLASH™ se basan en varias innovaciones tecnológicas revolucionarias. Las mejoras en densidad, rendimiento y eficiencia energética se lograron gracias a los avances en el diseño de la ingeniería de la memoria flash y en los procesos de montaje. Descubra cómo las tecnologías CBA (CMOS directamente unido a la matriz) , OPS (On Pitch Select Gate) y el ensemblaje de memoria de 32 matrices están marcando el futuro de la memoria 3D flash.
Tecnologías en el proceso front-end
Entrevista
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
Tecnología OPS
Tradicionalmente, entre las celdas de memoria existían espacios “ficticios” sin utilizar, lo que reducía la densidad de la memoria. Con la tecnología OPS, se eliminan estas áreas ficticias innecesarias, lo que permite colocar más celdas de memoria reales en el mismo espacio. Esto aumenta en gran medida la densidad de la memoria.
Tecnología de montaje en el proceso back-end
KIOXIA desarrolló una memoria flash de 8 TB de alta capacidad al ensamblar 32 matrices de memoria flash, cada una con una capacidad de 2 Tb, en un solo paquete. La creación de esta solución de memoria ha sido posible gracias a nuestros procesos back-end avanzados, que incluyen adelgazamiento de obleas, diseño de materiales y tecnologías de unión de cables.
Entrevista
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
Fundamentos de las tecnologías BiCS FLASH™ comunes a todas las generaciones
La memoria 3D flash BiCS FLASH™ apila verticalmente las celdas de memoria, lo que aumenta significativamente la densidad de almacenamiento. Esta arquitectura similar a un rascacielos supera los límites de la memoria 2D flash (planar), que organiza las celdas en un formato paralelo. Aumentar la distancia entre celdas reduce la interferencia entre celdas, lo que permite una mejor densidad, rendimiento y eficiencia energética en comparación con la memoria 2D flash.
Tecnología TLC (celda de tres niveles) y QLC (celda de nivel cuádruple)
La gama de productos de memoria flash 3D BiCS FLASH™ incluye tanto la tecnología de 3 bits por celda (TLC) como 4 bits por celda (QLC). La tecnología QLC amplía considerablemente la capacidad al aumentar el recuento de bits de datos por celda de memoria de tres a cuatro. Se puede lograr una capacidad de 4 terabytes (TB) en un solo paquete utilizando la tecnología BiCS FLASH™ QLC en una arquitectura apilada de 16 matrices.
KIOXIA fue uno de los primeros actores del sector en imaginar y prepararse para la migración exitosa de la tecnología SLC a MLC, de MLC a TLC, y de TLC a QLC.
La tecnología QLC de KIOXIA es ideal para aplicaciones que requieren soluciones de almacenamiento de alta densidad y un menor coste. El QLC actual reduce la cantidad de superficie a ocupar con la mayor densidad disponible en un solo paquete, lo cual permite escalar la solución de almacenamiento.
Productos por aplicaciones
Independientemente de que se trate de aplicaciones de automoción, ordenadores compactos de alto rendimiento o despliegues de servidores en la nube y centros de datos a hiperescala, al ofrecer soluciones avanzadas de alto rendimiento, alta densidad, bajo consumo, baja latencia, fiabilidad y mucho más, las soluciones de memoria y almacenamiento de KIOXIA permiten el éxito de las aplicaciones emergentes y que las tecnologías existentes alcancen el potencial esperado.
Asistencia
Póngase en contacto con nosotros si tiene preguntas técnicas, solicitudes de materiales, si está interesado en muestras o compras de productos comerciales (memorias, unidades SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
