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Diseño EDSFF E1
KIOXIA Corporation ofrece la próxima generación de unidades SSD NVMe™ PCIe® 4.0 para centros de datos con sus series XD6 y XD7P, que están diseñadas según la especificación Open Compute Project® (OCP) para unidades SSD NVMe™ de centros de datos y disponibles en los diseños E1.S. Hay una serie de razones clave por las que estas nuevas unidades SSD EDSFF E1.S pueden permitir que la arquitectura de un servidor de centro de datos se adapte a los cambios, pero las cinco principales respaldadas por KIOXIA incluyen:
Mayor rendimiento / Mayor presupuesto de energía en comparación con los dispositivos M.2: más del doble de presupuesto de energía en comparación con los dispositivos M.2, lo que permite a las unidades SSD E1.S alcanzar el rendimiento PCIe® Gen4.
Soluciones térmicas estandarizadas: mejora la interoperabilidad entre proveedores y plataformas, al tiempo que proporciona la flexibilidad necesaria para seleccionar el equilibrio adecuado entre refrigeración y densidad de almacenamiento a través de las distintas opciones de disipadores térmicos E1.S.
Mayor capacidad de servicio físico: mejora enormemente la capacidad de servicio gracias a la compatibilidad con la conexión en caliente, por lo que ya no es necesario desmontar todo un servidor para sustituir una única unidad SSD.
Diseñado para adaptarse mejor a los paquetes de memoria flash NAND: el diseño más ancho de la placa de circuito impreso permite una orientación optimizada de los paquetes de memoria flash NAND, lo que proporciona espacio para unidades de mayor capacidad.
Compatible con los principales hiperescaladores: Meta™ y Microsoft®, autores líderes de la especificación OCP para unidades SSD NVMe™ de centros de datos, están especificando los diseños E1.S en las próximas plataformas OCP, promoviendo su adopción en toda la industria.
E1 - Servidores y almacenamiento a hiperescala
Tipo | Grosor (altura) (mm |
Ancho (mm) |
Longitud (mm) |
Potencia máx. (W) |
---|---|---|---|---|
E1.S (5,9 mm) | 5.9 | 31.5 | 111.49 | 12 |
E1.S 8 mm con difusor térmico | 8.01 | 16 | ||
E1.S 9,5 mm con carcasa simétrica | 9.5 | 33.75 | 118.75 | 20 |
E1.S 15 mm con disipador de calor asimétrico | 15 | 25 | ||
E1.S 25 mm con disipador de calor asimétrico | 25 | |||
E1.L 9,5 mm con carcasa simétrica | 9.5 | 38.4 | 318.75 | 25 |
E1.L 18 mm con disipador térmico simétrico | 18 | 40 |
Usos de EDSFF E1.S
Los diseños E1.S son adecuados para estos usos:
E1.S (9,5 mm)
Sistema de destino | Sistemas de tamaño reducido |
---|---|
Ejemplos | Servidores blade; sistemas informáticos y de almacenamiento Edge; servidores densos y escalables |
Necesidad(es) principales | Rendimiento; Excelentes capacidades térmicas |
Uso(s) | Sustitución de 2,5 pulgadas y M.2 |
Configuración usual | De 6 a 12 unidades SSD E1.S |
E1.S (15 mm)
Sistema de destino | 1U/2U/4U y sistemas especiales |
---|---|
Ejemplos | Sistemas y blades informáticos; sistemas de almacenamiento de rendimiento y capacidad optimizados; sistemas de inteligencia artificial/aprendizaje automático (AI/ML) y computación de alto rendimiento (HPC); sistemas Edge. |
Necesidad(es) principales | Rendimiento y capacidad escalables; rendimiento térmico optimizado |
Uso(s) | Sustitución de 2,5 pulgadas y M.2 para el arranque y el almacenamiento primario |
Configuración usual | De 2 a 32 unidades SSD E1.S |
E1.S (25 mm)
Sistema de destino | Sistemas 2U y más amplios |
---|---|
Ejemplos | Dispositivos de almacenamiento; servidores / bases de datos de entrada/salida (E/S) y ricos en almacenamiento; sistemas de almacenamiento orientados al rendimiento |
Necesidad(es) principales | Escalabilidad del rendimiento con la capacidad; Menor coste por rendimiento |
Uso(s) | Reemplazo convencional de 2,5 pulgadas |
Configuración usual | De 36 a 64 unidades SSD E1.S |
Ofertas de EDSFF E1 de KIOXIA
Serie XD6 de KIOXIA
Serie XD7P de KIOXIA
Series de unidades SSD KIOXIA | Diseño | Resistencia | Interfaz | Capacidad de almacenamiento (GB) | Lectura/escritura secuencial (MB/s) | Lectura/escritura aleatoria (IOPS) |
---|---|---|---|---|---|---|
EDSFF E1.S | Lectura intensiva (1 DWPD durante 5 años) |
PCIe® Gen4 x4, NVMe™ 2.0 | 1,920 3,840 7,680 |
Hasta 7,200 / 4,800 |
Hasta 1,650K / 200K |
|
PCIe® Gen4 x4, NVMe™ 1.3c | 1,920 3,840 |
Hasta 6,500 / 2,350 |
Hasta 880K / 90K |
Aprender y evaluar
Comunicados de prensa
- La imagen del producto puede representar un modelo de diseño.
- PCIe es una marca registrada de PCI-SIG.
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