Diseño EDSFF E1

KIOXIA Corporation ofrece la próxima generación de unidades SSD NVMe™ para centros de datos con sus series XD7P y XD8, que están diseñadas según la especificación Open Compute Project (OCP) para unidades SSD NVMe™ de centros de datos y disponibles en los diseños E1.S. Hay una serie de razones clave por las que estas nuevas unidades SSD EDSFF E1.S pueden permitir que la arquitectura de un servidor de centro de datos se adapte a los cambios, pero las cinco principales respaldadas por KIOXIA incluyen:

Mayor rendimiento / Mayor presupuesto de energía en comparación con los dispositivos M.2: más del doble de presupuesto de energía en comparación con los dispositivos M.2, lo que permite a las unidades SSD E1.S alcanzar el rendimiento PCIe® Gen5.

Soluciones térmicas estandarizadas: mejora la interoperabilidad entre proveedores y plataformas, al tiempo que proporciona la flexibilidad necesaria para seleccionar el equilibrio adecuado entre refrigeración y densidad de almacenamiento a través de las distintas opciones de disipadores térmicos E1.S.

Mayor capacidad de servicio físico: mejora enormemente la capacidad de servicio gracias a la compatibilidad con la conexión en caliente, por lo que ya no es necesario desmontar todo un servidor para sustituir una única unidad SSD.

Diseñado para adaptarse mejor a los paquetes de memoria flash NAND: el diseño más ancho de la placa de circuito impreso permite una orientación optimizada de los paquetes de memoria flash NAND, lo que proporciona espacio para unidades de mayor capacidad.

Compatible con los principales hiperescaladores: Meta™ y Microsoft®, autores líderes de la especificación OCP para unidades SSD NVMe™ de centros de datos, están especificando los diseños E1.S en las próximas plataformas OCP, promoviendo su adopción en toda la industria.

E1 - Servidores y almacenamiento a hiperescala

Tamaño y dimensión del EDSFF E1 Tamaño y dimensión del EDSFF E1
Tipo Grosor (mm) Anchura (mm) Longitud (mm) Potencia máx. (W)
E1.S (5,9 mm) 5,9 31,5 111,49 12
E1.S 8 mm con difusor térmico 8,01 16
E1.S 9,5 mm con carcasa simétrica 9,5 33,75 118,75 20
E1.S 15 mm con disipador de calor asimétrico 15 25
E1.S 25 mm con disipador de calor asimétrico 25
E1.L 9,5 mm con carcasa simétrica 9,5 38,4 318,75 25
E1.L 18 mm con disipador térmico simétrico 18 40

Usos de EDSFF E1.S

Los diseños E1.S son adecuados para estos usos:

E1.S (9,5 mm)

Sistema de destino Sistemas de tamaño reducido
Ejemplos Servidores blade; sistemas informáticos y de almacenamiento Edge; servidores densos y escalables
Necesidad(es) principales Rendimiento; Excelentes capacidades térmicas
Uso(s) Sustitución de 2,5 pulgadas y M.2
Configuración usual De 6 a 12 unidades SSD E1.S
Un rack de servidores con E1.S de 9,5 mm

E1.S (15 mm)

Sistema de destino 1U/2U/4U y sistemas especiales
Ejemplos Sistemas y blades informáticos; sistemas de almacenamiento de rendimiento y capacidad optimizados; sistemas de inteligencia artificial/aprendizaje automático (AI/ML) y computación de alto rendimiento (HPC); sistemas Edge.
Necesidad(es) principales Rendimiento y capacidad escalables; rendimiento térmico optimizado
Uso(s) Sustitución de 2,5 pulgadas y M.2 para el arranque y el almacenamiento primario
Configuración usual De 2 a 32 unidades SSD E1.S
Un rack de servidores con E1.S de 15 mm

E1.S (25 mm)

Sistema de destino Sistemas 2U y más amplios
Ejemplos Dispositivos de almacenamiento; servidores / bases de datos de entrada/salida (E/S) y ricos en almacenamiento; sistemas de almacenamiento orientados al rendimiento
Necesidad(es) principales Escalabilidad del rendimiento con la capacidad; Menor coste por rendimiento
Uso(s) Reemplazo convencional de 2,5 pulgadas
Configuración usual De 36 a 64 unidades SSD E1.S
Un rack de servidores con E1.S de 25 mm

Ofertas de EDSFF E1 de KIOXIA

Serie XD7P de KIOXIA

Imagen del producto de KIOXIA XD7P E1.S 9,5 mm, 15 mm y 25 mm

Serie XD8 de KIOXIA

Imagen del producto de KIOXIA XD8 E1.S 9,5 mm, 15 mm y 25 mm
Series de unidades SSD KIOXIA Factor de forma Resistencia Interfaz Capacidad de almacenamiento (GB) Lectura/escritura secuencial (MB/s) Lectura/escritura aleatoria (IOPS)
EDSFF E1.S Lectura intensiva
(1 DWPD durante 5 años)
PCIe® Gen5 de 4 carriles, NVMe™ 2.0 1920
3840
7680
Hasta
12 500 / 5800
Hasta
2300 K / 250 K
PCIe® Gen4 de 4 carriles, NVMe™ 2.0 Hasta
7 200 / 4 800
Hasta
1650 K / 200 K

Aprender y evaluar

  • La imagen del producto puede corresponder a un modelo de diseño.
  • PCIe es una marca registrada de PCI-SIG.
  • NVM es una marca registrada o no registrada de NVM Express, Inc. en Estados Unidos y otros países.
  • Las marcas Open Compute Project y OCP son propiedad de Open Compute Project Foundation y se utilizan con su permiso.
  • Otros nombres de empresas, nombres de productos y nombres de servicios mencionados aquí pueden ser marcas registradas de empresas terceras.
  • Todos los derechos reservados. La información, incluidas las especificaciones de los productos, el contenido de los servicios y la información de contacto, se considera exacta a fecha de enero de 2025, pero está sujeta a cambios sin previo aviso. La información técnica y de aplicación contenida en este documento está sujeta a las especificaciones de producto de KIOXIA aplicables más recientes.